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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]荧光淬火器件以及使用荧光淬火器件的显示器-CN200410028419.4有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
荧光淬火器件以及使用显示器

[发明专利]一种旋转式多方向势垒可变双稳态振动能量采集装置-CN201710877717.8有效
发明人：王东方;单冠淞;李屹;傅宇鹏;宋杰;杨旭 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种旋转式多方向势垒可变双稳态振动能量采集装置，属于新型能源领域。由单体势垒可变双稳态振动能量采集装置、底座和紧固螺母组成，所述单体势垒可变双稳态振动能量采集装置的数量为2个以上，底座设有中心杆和环形槽，环形槽个数与单体势垒可变双稳态振动能量采集装置的个数一致，单体势垒可变双稳态振动能量采集装置通过环形槽并用紧固螺母与底座固定连接优点是实现采集多方向振动能量并且可调整采集方向以达到最优，以提高能量转换效率；通过调节装置中的弹性梁可实现双稳态振动能量采集中的势垒可变，以进一步提高能量转换效率。
一种旋转多方可变双稳态振动能量采集装置

[实用新型]一种旋转式多方向势垒可变双稳态振动能量采集装置-CN201721236121.1有效
发明人：王东方;单冠淞;李屹;傅宇鹏;宋杰;杨旭 -专利权人：吉林大学
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种旋转式多方向势垒可变双稳态振动能量采集装置，属于新型能源领域。由单体势垒可变双稳态振动能量采集装置、底座和紧固螺母组成，所述单体势垒可变双稳态振动能量采集装置的数量为2个以上，底座设有中心杆和环形槽，环形槽个数与单体势垒可变双稳态振动能量采集装置的个数一致，单体势垒可变双稳态振动能量采集装置通过环形槽并用紧固螺母与底座固定连接优点是实现采集多方向振动能量并且可调整采集方向以达到最优，以提高能量转换效率；通过调节装置中的弹性梁可实现双稳态振动能量采集中的势垒可变，以进一步提高能量转换效率。
一种旋转多方可变双稳态振动能量采集装置

[发明专利]高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法-CN200310119746.6无效
发明人：牛智川;徐晓华;倪海桥;徐应强;韩勤;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-12-04 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒层上面；一第二势垒层，形成与上势垒层对称的能量势垒，该第二势垒层制作在量子阱层上面；一表面覆盖保护层，用于保护量子阱结构，和制备接触电极，该表面覆盖保护层制作在第二势垒层上面。
组分铟镓砷量子结构及其制备方法

[发明专利]半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法-CN202180025008.1在审
发明人：高山彻;中谷东吾;永井洋希;油本隆司;横山毅;高须贺祥一 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：半导体激光装置(1)具备：N型包覆层(20)、活性层(40)、以及P型包覆层(60)，活性层(40)具有：阱层(41)、被配置在阱层(41)的上方的P侧第1势垒层(43a)、以及被配置在P侧第1势垒层(43a)的上方的P侧第2势垒层(43b)。P侧第2势垒层(43b)的Al组分比，比P侧第1势垒层(43a)的Al组分比高，P侧第2势垒层(43b)的带隙能量，比P侧第1势垒层(43a)的带隙能量大。半导体激光装置(1)具有，前端面(1a)附近的阱层(41)的带隙能量，比谐振器长度方向的中央部的阱层(41)的带隙能量大的端面窗口结构。
半导体激光装置以及制造方法

[发明专利]包含具有邻近于晶体管沟道的能量势垒的晶体管的半导体装置结构及相关联方法-CN200980148547.3有效
发明人：钱德拉·V·穆利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置结构，其包含在其晶体管沟道下方具有能量势垒的晶体管。所述能量势垒防止所存储的电荷从所述晶体管沟道泄漏到块体衬底中。还揭示用于制作包含能量势垒的半导体装置的方法。
包含具有邻近晶体管沟道能量半导体装置结构相关方法

[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法-CN202110576203.5在审
发明人：近藤宏树 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述发光元件具有：n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上且具备由氮化物半导体形成的多个阱层和由氮化物半导体形成的多个势垒层的发出紫外光的活性层、设置在活性层上的p侧氮化物半导体层，其中，所述多个势垒层中至少1个势垒层从n侧氮化物半导体层侧起依次具有第1势垒层和第2势垒层，所述第1势垒层包含Al及Ga，所述第2势垒层与所述第1势垒层相接设置，包含Al、Ga及In，且带隙能量比第1势垒层小，所述多个阱层中至少1个阱层与第2势垒层相接设置，且具有比第2势垒层小的带隙能量。
发光元件制造方法

[发明专利]在不同磁阻随机存取存储器阵列中具有不同磁性隧道结的半导体管芯-CN201880055126.5在审
发明人：李夏;陈伟川;许华南;康相赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：磁性隧道结(MTJ)的能量势垒影响其写入性能，因为切换MTJ的自由层的磁定向所需要的电流的量是其能量势垒的函数。因此，通过改变半导体管芯(200)中的不同磁阻随机存取存储器(MRAM)阵列(208)中的MTJ叠层(204)的能量势垒，可以将不同的MRAM阵列用于在半导体管芯中设置的不同类型的存储器，同时仍然能够实现不同的性能指标可以通过改变MTJ叠层的材料、高度、宽度和/或其他特性来改变能量势垒。
不同磁阻随机存取存储器阵列具有磁性隧道半导体管芯

[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法-CN202080079763.3在审
发明人：高山彻;油本隆司;横山毅;中谷东吾;高须贺祥一 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：的上方的n型包层(12)、配置在n型包层(12)的上方的活性层(14)和配置在活性层(14)的上方的p型包层(17)；活性层(14)具有阱层(14d)、配置在阱层(14d)的n型包层(12)侧的n侧第一势垒层(14a)和配置在阱层(14d)的p型包层(17)侧的p侧势垒层(14f)；p侧势垒层(14f)包含In；n侧第一势垒层(14a)的In组份比低于p侧势垒层(14f)的In组份比；n侧第一势垒层(14a)的带隙能量小于p侧势垒层(14f)的带隙能量。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]氮化镓系发光器件-CN200480000484.4有效
发明人：佐藤寿朗;和田直树;酒井士郎;木村真大 -专利权人：氮化物半导体株式会社
申请日： 2004-04-16 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发光器件具有n型包层(124)、由n型第1势垒层(126)、阱层(128)和第2势垒层(130)构成的有源层(129)、p型阻挡层(132)、p型包层(134)。在p型阻挡层(132)的带隙能量Egb、第2势垒层(130)的带隙能量Eg2、第1势垒层(126)的带隙能量Eg1、n型及p型包层(124)、(134)的带隙能量Egc方面，通过使Egb＞Eg2＞Eg1
氮化发光器件

[发明专利]氮化物半导体激光器元件-CN201310611160.5在审
发明人：枡井真吾 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：在氮化物半导体激光器元件中，在n型半导体层和p型半导体层之间具有活性层，上述n型半导体层具有n侧光导层，上述活性层具有两个以上阱层和设置在上述阱层之间的至少一个势垒层，上述势垒层具有带隙能量比上述n侧光导层的带隙能量高的势垒层，上述p型半导体层具有带隙能量比上述活性层中所含所有势垒层高的电子势垒层，具备配置在上述两个以上阱层之中最接近上述p型半导体层的阱层即最终阱层与上述电子势垒层之间的p侧光导层，上述p侧光导层具有：配置在上述最终阱层侧且带隙能量比上述n侧光导层低的第一区域和配置在上述电子势垒层侧且带隙能量比上述n侧光导层高的第二区域。
氮化物半导体激光器元件

[发明专利]具有量子阱结构的半导体光调制器-CN200610125774.2无效
发明人： D·P·布尔;J·朱 -专利权人：阿瓦戈科技光纤IP（新加坡）股份有限公司
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种光调制器包括第一波导层和势垒层、以及夹在该第一波导层和该势垒层之间的量子阱层，其中该量子阱层具有渐变组分，该渐变组分在最小带隙能量和该第一波导层和势垒层中至少一个的带隙能量之间改变该量子阱层的带隙能量
具有量子结构半导体调制器

[发明专利]多量子阱结构、发光二极管和发光二极管封装件-CN201110008901.1无效
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多量子阱结构、包含所述多量子阱结构的发光二极管、以及包含所述发光二极管的发光二极管封装件，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，所述有源层的能量带隙小于相邻的势垒层的能量带隙，所述势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，并且，多个势垒层的能量带隙从两侧向中间逐渐减小，多个有源层的能量带隙也从两侧向中间逐渐减小
多量结构发光二极管封装

[发明专利]多量子阱结构及其制造方法、发光二极管-CN201110008915.3有效
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多量子阱结构以及发光二极管，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于相邻的势垒层的能量带隙，所述势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，并且，所述多个势垒层的能量带隙逐渐增加或减小，所述多个有源层的能量带隙也逐渐增加或减小，其中，多个有源层的能量带隙均在1.59eV
多量结构及其制造方法发光二极管

[发明专利]多量子阱结构及其制造方法、发光二极管-CN201110008907.9有效
发明人：肖德元;张汝京 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多量子阱结构以及发光二极管，所述多量子阱结构设置于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述多量子阱结构包括多个势垒层以及被势垒层隔开的多个有源层，有源层的能量带隙小于相邻的势垒层的能量带隙，势垒层的能量带隙小于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的能量带隙，并且，多个势垒层的能量带隙从两侧向中间逐渐减小，多个有源层的能量带隙也从两侧向中间逐渐减小，其中，多个有源层的能量带隙均在1.59eV
多量结构及其制造方法发光二极管

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