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[发明专利]有机发光显示阵列结构-CN201910147793.2有效
发明人：王威;黄情 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：每个所述像素单元包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度。
有机发光显示阵列结构

[发明专利]薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板-CN201710385385.1有效
发明人：马彬;崔子巍;尹岩岩;田鹏程;李鑫 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板。该薄膜晶体管测试元件组包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及栅极；遮光层，所述遮光层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧，所述遮光层与所述有源层对应设置；第一电极层，所述第一电极层与所述漏极相连；以及第二电极层，所述第二电极层绝缘设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述漏极以及所述源极的至少之一相连。由此，可以提高该薄膜晶体管测试元件组在进行模拟测试时数据的准确性。
薄膜晶体管测试元件方法阵列

[发明专利]薄膜晶体管-CN200980124705.1有效
发明人：伊佐敏行;神保安弘;手塚祐朗;大力浩二;宫入秀和;山崎舜平;广桥拓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管与具有此薄膜晶体管的像素结构-CN201010535759.1无效
发明人：吴贞仪;高逸群;黄俊尧 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管以及具有此薄膜晶体管的像素结构。薄膜晶体管配置于基板上。薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极、通道层以及漏极。栅极绝缘层覆盖于栅极及基板上。源极配置于部份栅极绝缘层上。信道层配置于栅极绝缘层上，且覆盖栅极上方的部分源极。漏极配置于通道层上且电性连接于通道层。本发明利用不同层导电层制作薄膜晶体管的源极与漏极，并且源极与漏极分别在通道层前后制作而成。本发明的薄膜晶体管中，源极与漏极之间的水平距离不受工艺极限的限制，因此通道长度可以随不同需求而调整以具有理想的载子迁移率。如此一来，具有本发明的薄膜晶体管的像素结构可以有更好的反应速率。
薄膜晶体管具有像素结构

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及显示装置-CN201310750079.5有效
发明人：李红敏;李小和;董职福;张晓洁;薛伟 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管及显示装置，通过在所述氧化物薄膜晶体管中引入与IGZO有源层接触的IGZO接触层提升薄膜晶体管的开态电流，引入与IGZO有源层接触的IGZO绝缘层或者采用IGZO绝缘层作为栅极绝缘层和蚀刻阻挡层来减小薄膜晶体管的关态电流，来提升薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，从而显著提高显示装置的显示效果。
氧化物薄膜晶体管显示装置

[实用新型]氧化物薄膜晶体管及显示装置-CN201320875955.2有效
发明人：李红敏;李小和;董职福;张晓洁;薛伟 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氧化物薄膜晶体管及显示装置，通过在所述氧化物薄膜晶体管中引入与IGZO有源层接触的IGZO接触层提升薄膜晶体管的开态电流，引入与IGZO有源层接触的IGZO绝缘层或者采用IGZO绝缘层作为栅极绝缘层和蚀刻阻挡层来减小薄膜晶体管的关态电流，来提升薄膜晶体管的开态电流与关态电流之比，从而显著提高显示装置的显示效果。
氧化物薄膜晶体管显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN202010018793.5在审
发明人：雍玮娜 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法，阵列基板的制作方法通过采用多段式掩膜板对位于源漏极金属层上的光刻胶层进行曝光显影，以使对应显示区的第一薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度等于对应GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度，从而经过灰化处理后完全去除光刻胶层，使得后续第一薄膜晶体管沟道区域和第二薄膜晶体管沟道区域能够刻蚀完全，避免第一薄膜晶体管的源漏极、以及第二薄膜晶体管源漏极之间出现短路情况发生，从而弥补因显示区和GOA区薄膜晶体管密度差异等原因造成的显影液作用效率不同的缺陷。
阵列及其制作方法

[发明专利]像素结构-CN201911112125.2有效
发明人：杜振源;吴振中;林岱佐 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构，包括基板、设置于基板上且具有第一端、第二端及控制端的薄膜晶体管、电性连接至薄膜晶体管的第一端的第一信号线、电性连接至薄膜晶体管的控制端的第二信号线、电性连接至薄膜晶体管的第二端的像素电极及遮光层薄膜晶体管的第一端、薄膜晶体管的第二端、薄膜晶体管的控制端、第一信号线及第二信号线的至少一者由一导电层所形成。遮光层设置导电层的顶面及侧壁上。遮光层包括光刻胶及混入光刻胶的多个粒子。
像素结构

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板-CN201911240132.0在审
发明人：张锋 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板，该阵列基板包括柔性基板、薄膜晶体管层和平坦化层，薄膜晶体管层形成在柔性基板上，薄膜晶体管层包括无机层，薄膜晶体管层的上表面凹陷形成有贯穿无机层的凹孔；平坦化层形成在薄膜晶体管层上，平坦化层填充凹孔。
阵列制备方法显示面板

[发明专利]主动元件阵列基板-CN201310072309.7有效
发明人：游家华;林松君;张崇霖;詹建廷;刘轩辰 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种能节省材料成本的主动元件阵列基板，其包含基材、扫描线、数据线、薄膜晶体管、彩色滤光层、透明导电层、绝缘层及像素电极。彩色滤光层覆盖扫描线、数据线及薄膜晶体管，其中彩色滤光层直接接触数据线及薄膜晶体管。透明导电层位于彩色滤光层上，并藉由彩色滤光层与扫描线、数据线及薄膜晶体管电性隔离。绝缘层覆盖透明导电层。像素电极位于绝缘层上，且像素电极连接薄膜晶体管。
主动元件阵列

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202110796534.X在审
发明人：罗成志 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括衬底、阵列驱动层以及像素电极层，阵列驱动层包括第一类薄膜晶体管和第二类薄膜晶体管，像素电极层与第二类薄膜晶体管电连接，其中，第一类薄膜晶体管包括由多晶硅半导体构成的第一有源层，第二类薄膜晶体管包括由氧化物半导体层以及位于氧化物半导体层至少一侧的掺杂层构成的第二有源层；上述阵列基板中的第二类薄膜晶体管在氧化物半导体层的至少一侧添加掺杂层，能够隔绝该第二类薄膜晶体管底部和顶部的紫外光和可见光，且能够减少氧空位缺陷，从而提高该氧化物半导体薄膜晶体管在光照及偏压下的稳定性，进而提高显示面板的产品质量和延长使用寿命。
阵列显示面板

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201410830434.4有效
发明人：林昶 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：提供一薄膜基板，所述薄膜基板上形成有一基层薄膜，所述基层薄膜上形成有图形化的开关多晶硅层和驱动多晶硅层；在所述基层薄膜上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述开关多晶硅层和驱动多晶硅层；在所述栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述驱动薄膜晶体管区上的栅极绝缘层，所述阻挡层暴露出所述开关薄膜晶体管区上的栅极绝缘层；对所述开关薄膜晶体管区上的栅极绝缘层进行氧化处理；以及去除所述阻挡层本发明公开了一种采用上述制备方法得到的薄膜晶体管。本发明提供薄膜晶体管及其制备方法，可以提高薄膜晶体管的开关性能和灰阶控制。
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201910922443.9在审
发明人：杜鹏;宋乔乔 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本揭示提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底基板、薄膜晶体管器件层、钝化层以及导电膜层，导电膜层通过第一过孔与薄膜晶体管器件层中薄膜晶体管的栅极电连接，导电膜层与薄膜晶体管的源/漏极相对应的区域至少部分重叠并用以形成第一电容结构，同时薄膜晶体管的源/漏极与薄膜晶体管的栅极相对应的重叠区域形成第二电容，第一电容与第二电容形成并联结构，从而提升了驱动电路中的升压电容的电容值，压缩了驱动电路的设计空间，实现窄边框产品的设计。
薄膜晶体管电容导电膜层薄膜晶体管器件驱动电路显示面板源/漏极并联结构衬底基板电容结构设计空间升压电容显示装置重叠区域电连接钝化层窄边框并用压缩

[发明专利]基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法-CN202011159656.X在审
发明人：卢年端;李泠;史学文;姜文峰;陆丛研;耿玓;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：一种基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法，该基于薄膜晶体管的压力传感器包括薄膜晶体管；底电极，设置在薄膜晶体管背板凹槽上；种子层，设置在底电极上；氧化锌纳米线层，设置在种子层上；支撑层，设置在氧化锌纳米线层上；以及顶电极，设置在支撑层上。本发明实现了基于a‑IGZO‑TFT(非晶态的铟镓锌氧化物薄膜晶体管)和ZnO NWs(氧化锌纳米线)的压力传感器实现的制作，其工艺比较简单，可以推广到制作多种薄膜晶体管与ZnO NWs的压力传感器。
基于薄膜晶体管压力传感器及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及电子设备-CN202110696721.0在审
发明人：程希 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管、显示面板及电子设备，所述薄膜晶体管包括沿径向由内向外依次设置的栅极、栅极绝缘层以及半导体层，所述薄膜晶体管还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置在所述半导体层的一侧，所述源极和所述漏极均与所述半导体层连接相较于现有技术中的平面型TFT，本申请提供的薄膜晶体管具有更小的占用面积，从而能够节省薄膜晶体管的占用空间，有利于实现薄膜晶体管的集成化设计。
薄膜晶体管显示面板电子设备