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[实用新型]一种框绞机张力控制系统-CN201620554580.3有效
发明人：马明前;程正智;孟庆喜 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B65H59/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种框绞机张力控制系统，属于张力控制技术领域。它包括电机、伺服驱动器，还包括张力控制器，其中，伺服驱动器与电机连接，张力控制器设置在电缆上，张力控制器与伺服驱动器连接，电机带动框绞机的线盘转动，线盘转动，张力控制器在电缆上测取电缆上的张力，伺服驱动器测取的张力值与设定的张力值进行比较，伺服驱动器通过控制电机的转速带动线盘转动，从而达到张力自动调节控制的目的，张力控制器包括张力检测器和张力读出器，张力检测器位于电缆上，将检测到的张力值输送给张力读出器，张力读出器与伺服驱动器连接。本实用新型能够实现框绞机张力的自动控制不需要人工参与，提高了生产效率，节省了成本。
一种框绞机张力控制系统

[发明专利]基于电热的设备以及用于操作加热器的方法-CN201980072006.0在审
发明人：阿尔贝托·马乔尼;莫尼卡·斯奇巴尼;朱塞佩·帕泽蒂;赛义德·泽尚·艾利;克林顿·肖恩·狄克逊 -专利权人：希奥检测有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种基于电热的设备，其包括加热器(11)、读出电路(14)、数字控制器(16)和数字sigma‑delta调制器(19)，该数字控制器的第一输入(17)耦接到读出电路(14)的第一输出(18)，该数字sigma‑delta调制器的第一输入(20)耦接到数字控制器(16)输出(21)并且该数字sigma‑delta调制器的输出(22)耦接到加热器(11)。
基于电热设备以及用于操作加热器方法

[发明专利]存储装置及存储器控制器-CN202010108761.4在审
发明人：上田善宽;武田奈穗美;白川政信;高田万里江 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：实施方式涉及一种存储装置及存储器控制器。存储装置具备非易失存储器及控制电路。非易失存储器具备多个存储块，所述多个存储块分别包含位移寄存器。控制电路控制非易失存储器的数据写入及读出。控制电路具备读出控制部及写入控制部。读出控制部从多个存储块中的第1存储块读出对象数据。写入控制电路将从第1存储块读出的对象数据写入到多个存储块中与第1存储块不同的第2存储块。
存储装置存储器控制器

[发明专利]使用储层计算的量子状态分类器-CN202080062715.3在审
发明人：金泽直辉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：一种量子状态分类器，包括：储层计算电路，用于对量子位进行后处理以获得读出信号；以及读出电路，耦合到储层计算电路，用于从多个可能的量子状态当中辨别来自读出信号的量子位的量子状态。读出电路在分别由多个量子状态中的每个量子状态中的特定量子状态激活的校准过程中被训练，使得线性读出电路内的权重通过针对校准过程的多个测量序列中的每个测量序列的小批量学习来更新。读出电路在针对测试量子位的校准后分类过程中在多个测量序列之后生成二进制输出。量子状态分类器还包括控制器，该控制器耦合到读出电路，响应于由二进制输出指示的测试量子位的量子状态，选择性地可触发以输出控制脉冲。
使用计算量子状态分类

[发明专利]采样和保持设备-CN201810155500.0有效
发明人： S·艾哈迈德;V·赛流陈科;S·帕蒂尔;D·利夫齐;M·水树 -专利权人：迈来芯科技有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：该系统(100)包括读出设备(150)、控制器(140)、包括多个单位单元(130)和虚置单位单元(139)的段(125)的阵列(120)和在所述段(125)和所述读出设备(150)之间的段开关(160b该控制器(140)被适用于控制所述系统(100)，使得：在获取阶段期间，样本的迹线取自该输入信号并被保持在该单位单元(130)中；在读出阶段期间，在段(125)的单位单元(130)中的或在段(125)的虚置单位单元(139)中的样本被读出设备(150)读出；在打开或关闭段开关(160b、160c)之后，该虚置单位单元(139)是被读出设备(150)读出的第一个单元。
采样保持设备

[发明专利]存储装置的控制方法、及存储装置-CN201580077307.4有效
发明人：柳平康辅;尾崎正一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本实施方式的存储装置的控制方法中，第1半导体存储器接收从控制器发送的读出指令，第2半导体存储器接收从所述控制器发送的写入指令，基于所述读出指令，从所述第1半导体存储器内读出数据；所述第1半导体存储器发送所述数据与表示已输出所述数据的控制信号；基于所述写入指令，所述第2半导体存储器按基于所述控制信号的时序接收所述数据，并将接收到的所述数据写入至所述第2半导体存储器内。
存储装置控制方法

[发明专利]掉电模式期间保持数据的存储设备及其操作方法-CN200610105478.6有效
发明人：元明圭;郑扶日 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：一种存储设备，包括：位线读出放大器；命令译码器，被配置为生成指示存储设备的操作模式的内部控制信号；以及位线读出放大器控制器，被配置为响应于内部控制信号而有选择地施加外部电压到位线读出放大器作为电源电压。
掉电模式期间保持数据存储设备及其操作方法

[发明专利]存储器系统、半导体存储装置及数据读出方法-CN202110755434.2在审
发明人：藤原大辅;佐贯朋也;藤泽俊雄 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供能够不减小数据的编码率而进行随机读取的存储器系统、半导体存储装置及数据读出方法。根据实施方式，存储器系统(1)具有NAND存储器(2)和存储控制器(3)。NAND存储器(2)具有：编码器(14)，将写入数据分割为码字，并变换为包含所生成的多个码字的数据帧，按照每个码字，生成用于错误检测校正的数据帧的水平方向的奇偶校验数据，来进行写入数据的编码；以及解码器NAND存储器(2)的控制电路(13)当接收到读出指令时，对解码器(15)进行控制，以对读出对象数据TD进行使用了水平方向的奇偶校验数据的硬解码，当读出对象数据TD的硬解码成功时，将解码后的读出对象数据TD向存储控制器(3)输出。
存储器系统半导体存储装置数据读出方法

[发明专利]存储系统以及存储器控制方法-CN202210144659.9在审
发明人：藤川尚志 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：实施方式提供能够使高速读取成为可能的存储系统和存储器控制方法。存储系统具备：存储器，能够在多个存储单元各自保持2比特以上的比特数的数据；存储控制器，进行向所述各存储单元写入数据的控制、和读出被写入到了所述各存储单元的数据的控制，所述存储控制器在从主机接收到第1命令时进行第1写入控制，所述第1写入控制为如下控制：从所述存储器读出成为了所述第1命令的对象的数据，以比读出了的数据的写入时的写入方式所对应的比特数小的比特数所对应的写入方式将所述读出了的数据向所述存储器写入；在从所述主机接收到对于成为了所述第1命令的对象的数据的读命令时，读出通过所述第1写入控制写入到了所述存储器的数据并向所述主机传送。
存储系统以及存储器控制方法

[发明专利]具有带有开/关控制的局部读出放大器的半导体存储器件-CN200510091014.X无效
发明人：申相雄;金哲洙;全永铉;李相普 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-03 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括多个存储单元阵列块、位线读出放大器、能够被控制接通或断开的局部读出放大器、数据读出放大器、以及控制器。控制器响应于第一和第二信号而将局部读出控制信号激活预定的持续时间。第一信号为激活位线读出放大器的位线读出使能信号，并且，在激活位线读出使能信号之后，将局部读出放大器激活预定的持续时间。因而，有可能根据操作条件而接通或断开局部读出放大器，由此增大tRCD参数并减小电流消耗。可通过将局部读出放大器与在读取操作期间不需要预充电和均衡的电流型数据读出放大器相组合，而提高半导体存储器件的操作速度。
具有带有控制局部读出放大器半导体存储器件

[发明专利]信号处理装置-CN200410070405.9有效
发明人：川地周平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-08-02 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： G06F3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种信号处理装置，包括：写入控制器，按照第1定时信号把所输入的活动图像信号写入到第1存储器中，并按照上述第1定时信号把所输入的声音信号写入到第2存储器中；通信部，按照上述第1定时信号从上述第1存储器读出上述活动图像信号，并按照与上述第1定时信号不同频率的第2定时信号，从上述第2存储器读出上述声音信号，将上述读出的活动图像信号和声音信号传送到外部装置；读出控制器，在上述声音信号的写入位置与读出位置的差成为预定值的情况下，将上述声音信号的读出位置，变更为根据上述声音信号的写入位置确定的预定的读出位置。
信号处理装置

[发明专利]磁记录/再现设备和磁记录/再现方法-CN200510007551.1无效
发明人：上野博秋 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G11B5/02 文献下载
摘要：以垂直磁记录系统在盘中记录的数据通过磁头从盘中读出，通过磁头前置放大器放大，并通过读取通道LSI进行信号处理。HDD控制器的读出处理单元发送经读取通道LSI处理过的信号作为垂直磁记录系统的输出。另外，HDD控制器的截止频率控制单元根据所述读出处理单元读出的数据传输率来确定磁头前置放大器的高通滤波器的截止频率，控制截止频率改变单元，并且改变所述截止频率的值。
记录再现设备方法

[发明专利]一种DDR控制器及控制方法-CN202010443774.7在审
发明人：陈牧;王晔 -专利权人：上海大骋医疗科技有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种DDR控制器，包括输入数据FIFO缓存、输出数据FIFO缓存、DDR读写控制模块和DDR控制器IP核，所述DDR读写控制模块控制DDR控制器IP核写入输入数据FIFO缓存的数据，并读出DDR控制器IP核的数据至输出数据FIFO缓存，所述DDR控制器IP核控制DDR芯片，还包括输入数据读写控制模块，所述输入数据FIFO缓存包括PING FIFO和PANG FIFO，所述输入数据读写控制模块控制PING FIFO和PANG FIFO之间写入和读出的切换。与现有技术相比，控制难度大大降低，可以适应输入输出带宽不匹配情况，提高了DDR的读写效率。
一种 ddr 控制器控制方法

[发明专利]描绘装置以及描绘方法-CN201180052409.2有效
发明人：中田成宪;久代纪之;胜仓真;小泉吉秋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G09G5/39 文献下载
摘要：DMA控制器（13A）将ROM（11）中存储的图像信息从其开头的读出开始位置以地址单位读出。移位运算部（31）将所读出的1行量的第1数据列移位指定的比特数而生成第2数据列。DMA控制器（13D）读出在VRAM（15）的写入开始位置已经存储的第3数据列。控制部（33）对第2数据列和第3数据列进行规定的运算，而生成第4数据列。控制部（33）从VRAM（15）的写入开始位置以地址单位横向按顺序写入所生成的第4数据列。
描绘装置以及方法

[发明专利]使用像素读出重排序以减少图像传感器中的模式噪声-CN202180006024.6有效
发明人：马修·鲍威尔;穆罕默德·艾尔赛义德 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04N25/67 文献下载
摘要：一种图像传感器，包括像素阵列，该像素阵列具有排列成行和列的多个像素；与相应像素耦合的多条像素读出线；与像素读出线耦合的多路复用电路；与该多路复用电路耦合的多个模数转换器ADC；以及控制器，该控制器用于通过该多路复用电路向该模数转换器提供排列在同一列像素中的像素读出信号
使用像素读出排序减少图像传感器中的模式噪声