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[发明专利]一种基于聚3-己基噻吩的电晕放电检测材料及其制备方法-CN202111501843.6在审
发明人：朱远惟;陈钰;陈昊鹏;李盛涛;鲁广昊 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚3‑己基噻吩的电晕放电检测材料及其制备方法，包括：1)将聚3‑己基噻吩均匀分散于有机溶剂中，得到聚3‑己基噻吩溶液；2)将步骤1)中得到的聚3‑己基噻吩溶液在检测材料上均匀旋涂成膜，得到聚3‑己基噻吩检测结构；3)将步骤2)中制得的聚3‑己基噻吩检测结构放置在电晕放电的环境中，利用电晕放电臭氧环境，使聚3‑己基噻吩检测结构发生氧化反应，得到正一价聚3‑己基噻吩检测结构；4)测试步骤3)中得到正一价聚3‑己基噻吩检测结构在不同电压和不同时间放电处理下的UV‑Vis光谱，得到峰值下降和峰位蓝移，以此作为判断电晕放电强度的依据。
一种基于噻吩电晕放电检测材料及其制备方法

[发明专利]利用聚3-己基噻吩改性碳纳米管的方法及改性碳纳米管-CN201811339653.7在审
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用聚3‑己基噻吩改性碳纳米管的方法及改性碳纳米管，其中，所述方法包括步骤：提供碳纳米管阵列及聚3‑己基噻吩；将聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列置于保护气体气氛中进行紫外光处理，使得聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列发生接枝聚合反应本发明解决了聚3‑己基噻吩难以与碳纳米管结合，导致无法通过碳纳米管来增强聚3‑己基噻吩的稳定性的问题。
己基噻吩改性碳纳米管聚3 -己基噻吩碳纳米管阵列碳纳米管接枝聚合反应紫外光处理保护气体

[发明专利]一种多壁碳纳米管键合聚(3-己基噻吩)材料及其制备方法-CN201811339612.8有效
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管键合聚3‑己基噻吩材料及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将聚3‑己基噻吩平铺后与碳纳米管阵列置于保护气体气氛中进行一次紫外线照射处理，使得聚3‑己基噻吩与碳纳米管阵列发生接枝聚合反应，得到改性碳纳米管；将改性碳纳米管与聚3‑己基噻吩混合溶于溶剂中，超声处理后去除溶剂并干燥，得到多壁碳纳米管‑聚3‑己基噻吩混合物；将多壁碳纳米管‑聚3‑己基噻吩混合物平铺在基片上，然后置于保护气体气氛中进行二次紫外线照射处理，冷却，制得碳纳米管键合聚3‑己基噻吩材料。本发明解决了聚3‑己基噻吩不够稳定，导致其无法在微纳米级产品中应用的问题。
一种多壁碳纳米管键合聚噻吩材料及其制备方法

[发明专利]荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料-CN202210218640.4有效
发明人：钱家盛;丁伯阳;伍斌 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料，其中制备方法包括步骤：以3‑溴噻吩为原料，经锂卤交换反应得到3‑(6‑溴己基)噻吩，再通过溴化反应，得到2,5‑二溴‑3‑(6‑溴己基)噻吩；以2,5‑二溴‑3‑(6‑溴己基)噻吩作为单体，先通过聚合反应得到聚噻吩，再通过荷电化反应得到荷电化聚噻吩；将荷电化聚噻吩与MXene纳米片通过溶液共混对MXene纳米片改性，得到荷电化聚噻吩改性MXene本发明荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料将荷电化聚噻吩与MXene纳米片通过溶液共混法实现对MXene纳米片改性，得到荷电化聚噻吩改性MXene导热填料。
电化噻吩改性 mxene 导热填料制备方法复合材料

[发明专利]含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体-CN200680007702.6有效
发明人：克里斯托弗·P·格拉赫;戴维·A·恩代尔;丹尼斯·E·沃格尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2006-02-23 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明描述了半导体器件，其包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双－全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。此外，描述了制造半导体器件的方法，包括沉积包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双(2－全氟醚酰基)低聚噻吩化合物的半导体层。
含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物半导体

[发明专利]一种基于聚噻吩基的导电聚合物的液体组合物、导电聚合物膜及其用途-CN200910075550.9有效
发明人：侯丽新;刘贤豪;田岚;纪雪梅 -专利权人：中国乐凯胶片集团公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：一种基于聚噻吩基的导电聚合物的液体组合物、导电聚合物膜及其用途，它含有：基于聚噻吩基的导电聚合物水溶液，醇溶剂，成膜树脂，偶联剂，高沸点极性溶剂和表面活性剂，其中，所述基于聚噻吩基的导电聚合物水溶液是由高电导率聚噻吩基导电聚合物水溶液和低电导率聚噻吩基导电聚合物水溶液所组成的混合物，其中的高电导率聚噻吩基导电聚合物水溶液和低电导率聚噻吩基导电聚合物水溶液的重量比为3∶1～1∶4。
一种基于噻吩导电聚合物液体组合及其用途

[发明专利]一种自掺杂型噻吩类聚合物的制备方法-CN201310382238.0有效
发明人：汪瑾;郭晨忱;罗小霞;吴宗超 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C08F290/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种自掺杂型噻吩类聚合物的制备方法。该自掺杂型噻吩类聚合物的结构通式为AmBn，其中：A段结构可以是聚3-烷基噻吩、聚3-烷氧基噻吩或聚3,4-乙烯基二氧噻吩，其中聚3-烷基噻吩的烷基可以是甲基、乙基、己基、辛基、癸基、十二烷基，其中聚3-烷氧基噻吩的烷氧基可以是甲氧基、乙氧基、己氧基、辛氧基、癸氧基、十二烷氧基，m为1～100；B段为聚乙烯基磺酸钠或聚对苯乙烯磺酸钠，n为1～100。本发明首先通过卤素-金属交换反应制备乙烯端基化噻吩类聚合物，再与乙烯基磺酸钠或对苯乙烯磺酸钠单体自由基共聚合得到自掺杂型噻吩类嵌段共聚物。
一种掺杂噻吩类聚制备方法

[发明专利]一种制备聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌的方法-CN201810913087.X在审
发明人：鲁从华;俞世雄;杨成枫 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌的方法。其制备过程包括：首先将PDMS基底用氧等离子体处理30s，将一定量的聚3‑己基噻吩滴加在PDMS基底表面，并使其溶胀一定时间；随后，将带有聚3‑己基噻吩的PDMS基底放在旋涂仪上，以3000r/min，然后，将旋涂有聚3‑己基噻吩的PDMS基底放在空气中一段时间，脱除溶剂，从而得到具有聚3‑己基噻吩皱纹形貌的表面。然后，将带有皱纹形貌的PDMS基底放在吡咯溶液中，反应一定的时间，最后洗去表面多余的聚吡咯，得到聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌。本发明利用简便快捷的操作方式成功制备了聚噻吩和聚吡咯复合皱纹形貌，从而避免了复杂繁琐的操作步骤，较长的制备时间与高昂的设备以及实验耗材的损耗。
形貌皱纹聚吡咯己基噻吩聚噻吩基底制备复合旋涂氧等离子体处理基底表面脱除溶剂制备过程吡咯溶液旋涂仪滴加耗材溶胀成功

[发明专利]一种聚1;3;5-三(2-噻吩基)苯/硫复合材料及应用-CN201910480726.2在审
发明人：晏南富;李韦伟;石劲松;赵朝委;崔红敏;游胜勇;柳跃伟 -专利权人：江西省科学院应用化学研究所
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种聚1,3,5‑三(2‑噻吩基)苯/硫复合材料及应用，该复合材料以聚1,3,5‑三(2‑噻吩基)苯为载体，在其空隙内负载单质硫，用于制备锂硫电池正极材料。所述聚1,3,5‑三(2‑噻吩基)苯/硫复合材料的制备方法：将聚1,3,5‑三(2‑噻吩基)苯与升华硫或者硫磺粉按照一定质量比混合，球磨均匀后进行热处理制得聚1,3,5‑三(2‑噻吩基)苯/硫复合材料。电极材料的制备：聚1,3,5‑三(2‑噻吩基)苯/硫复合材料、导电剂和粘结剂混合分散到溶剂中，搅拌均匀、涂覆成片、烘干、切片备用。该复合材料应用于锂硫电池正极材料，表现出优异的电化学性能和循环稳定性。
噻吩基硫复合材料制备复合材料应用制备锂硫电池锂硫电池正极电化学性能循环稳定性热处理电极材料混合分散正极材料复合材料单质硫导电剂硫磺粉升华硫粘结剂质量比烘干切片溶剂球磨涂覆备用应用表现

[发明专利]一种聚三[4-(2-噻吩基)苯基]胺/硫正极材料及其制备方法和应用-CN201910506328.3在审
发明人：晏南富;李韦伟;石劲松;赵朝委;崔红敏;游胜勇;柳跃伟 -专利权人：江西省科学院应用化学研究所
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚三[4‑(2‑噻吩基)苯基]胺/硫正极材料及其制备方法和应用，属于锂硫电池技术领域。所述聚三[4‑(2‑噻吩基)苯基]胺/硫正极材料，包括聚三[4‑(2‑噻吩基)苯基]胺/硫复合材料、导电剂、粘结剂和溶剂，所述聚三[4‑(2‑噻吩基)苯基]胺/硫复合材料为聚三[4‑(2‑噻吩基)苯基]本发明合成的聚三[4‑(2‑噻吩基)苯基]胺多孔聚合物相对于现有的多孔炭材料具有丰富的孔道结构、高孔隙率，丰富的孔道结构对硫具有物理限制作用，有效的改善了锂硫电池的循环寿命。
噻吩基苯基硫正极材料制备方法和应用硫复合材料孔道结构锂硫电池多孔聚合物多孔炭材料规模化生产反应条件高孔隙率试剂毒性物理限制循环寿命正极材料制备工艺单质硫导电剂粘结剂溶剂熔融锂硫合成安全

[发明专利]导电聚合物的磺化和OLED器件、光电器件以及ESD器件-CN200780034724.6有效
发明人：马修·马塔伊;达林·莱尔德;克里斯托弗·格雷科;布赖恩·伍德沃斯;文卡塔拉曼南·塞沙德里 -专利权人：普莱克斯托尼克斯公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：空穴注入或传输层用导电聚合物系统包括含有水溶性或水分散性立体规则性聚噻吩的组合物，所述立体规则性聚噻吩含有(i)至少一个有机取代基，和(ii)至少一个磺酸酯取代基，所述磺酸酯取代基含有的磺酸酯硫与聚噻吩骨架直接相连聚噻吩可以是水溶性、水分散性或吸水膨胀性。它们可以自掺杂。有机取代基可以是烷氧基取代基或是烷基取代基。可应用在OLED、PLED、SMOLED、PV和ESD中。
导电聚合物磺化 oled 器件光电以及 esd

[发明专利]一种聚3-己基噻吩-Bi₂WO₆复合光催化剂及制备方法-CN201510396574.X在审
发明人：张志洁;郑婷婷 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： B01J31/34 文献下载
摘要：本发明公开一种聚3-己基噻吩/Bi₂WO₆复合光催化剂及制备方法，所述聚3-己基噻吩/Bi₂WO₆复合光催化剂由纳米尺寸的片状Bi₂WO₆和纳米颗粒的聚3-己基噻吩组成，纳米颗粒聚3-己基噻吩分布在纳米尺寸的片状Bi₂WO₆上，两种物质的界面形成异质结结构，纳米颗粒的聚3-己基噻吩：纳米尺寸的片状Bi₂WO₆的质量百分比为0.1-10%：90-99.9%。其制备方法即将Bi₂WO₆粉体溶液和聚3-己基噻吩溶液混合进行反应后依次经过滤、洗涤、干燥，即得具有较高的光催化活性的聚3-己基噻吩/Bi₂
一种噻吩 bi sub wo 复合光催化剂制备方法

[发明专利]一种碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法-CN201610011912.8有效
发明人：田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管薄膜晶体管，包括衬底，设置于衬底上的栅极，设置于栅极表面的有机绝缘层，设置于所述有机绝缘层上的半导体层，设置于所述半导体层上的源极和漏极，所述半导体层为依次设置的聚3‑己基噻吩层和碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层，所述聚3‑己基噻吩层设置于绝缘层与碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层之间。本发明的碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层中的半导体性碳纳米管的含量较高，基本避免了含有金属性碳纳米管，保证了薄膜晶体管的电学性能。而且，所述碳纳米管聚3‑己基噻吩混合层与所述聚3‑己基噻吩层通过π‑π键连接，形成碳纳米管薄膜晶体管的半导体层立体通道，从而使制得的碳纳米管薄膜晶体管具有了较高的电学性能。
一种纳米薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]基于4-烷硫基噻吩/4-烷硒基噻吩的聚合物和制备方法及应用-CN202211510730.7在审
发明人：梁永晔;杨庭斌 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了基于4‑烷硫基噻吩/4‑烷硒基噻吩的聚合物和制备方法及应用，所述聚合物包括作为共轭侧链连接至给体‑受体聚合物的主链上的4‑烷硫基噻吩环和/或4‑烷硒基噻吩环；所述4‑烷硫基噻吩环和/或4‑烷硒基噻吩环连接在聚合物主链的给体单元上本发明将含有硫或者硒原子的4‑烷硫基噻吩(AST)或4‑烷硒基噻吩(ASeT)引入修饰BDT单元侧链，从而制备性能更强的非富勒烯多聚物太阳能电池。此外，本发明采用比卤素溶剂毒性更低的非卤素溶剂处理AST或ASeT多聚物材料，提供了制备高效、低成本、环境友好的非富勒烯多聚物太阳能电池的新途径。
基于烷硫基噻吩烷硒基聚合物制备方法应用

[发明专利]一种聚3-己基噻吩的制备方法-CN201811339657.5在审
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚3‑己基噻吩的制备方法，其中，包括步骤：提供2,5‑二溴‑3‑十二烷基噻吩；将2,5‑二溴‑3‑十二烷基噻吩溶于四氢呋喃，加入甲基溴化镁，预热后加入催化剂进行反应，反应后注入醇溶剂中，并加入己烷除去共聚物，再使用氯仿对混合液进行索式抽滤，取氯仿层进行蒸发浓缩，得到紫色膜状物；将紫色膜状物进行真空抽滤，得到产物聚3‑己基噻吩。本发明所提供的聚3‑己基噻吩的制备方法，其制备过程简单、设备要求低，且产物聚3‑己基噻吩的纯度达到99%。
己基噻吩聚3 -己基噻吩制备十二烷基膜状物紫色甲基溴化镁设备要求四氢呋喃真空抽滤制备过程醇溶剂共聚物混合液氯仿层再使用预热抽滤己烷氯仿索式催化剂

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