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B 作业；运输

C 化学；冶金

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种改进的草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备清洗工艺-CN202110224947.0有效
发明人：邵勇;徐杨;朱永刚;顾维忠;彭聪;胡生望 -专利权人：四川江化微电子材料有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的草酸铟溶解剂组合物，主要组分为碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水，螯合剂主要组成为螯合剂A和螯合剂B，螯合剂A为选自氨基多羧酸及其盐中的至少一种，螯合剂B为羟基多羧酸及其盐中的至少一种，改进的草酸铟溶解剂组合物的pH值为9.5～10.5。本发明改进的草酸铟溶解剂组合物采用复配螯合剂体系，利用两种螯合剂在草酸铟溶解剂组合物体系下具有协同的螯合性能，增加草酸铟的溶解度并且提高溶解速率。本发明还公开了一种基于草酸铟溶解剂组合物的蚀刻设备清洗工艺。
一种改进草酸溶解组合蚀刻设备清洗工艺

[发明专利]草酸铟溶解剂组合物-CN201010165519.7有效
发明人：山口隆雄;石川典夫 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： C23F1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种草酸铟溶解剂，解决了现有问题，该草酸铟溶解剂化学性地溶解去除沉积在由氧化铟锡(ITO)膜或氧化铟锌(IZO)膜形成的透明导电膜的湿蚀刻装置内的草酸铟。本发明涉及一种用于溶解去除在蚀刻装置体系内沉积的草酸铟的溶解剂组合物，其特征在于，所述溶解剂组合物为含有碱性成分以及从氨基多羧酸及其盐中选择的1种或2种以上的水溶液，本发明还涉及使用该溶解剂组合物的蚀刻装置体系内的清洗方法
草酸溶解组合

[发明专利]一种从铟镉废液中分离铟镉的方法-CN201410729007.7有效
发明人：张骥;薛晶晶;贺慧;陈昊;韩吉庆;沈大吉;孙海霞;马鑫;邢健;周龙海;史智峰;董蔚;蔡兴顺;邹辉;吕棋;苟攀龙;李小刚 -专利权人：西安诺博尔稀贵金属材料有限公司
申请日： 2014-11-29 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从铟镉废液中分离铟镉的方法，该方法为：一、向铟镉废液中加入草酸，搅拌反应至析出的沉淀不再增加；所述草酸的质量为铟镉废液中铟质量的1～4倍；二、向反应后的铟镉废液中加入氨水至铟镉废液的pH值为8～10，静置陈化12h～24h；三、对经静置陈化后的铟镉废液进行固液分离，实现铟镉的分离。本发明的方法操作简便，易于实现，用草酸和氨水作为联合沉淀剂，可将含铟镉废液中的铟沉淀的更彻底，且改善了沉淀物渣型，易于过滤，能够更完全的进行固液分离，从而达到铟镉分离的目的，大大减少了氨水的用量，操作环境得以改善
一种废液分离方法

[发明专利]透明导电膜用腐蚀液组合物-CN200910164091.1有效
发明人：村上豊;石川典夫 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种透明导电膜用腐蚀液组合物，其在液晶显示器等使用的ITO膜等的透明导电膜用腐蚀处理中草酸铟析出是很少的。通过含有草酸和、碱性化合物(其中三乙醇胺除外)的透明导电膜用腐蚀液组合物，在透明导电膜腐蚀工序中即使腐蚀液中的铟的浓度很高也可以有效地防止草酸铟的析出。
透明导电腐蚀组合

[发明专利]蚀刻液-CN201710388257.2在审
发明人：吉崎了;向喜广 -专利权人：长濑化成株式会社
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，并且残渣除去性和消泡性也优异，适用于氧化铟系膜的蚀刻。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水，被用于氧化铟系膜的蚀刻。
蚀刻

[发明专利]含铟金属的制造方法-CN200580010534.1无效
发明人：赤堀道弘;中吉康隆;矢野正和;牛山和哉;内野义嗣 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明涉及含铟金属的制造方法，该制造方法是一种新的可以有效且高收率地得到铟的含铟金属的制造方法，所述方法以下述物质作为起始原料：将制造ITO薄膜时所飞散的铟进行回收，得到含铟物质，将该含铟物质用酸等进行溶解，利用所获得的含铟溶液作为起始原料。在该方法中，在含铟溶液中混合草酸作为沉淀剂而生成草酸铟沉淀物，通过固液分离回收该沉淀物，将该沉淀物溶解在酸中形成酸溶解液，将铝板置入酸溶解液中，通过与铝的置换反应而生成海绵铟，对其进行碱熔铸得到含铟金属
金属制造方法

[发明专利]一种高效除铁的铟提取方法-CN201310414043.X有效
发明人：张发;杨武斌 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效除铁的铟提取方法，通过采用草酸对铟提取过程中存在的三价铁离子进行还原，由于草酸对三价铁离子的还原较彻底且能保持被还原而成的二价铁离子在较长时间内不再重新被氧化，从而可有效避免铟离子在萃取过程中由于三价铁离子过量存在而导致的萃取液中毒现象，并且可有效减少铟锭产品中铁的含量，从而提高铟锭产品的质量。本发明的整个过程中都不会产生有毒气体，可有效保证操作的安全性及环保性，且由于草酸还原三价铁离子的反应速度快、反应彻底，因此整个过程耗时短、效果好，得到的铟锭产品含铁量极低且含铟量超过99％，有利于铟的进一步精炼
一种高效提取方法

[发明专利]一种回收废弃液晶显示屏中铟的方法-CN201910424166.9有效
发明人：朱能武;罗德亮;李遥;吴平霄 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明属于国家稀缺资源循环再生利用领域，公开了一种回收废弃液晶显示屏中铟的方法，包括以下步骤：(1)将废弃液晶显示屏破碎为玻璃粉末，在酸性离子液体体系中进行高温浸出反应；(2)将步骤(1)所得反应产物进行固液分离，再将浸出液冷却分层，萃取获得含铟的离子液体有机相；(3)将步骤(2)获得的含铟离子液体有机相与草酸溶液进行反应，充分震荡后进行离心分层，上层为含铟草酸溶液，下层为离子液体，分离得到含铟草酸溶液。本发明有效地实现了酸浸和萃取一体化工艺，简化工艺流程，且铟的浸出分离效率高，减少环境污染；同时离子液体可循环使用，减少化学药剂的使用量，为废弃物处理与回收方面提供一种新方法。
一种回收废弃液晶显示屏方法

[发明专利]一种从铟镓溶液中分离提取铟和镓的方法-CN201510277326.3在审
发明人：孙刚 -专利权人：孙刚
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟镓溶液中分离提取铟和镓的方法。包括如下步骤：（1）萃取：以有机磷酸类为萃取剂，加入稀释剂，配成有机相。待萃液调pH值后加入有机相萃取。（2）反萃铟：用浓盐酸对（1）中的萃后相反萃，得到富铟水相。（3）反萃镓：用草酸溶液对（2）中的反萃后有机相反萃，得到富镓水相。（4）对（2）中的富铟水相加入锌或铝置换得到铟，或加入碱类物质得到氢氧化铟沉淀。（5）对（3）中的富镓水相加入沉淀剂，形成草酸钙，过滤除去草酸钙，滤后液用锌或铝置换得到单质镓，或者加入碱类物质得到氢氧化镓沉淀。
一种溶液分离提取方法

[发明专利]一种草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备的清洗工艺-CN201811298245.1在审
发明人：徐杨;邵勇;陈林;承明忠;李涛;殷福华;赵文虎;朱龙 -专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C11D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种草酸铟溶解剂组合物，主要组分包含碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水，草酸铟溶解剂组合物的pH值为8～12；碱性组分为选自能电离生成K+的强碱弱酸盐中的一种或两种以上的组合，或者由季铵碱与至少一种能电离生成本发明草酸铟溶解剂组合物优化了碱性组分的选择范围，碱性组分为选自能电离生成K⁺的强碱弱酸盐中的一种或两种以上的组合，或者由季铵碱与至少一种能电离生成K⁺的强碱弱酸盐组合而成，减少了草酸铟溶解剂中强碱的使用量，组合物更趋温和，蚀刻设备的清洗更环保安全。
溶解剂组合物强碱弱酸盐电离草酸铟蚀刻设备季铵碱酸铟种草环保安全清洗工艺溶解剂中强碱螯合剂清洗优化

[发明专利]蚀刻液-CN201810269618.6有效
发明人：吉崎了 -专利权人：长濑化成株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液即使水分蒸发，也能够抑制草酸析出，不仅有机膜和SiN的残渣除去性优异，而且玻璃的残渣除去性也优异，适合用于氧化铟系膜的蚀刻。另外，本发明的目的还在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，进一步本发明的目的还在于提供一种维持高蚀刻速率的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)具有2个以上的羟基的伯胺和/或多元醇以及(C)水，该蚀刻液被用于氧化铟系膜的蚀刻。
蚀刻

[发明专利]一种草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法-CN201810252900.3有效
发明人：朱能武;崔佳莹;刘博文;吴平霄 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明属于ITO玻璃基板资源回收技术领域，具体涉及一种草酸浸出ITO玻璃基板中铟的方法。该方法以草酸替代传统的无机酸来浸出ITO玻璃基板中的铟，草酸溶液浓度低，危险性小，操作简单，对设备要求低，轻度耐腐蚀反应容器即可。该方法可根据实际处理情况合理优选浸出参数，浸泡时间低于90min，可确保ITO玻璃基板中铟的浸出率高于90％。
浸出酸浸种草草酸表面形貌玻璃残渣玻璃基板玻璃原料草酸溶液晶格结构显著变化资源回收传统的对设备浸出率耐腐蚀无机酸优选浸泡回收替代生产

[发明专利]在铟电镀组合物中补充铟离子的方法-CN200910149738.3有效
发明人： E·佐克斯;F·J·施瓦格;T·加伊斯克 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C25D3/54 文献下载
摘要：公开了一种在铟电镀组合物中补充铟离子的方法，电镀期间使用特定弱酸的铟盐来补充铟离子。该方法可使用可溶性和不溶性阳极。该方法包括：a)提供一种包含一种或多种铟离子源的组合物；b)电镀铟金属在基底上；以及c)在电镀期间用乙酸铟、甲酸铟和草酸铟中的一种或多种向所述组合物中补充铟离子。
电镀组合补充离子方法

[发明专利]ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法-CN202010969350.4在审
发明人：丁金铎;葛春桥;崔恒;柳春锡;金志洸;王梦涵 -专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO靶材高纯纳米氧化铟锡粉体制造方法，包括以下步骤：将草酸铟和草酸锡或乙酸铟和乙酸锡按比例溶解于去离子水中形成透明的水溶液，再加入尿素或碳酸铵或碳酸氢铵将上述两种溶液混合后转入反应釜中，然后将反应釜置入烘箱中进行水热反应制备纳米氧化锡铟粉体。采用上述技术方案制备的纳米氧化铟锡粉体中无机酸根离子浓度可以控制10ppm以下，而且纳米氧化铟锡粉体的尺寸可由铵盐水解反应产生OH～离子控制。
ito 高纯纳米氧化铟锡粉体制方法

[发明专利]一种管状氢氧化铟/氧化铟微纳材料的合成方法-CN201610291568.2在审
发明人：沈明;邵美玲;周慧;王文书 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：一种管状氢氧化铟/氧化铟微纳材料的合成方法，涉及半导体材料的生产技术领域，本发明以尿素为沉淀剂提供氢氧根，采用十六烷基三甲基溴化铵与草酸共同形成的复合软模板，采用常压回流法，所得氧化铟微纳材料与前驱体氢氧化铟形貌保持一致，达到了氢氧化铟/氧化铟微纳材料形貌控制合成的目的。
一种管状氢氧化氧化铟微纳材料合成方法

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