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[发明专利]一种补偿直流自偏压的系统和方法-CN200910077914.7有效
发明人：宗令蓓 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H02J1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种补偿直流自偏压的系统，包括下电极、直流电源、检测模块和控制模块，其中，检测模块用于检测与等离子体处理设备中的直流自偏压存在对应关系的表征参量，并将其测量值传输至控制模块；控制模块根据该测量值产生第一控制信号，并将其传输至直流电源；直流电源根据第一控制信号调整其输出电压，以对直流自偏压进行补偿，从而减小/消除工件上直流自偏压的影响。此外，本发明还公开一种补偿直流自偏压的方法。本发明提供的系统和方法能够对直流自偏压进行实时补偿，因此，既可以提高直流自偏压的补偿精度，又可以使静电夹持装置能够更好地吸附晶片等工件，并且还可以减小氦气漏率、改善工艺结果，进而提高产品良率。
一种补偿直流偏压系统方法

[发明专利]控制晶片直流自偏压及补偿直流电极与晶片间的静电引力的方法和装置-CN200610171544.X无效
发明人：赵祎 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制晶片直流自偏压的方法和装置及补偿直流电极与晶片间的静电引力的方法和装置。具体包括：通过检测一个能够表征晶片直流自偏压大小的参量来间接获得直流自偏压的值，然后将该值经过控制或转换环节分别用于对射频电源以及直流电源公共参考端的控制，以达到稳定控制晶片上的直流自偏压和补偿由该直流自偏压造成的晶片与直流电极间静电引力不平衡因此，本发明的实现一方面能够稳定地控制晶片上的直流自偏压，获得良好的刻蚀速率和沉积速率等工艺参数；另一方面可以自动地对由晶体自偏压造成的两个直流电极与晶片间的静电引力不平衡进行补偿，使静电卡盘能够更好的吸附晶片
控制晶片直流偏压补偿电极静电引力方法装置

[发明专利]静电吸盘及半导体工艺设备-CN202010695475.2在审
发明人：郑宇现;李俊杰;李琳;王佳;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：一电介质层，该电介质层中设置有正电极和负电极，所述静电吸盘还包括供电系统，该供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，基本电压源连接于正电极和负电极之间，用于供应正电极和负电极各自需要的电荷；自偏压传感器用于对自偏压进行检测，自偏压为静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；基本电压控制器用于根据自偏压的值对基本电压源的输出电压进行控制，以使自偏压与静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。
静电吸盘半导体工艺设备

[发明专利]一种补偿直流自偏压的方法及系统、半导体处理设备-CN200710304751.2有效
发明人：蒲春 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种补偿直流自偏压的方法，其包括下述步骤：1)对直流自偏压信号进行采样，以及对第一电源向静电夹持装置输出的电压信号进行采样；2)根据所述直流自偏压采样信号和第一电源电压采样信号，调节第一电源向静电夹持装置输出的电压，以减小/消除半导体器件上的直流自偏压所产生的影响。此外，本发明还提供一种补偿直流自偏压的系统，以及应用上述方法和/或系统的半导体处理设备。本发明所提供的方法及系统、以及半导体处理设备能够提高补偿直流自偏压的精度，使静电夹持装置上的晶片等半导体器件所受到的静电吸附力较为均衡，从而防止半导体器件滑落或产生位移，进而改善工艺结果，提高产品量率，
一种补偿直流偏压方法系统半导体处理设备

[发明专利]一种自置偏压电化学传感器-CN201310335943.5有效
发明人：周华方;于玉忠 -专利权人：华瑞科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明涉及电化学传感器领域，尤其涉及一种自置偏压电化学传感器。本发明提供一种自置偏压电化学传感器，包括通过电解液形成离子导通的工作电极、参比电极和对电极，所述工作电极的材料和参比电极的材料具有不同电位，所述参比电极为掺有氧化性物质或还原性物质的贵金属电极。本发明所提供的自置偏压电化学传感器，通过三电极传感器系统，能够在不施加任何外电压或减少所加偏压幅度的情况下，提供自置偏压以进行测量，可以检测在零偏压下难以氧化或还原的一些气体。
一种偏压电化学传感器

[发明专利]测量自偏压来监控等离子体处理系统中处理的方法和装置-CN200580039762.1有效
发明人：蒂莫西·J·吉尼;拉奥·安纳普拉加达;苏布哈什·德希穆克;程家成 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：该方法进一步包括获得撞击等离子体之后存在的测量自偏压，该测量自偏压具有当等离子体不存在时的第一值以及当等离子体存在时的不同于第一值的至少一个第二值(806)。该方法还包括如果测量自偏压值在预定自偏压值包络之外(808)，则使测量自偏压值与处理的属性相关(810、812)。
测量偏压监控等离子体处理系统方法装置

[实用新型]非制冷红外探测器的自热补偿电路及非制冷红外探测器-CN202022032162.7有效
发明人：魏斌;翟光杰;潘辉;武佩 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种非制冷红外探测器的自热补偿电路及非制冷红外探测器，自热补偿电路包括偏压电路，第一偏压电路根据第一设定电源信号生成第一偏压信号，第二偏压电路包括偏压控制子电路和多个选通驱动子电路，偏压控制子电路根据行控制信号控制选通驱动子电路分别产生对应的第二偏压信号通过本公开的技术方案，有效补偿了镜像像元与有效像元由于自热效应而发生的阻值变化，提高了偏压电路的驱动能力。
制冷红外探测器补偿电路

[发明专利]一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法-CN201510995058.9有效
发明人：梁洁;杨平 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及其处理方法，包括一等离子体处理腔，所述等离子体处理腔内设置一基座，用于支撑基片，环绕所述基片设置一聚焦环，通过施加射频信号在聚焦环表面产生至少可叠加的两个自偏压，当聚焦环厚度随着等离子体轰击腐蚀变薄时，调节某一自偏压的相位，使两个自偏压存在相位差，从而改变叠加后的自偏压之和，实现对基片边缘区域等离子体分布的调节。
一种均匀刻蚀等离子体处理装置方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN200910137115.4有效
发明人：陈逸舟;林昱佑 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该方法包含：向存储单元施加复位偏压配置，以使电阻状态自较低电阻状态改变至较高电阻状态；所述复位偏压配置包括第一电压脉冲；所述方法更包含向所述存储单元施加设定偏压配置，以使电阻状态自较高电阻状态改变至较低电阻状态；所述设定偏压配置包括第二电压脉冲，所述第二电压脉冲具有与所述第一电压脉冲的电压极性不同的电压极性。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种静态随机存储器-CN201310493442.X无效
发明人：何佳;郑祺 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储器，其包括存储器阵列及其电路，其特征在于：还包括数个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成。因本发明提供的静态随机存储器具有数个自偏压电路，因此，其自偏压电路可在不影响读写操作模式电压的条件下，能有效降低静态工作状态下的电压；由于不需要特别调节电源电压，因此，该存储器便于集成，同时能有效降低存储器阵列的漏电流
一种静态随机存储器

[发明专利]基底加工方法-CN201910533674.0在审
发明人：堅固山裕子;吉田嵩志 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压；以及通过控制器，当所述自偏压具有正值时缩短所述静电去除时间，并且当所述自偏压具有负值时加长所述静电去除时间。
静电去除自偏压基底射频电极等离子体等离子体加工基底加工控制器电荷量顶表面加长测量施加

[实用新型]压电压力传感器-CN202220549664.3有效
发明人：李普天;揭淑云;付金勇;黄弟弟 -专利权人：厦门海普锐科技股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压电压力传感器，其包括：压电陶瓷片和电路板，通过压电陶瓷片上设置有正极片和负极片；电路板上设有分压式自偏压共源极放大电路，分压式自偏压共源极放大电路的正极与压电陶瓷片的正极片相连接，分压式自偏压共源极放大电路的负极与压电陶瓷片的负极片相连接。
压电压力传感器

[实用新型]一种具有外置BIAS调整功能的真空管功率放大器-CN202220318158.3有效
发明人：陈德海 -专利权人：珠海斯巴克电子设备有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有外置BIAS调整功能的真空管功率放大器，包括：主电源供电电路、前级放大电路、功率电子管放大电路、输出变压器、外置BIAS偏压电路，外置BIAS偏压电路与功率电子管放大电路连接，用于输出可调整真空管功率放大器的偏压点的偏压电压信号，外置BIAS偏压电路包括与功率电子管放大电路的多个功率电子管相对应的多个可调电阻、以及自复位开关、UV BIAS表，多个可调电阻分别连接至功率电子管的各个栅极，两个自复位开关分别连接至多个功率电子管的阴极，UV BIAS表与两个自复位开关连接。本实用新型可以调整功率电子管的栅极偏压，在电子管的寿命周期内实现偏压校准调整和监测，提高了功率电子管使用寿命和保持最佳性能。
一种具有外置 bias 调整功能真空管功率放大器

[发明专利]输入输出电路及其自偏压电路-CN201910826400.0有效
发明人：苏皇祥;廖期圣;吴政晃 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：本发明提供一种输入输出电路及其自偏压电路。自偏压电路包括追踪电路、偏压控制电路以及第一晶体管至第四晶体管。追踪电路接收第一电源电压，依据第一电源电压的变化以产生偏压电压。偏压控制电路依据第一电源电压以及输入输出焊垫上的电压以产生第一控制信号、第二控制信号以及第三控制信号。第一晶体管耦接输入输出焊垫并受控于第一控制信号。第二晶体管受控于第二控制信号以提供偏压电压。第四晶体管受控于第四控制信号以产生偏压电压。
输入输出电路及其偏压

[发明专利]一种自置偏压电化学传感器-CN201310335942.0有效
发明人：周华方;于玉忠 -专利权人：华瑞科学仪器（上海）有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明涉及电化学传感器领域，尤其涉及一种自置偏压电化学传感器。本发明提供一种自置偏压电化学传感器，包括通过电解液形成离子导通的工作电极、参比电极和对电极，所述工作电极的材料和参比电极的材料具有不同电位，所述参比电极为贵金属氧化物电极，具体为PtO3/PtO2电极、如上所述，本发明所提供的自置偏压电化学传感器，通过三电极传感器系统，能够在不施加任何外电压的情况下，提供自置偏压以进行测量，可以检测在零偏压下难以氧化或还原一些气体。
一种偏压电化学传感器

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