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- [实用新型]光学模压晶圆的模具-CN202122726878.1有效
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王吉;余启川
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美迪凯（浙江）智能光电科技有限公司
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2021-11-09
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2021-12-07
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B29C45/26
- 本实用新型公开了一种光学模压晶圆的模具，包括上模板和下模板，上模板和下模板中心分别设置有注胶槽，上模板的注胶槽内均匀排列有多排上平台，下模板的注胶槽内对应均匀排列有多排下平台，上模板和下模板合模时，上平台和下平台紧密贴合，形成平台限制区域，注胶槽内上平台和下平台外区域形成黑色环氧树脂注胶区域，上模板上开设有注胶孔，注胶孔连通黑色环氧树脂注胶区域。本实用新型光学模压晶圆的模具设计巧妙灵活，通过液态注胶模式，胶液流动性好，模具设计灵活；通过模具设计，模具中液态环氧胶液固化方式可多种选择，灵活多变；通过模具制作的整个工艺流程较短，因而产出较高；相应的产品尺寸相对较小
- 光学模压模具
- [实用新型]一种晶圆纳米压印设备-CN202121208121.7有效
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张浩;张弩
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江苏戴米克自动化科技有限公司
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2021-06-01
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2022-01-21
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G03F7/00
- 本实用新型公开了一种晶圆纳米压印设备，包括：物料转移机构，所述物料转移机构包括多个料叉及驱动料叉移动的水平驱动模组，通过料叉带动晶圆在各工位之间流动；匀胶装置，所述匀胶装置包括滴胶机构、抓取机构和匀胶机，压印装置，所述压印装置包括铰接在所述主基板上的上模板、安装在升降机构的下模板，升降机构驱动下模板向上移动并穿过主基板中部的镂空空间，将下模板与上模板对应合膜，物料存放架，物料存放架的数量至少包括两个，两个物料存放架平行对应且分别用于存放原料和成品；本实用新型是一套完整的晶圆纳米压印设备，生产连续性好，生产效率高，且晶圆是在真空腔内压印，相比常压下压印，压印过程不会产生气泡，产品的质量更好。
- 一种纳米压印设备
- [发明专利]一种SUZ-4分子筛的制备方法-CN201110111746.6无效
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王新平;高珊
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大连理工大学
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2011-04-29
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2011-11-16
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C01B39/04
- 步骤为(1)制备晶种胶：将铝源、硅源、模板剂、氢氧化钾及去离子水混合，置于水热釜中，在100-200℃下，动态晶化时间为0.5-7天；放置后的下层呈白色胶状物和搅拌整体呈白色浆状物均定义为SUZ-4晶种胶；步骤为(2)合成SUZ-4分子筛：将晶种胶、铝源、硅源、碱源、模板剂及去离子水的混合物置于水热釜内，在100-200℃晶化0.5-7天。对晶化后所得混合物进行分离，固体经洗涤、干燥后得SUZ-4分子筛原粉。本发明提出的加入晶种胶的SUZ-4分子筛合成方法，可大大减少了有机模板剂的用量；缩短了反应晶化时间；降低成本，便于实现工业上大规模生产SUZ-4分子筛。
- 一种suz分子筛制备方法
- [发明专利]一种免胶式晶圆贴膜工艺-CN202110158493.1在审
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姜黎平
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姜黎平
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2021-02-05
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2021-06-15
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H01L21/683
- 本发明公开了一种免胶式晶圆贴膜工艺，属于半导体领域，一种免胶式晶圆贴膜工艺，包括晶圆模板和晶圆本体，晶圆模板的上表面开设有环形凹槽，晶圆本体放置于晶圆模板的内部，本方案通过免胶膜来替代传统的胶水膜以保护晶圆的正面，有效降低晶圆被污染的风险，免胶膜利用负压原理吸附在晶圆上，通过辊轮的滚压使挤压腔向外排出空气以降低其内部的气压，并通过吸附加强膜来增吸附力，有效提高免胶膜的稳定性，它还利用还原铁粉消耗氧气的特性来降低挤压腔内的气压
- 一种免胶式晶圆贴膜工艺
- [发明专利]光刻工艺方法-CN201911053198.9有效
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官锡俊
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上海华力集成电路制造有限公司
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2019-10-31
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2021-12-07
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H01L21/033
- 本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：提供产品晶圆，测量光刻胶涂布之前的曝光面内的第一表面高度分布；涂布光刻胶，测量曝光面内的第二表面高度分布；将曝光面分成n个曝光子区域并计算各曝光子区域中光刻胶的第三厚度值；提供n片测试晶圆并涂布对应的第三厚度的光刻胶；对各测试晶圆进行曝光；测量各测试曝光图形的线宽得到对应的基准图形线宽并计算各曝光子区域的曝光图形线宽差异；将各曝光图形线宽差异转换为产品掩模板上的设计图形线宽差异；制作产品掩模板，加入设计图形线宽差异进行线宽补正；对产品晶圆涂布光刻胶、曝光和显影。本发明能减少或消除由于晶圆曝光面内表面形貌不平整产生的曝光图形线宽差异，提高产品线宽均匀性。
- 光刻工艺方法
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