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[实用新型]可控硅阴极版图-CN201820335799.3有效
发明人：耿开远;王勇 -专利权人：济宁东方芯电子科技有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可控硅阴极版图，属于半导体技术领域，包括正面阴极版和背面阴极版，正面阴极版和背面阴极版相配合，正面阴极版上设有正面控制极P型区、正面控制极N型区、正面主N型区和正面主P型区，背面阴极版上设有背面P型区和背面N型区，其中背面P型区对应正面主N型区，背面N型区对应正面主P型区、正面控制极N型区和正面控制极P型区，背面N型区的外侧设有扩展N型区，扩展N型区包括扩展N型Ⅰ区和扩展N型Ⅱ区，通过调整光刻版的结构
控制极背面阴极版正面阴极版背面可控硅阴极背面P型区半导体技术领域本实用新型差异性光刻版触发减小象限配合

[发明专利]一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构-CN201410571144.2在审
发明人：苏冠创 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件的背面掺杂区的结构，器件的背面包括以下特征：在靠近背面至少有一独立的P+区域12与背面金属接触，在P+区靠近背面金属两旁是N型区17，N型区17厚度小于1um，浓度范围为5×10¹⁴/cm³至5×10¹⁷/cm³，这N型层与背面金属形成非欧姆接触，有一低掺杂的P型层11把这N型层17与N型缓冲区10分隔开，N型缓冲区离背表面比P型层11和P+区12为深，低掺杂P型层11的离背表面结深比P+区浅，与半导体背面接触为金属电极。
一种半导体功率器件背面掺杂结构

[发明专利]一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件-CN201910811760.3在审
发明人：张超;王成森;朱明 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，包含：N型衬底硅片；设置在N型衬底内部的P型穿通区；设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区，N型衬底，P型基区，N+发射区，P+基极欧姆接触区；设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区，P型背面短基区，N型长基区衬底，P型正面短基区，N型正面K区，所述P型背面短基区和P型正面短基区同时光刻及扩散形成，N型背面K区和N型正面K区同时光刻及扩散形成。
背面短基区衬底穿通可编程可控硅光刻基极欧姆接触区过压保护器件扩散衬底硅片过压防护发射区集成度扩散区深磷简易芯片

[实用新型]一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件-CN201921457687.6有效
发明人：张超;王成森;朱明 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于可控硅原理的双向可编程过压保护器件，包含：N型衬底硅片；设置在N型衬底内部的P型穿通区；设置在第一、第二两穿通区之间的NPN三极管，包含背面深磷N+扩散区，N型衬底，P型基区，N+发射区，P+基极欧姆接触区；设置在第二、第三两穿通区之间的双向NPNPN可控硅，包含N型背面K区，P型背面短基区，N型衬底硅片，P型正面短基区，N型正面K区，所述P型背面短基区和P型正面短基区同时光刻及扩散形成，N型背面K区和N型正面K区同时光刻及扩散形成。
一种基于可控硅原理双向可编程保护器件

[发明专利]一种低压台面TVS半导体芯片及其制造方法-CN202111652146.0在审
发明人：柯亚威;张鹏;王志明;刘志雄 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种低压台面TVS半导体芯片，P型硅片的正面和背面设有上下对称的环状玻璃钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，P型硅片的生长氧化层，氧化层刻蚀有电极，P型硅片的正面和背面设有N+击穿区，正面和背面设有N+吸杂区，N+吸杂区和N+击穿区与P型硅片之间PN结形成了下凹上凸的结构。选择P型硅片；在P型硅片表面生长氧化层，进行正面、背面N+吸杂区的光刻，光刻后进行正面、背面N+吸杂区磷预扩散和再扩散分布，形成PN结结构；去除氧化层后，在P型硅片进行N+击穿区正面、背面磷预扩散；在P型硅片形成环状钝化沟槽；金属淀积、光刻、刻蚀，氧化层间隙形成T1/T2电极；合金。
一种低压台面 tvs 半导体芯片及其制造方法

[实用新型]可控硅结构-CN202022145791.0有效
发明人：刘宗贺;吴沛东 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。
可控硅结构

[实用新型]一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片-CN202022791091.9有效
发明人：柯亚威;王凯健;张鹏;刘志雄 -专利权人：江苏吉莱微电子股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，N型硅片有正面N+区，N型硅片正面有正面P‑BASE区，正面P‑BASE区内光刻有N+区，N型硅片背面有背面P‑BASE区和背面P+深结区,背面P+深结区位于背面P‑BASE区的上方，N型硅片的顶部和底部的四周设有上下对称的环状钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，N型硅片的表面生长有氧化层，氧化层间隙刻蚀有电极。本实用新型在芯片背面引入P+深结区，减短了电流回路的距离，增强器件电流泄放能力。同时，在芯片正面设置多个正面N+区，正面P‑BASE区内的N+区采用多元胞结构，避免了电流集密度中，有效增强了器件电流泄放能力
一种单向浪涌增强半导体放电芯片

[实用新型]一种背面照射的单光子雪崩二极管-CN202120762893.9有效
发明人：潘劲旅;赵天琦;储童 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式，优化器件结构，将器件的外围电路集成在器件的下方。提高了器件的探测效率。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结，采用次结构显著降低器件的暗计数率。
一种背面照射光子雪崩二极管

[发明专利]逆导型IGBT器件的背面栅结构-CN202211710169.7在审
发明人：张镜华;郝知行;杨蜀湘;王宇 -专利权人：四川奥库科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型IGBT器件的背面栅结构，背面栅结构包括背面P区、背面N区和背面最外侧的集电极，还包括依次设于IGBT器件的正面结构上的漂移层、buffer层和背面绝缘层，背面P区和背面N区均与集电极连接，所所述背面绝缘层用于阻断背面电势区和集电极、背面电势区和背面N区或背面电势区和与背面N区靠近的背面P区相连，当在集电极和发射极之间施加反向电压时，如果反向电压高于背面栅的开启电压，则背面P区形成导电区域，将漂移层、buffer层和集电极相连的背面N区导通，实现反向导通的功能；本发明解决了普通逆导型IGBT正向导通时存在snap‑back问题。
逆导型 igbt 器件背面结构

[发明专利]一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法-CN202111106081.X在审
发明人：宋文龙;杨珏琳;张鹏;许志峰 -专利权人：成都吉莱芯科技有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低电容低残压的双向ESD保护器件及其制作方法，包括N型衬底材料、P型外延层、正面金属区和背面金属区，P型外延层顶部设有N型扩散区b，N型扩散区b之间设有P型扩散区，最外侧的N型扩散区b外侧设有N型扩散区a，P型外延层顶部设有隔离介质层。外延工艺在N型衬底材料生长一层P型外延层，生长一层牺牲氧化层，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，光刻形成P型扩散区图形，硼注入，硼推进，形成P型扩散区，光刻形成N型扩散区图形，磷注入，磷推进，形成N型扩散区，正面淀积隔离介质层，光刻形成接触孔区，正面金属化，背面金属化。在背面金属接触基板的的时候，有利于散热，保证产品的性能。
一种电容低残压双向 esd 保护器件及其制作方法

[发明专利]阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN202211696607.9在审
发明人：徐航;杨雅芬;张卫 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种阶梯槽型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该制备方法包括在N型硅衬底上形成N型载流子存储层；在N型载流子存储层上方形成正面P型阱区；刻蚀第一沟槽，通过As离子注入形成高掺杂的存储层；在第一沟槽内沉积氧化物；刻蚀第二沟槽，并在第二沟槽内形成屏蔽栅氧化层；刻蚀第三沟槽，并在第三沟槽内形成控制栅；在N型硅衬底的正面且位于P型阱区的上方形成进行掺杂形成接触区，并在接触区上形成发射极；在N型硅衬底背面通过N型离子注入形成背面N阱区，然后通过P型离子注入形成背面P阱区，其中背面P阱区位于底部，背面N阱区位于背面P阱区上方。
阶梯绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法-CN202110400215.2在审
发明人：赵天琦;储童;冯桂兰;潘劲旅;林春兰;郭锴悦 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面照射的单光子雪崩二极管及其制作方法，属于单光子探测技术领域。该背面照射的单光子雪崩二极管，包括P型外延层，在所述的P型外延层的内部设置P+重掺杂区，在所述的P+重掺杂区的外围同轴设置P‑低掺杂区，在所述的P‑低掺杂区的下方同轴设置P型雪崩掺杂区，在所述的P+重掺杂区的两侧设置N+重掺杂区，在所述的N+重掺杂区的下方同轴设置N阱区，在所述的P型雪崩掺杂区下方间隔设置N型雪崩掺杂区，在所述的N型雪崩掺杂区的下方设置N‑低掺杂区。本发明采用光从背面照射的方式，优化器件结构，将器件的外围电路集成在器件的下方。提高了器件的探测效率。P型雪崩掺杂区、P型外延层中心区与N型雪崩掺杂区形成雪崩结，采用次结构显著降低器件的暗计数率。
一种背面照射光子雪崩二极管及其制作方法

[发明专利]单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法-CN201610142561.4有效
发明人：周健;朱法扬;王成森;俞荣荣 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，背面氧化膜的内侧设有主端子T1，主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。本发明的晶闸管芯片结构合理可靠，能有效避免由于信号干扰导致的误触发现象；背面氧化膜提高了芯片触发电流的一致性。在制造该芯片时，由于双面N+型发射区和N+型门极区同时光刻、扩散形成，减少了工艺流程，降低了生产成本。
单一信号触发双向晶闸管芯片及其制造方法

[实用新型]单一负信号触发的双向晶闸管芯片-CN201620192790.2有效
发明人：周健;朱法扬;王成森;俞荣荣 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，主端子T2与正面P型短基区之间设有带短路孔的正面N+型发射区，背面P型短基区的背面沿边缘设有背面氧化膜，背面氧化膜的内侧设有主端子T1，主端子T1与背面P型短基区之间设有带短路孔的背面N+型发射区。该晶闸管芯片结构合理可靠，能有效避免由于信号干扰导致的误触发现象；背面氧化膜提高了芯片触发电流的一致性。在制造该芯片时，由于双面N+型发射区和N+型门极区同时光刻、扩散形成，减少了工艺流程，降低了生产成本。
单一信号触发双向晶闸管芯片

[发明专利]一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法-CN201310441203.X有效
发明人：苏冠创 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法，器件的有源区的单元结构包括以下特征：含有至少一个沟槽，沟槽与沟槽之间有部份区域为p型区，有部份区域为n型区，沟槽与沟槽之间的表面有部份为p型区的表面，有部份区域为薄层p+区，沟槽与沟槽之间的表面有接触孔，接触孔把表面的p型区和薄层p+区连接至表面电极，沟槽也被连接至表面电极；背面制备方法包括在硅片的背面注入氢离子，然后用溅射或沉积方法来进行背面金属化
一种恢复二极管结构背面制备方法

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