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[发明专利]双通道拓扑绝缘体结构、制备方法及产生量子自旋霍尔效应的方法-CN201810113605.X有效
发明人：何珂;姜高源;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明共公开了一种双通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜，所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加，所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。本发明还公开了一种双通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种产生量子自旋霍尔效应的方法。
双通道拓扑绝缘体结构制备方法产生量子自旋霍尔效应

[发明专利]多通道拓扑绝缘体结构、制备方法及电学器件-CN201810111325.5有效
发明人：何珂;姜高源;薛其坤 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底、多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘间隔层，所述多个拓扑绝缘体量子阱薄膜和多个绝缘体间隔层交替的叠加在所述绝缘基底表面，相邻的两个所述拓扑绝缘体量子阱薄膜之间通过一个所述绝缘间隔层间隔本发明还公开了一种多通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种电学器件。
通道拓扑绝缘体结构制备方法电学器件

[发明专利]拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法-CN201410803388.9有效
发明人：闫培光;阮双琛;曹广忠 -专利权人：深圳大学
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明涉及激光技术领域，尤其涉及一种拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法。该拓扑绝缘体可饱和吸收镜包括基底及镀在所述基底上的拓扑绝缘体薄膜。制备方法包括如下步骤将基底及拓扑绝缘体靶材置于真空室；将所述拓扑绝缘体靶材表面电离化，产生所述拓扑绝缘体的等离子体，所述等离子体沉积在所述基底上形成拓扑绝缘体薄膜；控制沉积时间及/或沉积温度使所述拓扑绝缘体薄膜达到所需厚度这种新型拓扑绝缘体可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高，适于批量生产，同时，利用这种拓扑绝缘体可饱和吸收镜的锁模光纤激光器具有高可靠性和适于成果转化的优点。
拓扑绝缘体饱和吸收及其制备方法

[发明专利]旋转电机定子-CN201010543505.4有效
发明人：妙摩欣弘 -专利权人：富士通将军股份有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02K1/16 文献下载
摘要：本发明提供旋转电机定子，让绕线机的绕线头不与绝缘薄膜摩擦，从而不会使绝缘薄膜的绝缘性能劣化，其具备：定子铁心，为筒状，具有槽及前端缘与前端缘之间的槽开口；绝缘薄膜，以紧贴所述槽的内壁的方式弯曲形成为筒状，具有薄膜开口，其周向两端部的门部向内侧弯曲，且大于或等于所述槽开口的开口宽度，而且，通过使薄膜轴向端部从所述定子铁心的轴向端部突出将其插入所述槽中；及绝缘体，为环状且安装于所述定子铁心的两个轴向端部，具有绝缘体槽、绝缘体缘与绝缘体缘之间的绝缘体开口，与所述定子铁心的槽、前端缘与前端缘之间的槽开口大致相同，并且，在所述绝缘体槽一侧设有卡止部，其插入所述绝缘薄膜的门部附近的薄膜轴向端部并将其卡止。
旋转电机定子

[发明专利]一种混合集成光电芯片衬底结构的制备方法及衬底结构-CN202110518985.7在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：方法包括：获取绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底；绝缘体上硅衬底包括支撑层和键合层，键合层包括硅薄膜层，硅薄膜层设置在支撑层上；绝缘体上铌酸锂薄膜衬底包括铌酸锂薄膜层；将铌酸锂薄膜层与键合层键合得到复合键合结构；去除复合键合结构中的支撑层，暴露出硅薄膜层得到混合集成光电芯片衬底结构。通过将绝缘体上硅衬底和绝缘体上铌酸锂薄膜衬底键合，得到性能优异的混合集成光电芯片衬底结构，从而能够实现性能更加优秀的光电芯片的制备。
一种混合集成光电芯片衬底结构制备方法

[发明专利]薄膜电阻器-CN202310222152.5在审
发明人：王川;薛振胜;Y·塞蒂亚万 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及薄膜电阻器和制造方法。一种结构包括：薄膜电阻器，其具有开口并且位于上绝缘体材料和下绝缘体材料之间；以及接触，其延伸穿过薄膜电阻器中的开口并进入下绝缘体材料。
薄膜电阻器

[发明专利]一种应用于极寒地区的全绝缘预制式高压电缆终端-CN202210248974.6在审
发明人：陈道华;马道平 -专利权人：江苏士林电气设备有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01R13/52 文献下载
摘要：本发明提出了一种应用于极寒地区的全绝缘预制式高压电缆终端，包括预制式导体和绝缘体，预制式导体形状为圆柱，预制式导体的顶部设有密封绝缘头，预制式导体的外侧设有绝缘体，绝缘体为一体式的绝缘体，绝缘体外侧层叠环形的设有伞裙，本发明通过密封绝缘头的底部的密封槽保证导体和绝缘体外壳之间的密封性和防水性，通过聚酰亚胺薄膜对导体进行和绝缘体进行一次绝缘并且聚酰亚胺薄膜可以在超低温的情况下不降低绝缘性能，绝缘体材料内添加的玻璃纤维提高绝缘体的强度的同时进一步提高绝缘体的低温绝缘性能
一种应用于地区绝缘预制高压电缆终端

[发明专利]2层挠性基板及其制造方法-CN201180013870.7有效
发明人：西村英一郎;浅川吉幸 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明提供2层挠性基板及其制造方法，所述2层挠性基板不会有因在绝缘体薄膜上利用干式镀敷处理形成基底金属层时所产生的针孔而造成的铜箔膜层与铜层缺损，基底金属层的缺损少，且绝缘体薄膜与基底金属层的密合性、耐蚀性本发明的2层挠性基板是在绝缘体薄膜的至少单面上，于未经由粘接剂的情况下，利用干式镀敷法形成基底金属层，在该基底金属层上利用干式镀敷法形成铜薄膜层及/或铜层的2层挠性基板，其中，上述绝缘体薄膜是经施行表面处理，经表面处理后的上述绝缘体薄膜的低聚物量，是表面处理前的绝缘体薄膜的低聚物量的70%以下。
层挠性基板及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管和制造其的方法-CN200510079538.7有效
发明人：具在本;徐旼彻;牟然坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机薄膜晶体管和制造其的方法。该有机薄膜晶体管具有衬底和位于衬底上的栅电极。栅极绝缘体具有位于栅电极上的包括无机栅极绝缘体和有机栅极绝缘体的叠层结构。有机半导体层位于栅极绝缘体上来与栅电极重叠。因此，形成具有柔性、减小的泄漏电流和低阈值电压的有机薄膜晶体管。
有机薄膜晶体管制造方法

[发明专利]利用金属绝缘体突变的温度传感器和具有该温度传感器的警报器-CN200680046618.5无效
发明人：金铉卓;姜光镛;李镕旭;蔡秉圭;金俸准;崔相国;尹善真 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： G08B17/06 文献下载
摘要：提供的是一种使用金属绝缘体转变器件的温度传感器和包括该温度传感器的警报器，该金属绝缘体转变器件在特定温度下经历金属绝缘体突变。该金属绝缘体突变器件包括金属绝缘体突变薄膜和接触该金属绝缘体突变薄膜的至少两个电极薄膜。该金属绝缘体突变器件在特定转变温度下产生金属绝缘体突变。该警报器包括具有金属绝缘体突变器件的温度传感器，以及串联连接到该温度传感器的警报信号发生器。因此，通过包括使用金属绝缘体突变器件的该温度传感器，该警报器能制造得具有简单电路且是小尺寸的。
利用金属绝缘体突变温度传感器具有警报器

[发明专利]薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法-CN202111287229.4在审
发明人：竹知和重 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法。多晶硅层包括多晶硅薄膜晶体管的多晶硅部。第一导体层包括多晶硅薄膜晶体管的第一栅极电极部。第一绝缘体层包括位于第一栅极电极部和多晶硅部之间的第一绝缘体部。氧化物半导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体部。第二导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极电极部。第二绝缘体层包括位于第二栅极电极部与氧化物半导体部之间的第二绝缘体部。第二绝缘体层具有不小于8的相对介电常数。第二绝缘体层的整个区域被第二导体层覆盖。
薄膜晶体管电路制造方法

[发明专利]拓扑绝缘体/石墨烯复合柔性透明导电薄膜及其制备方法与应用-CN201510309560.X有效
发明人：彭海琳;郭芸帆;刘忠范 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-06-08 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种拓扑绝缘体/石墨烯复合柔性透明导电薄膜及其制备方法与应用。该拓扑绝缘体/石墨烯复合薄膜，是由拓扑绝缘体构成的纳米片和石墨烯薄膜以范德华力结合而成。其制备方法包括以惰性气体作为载气，将拓扑绝缘体置于气体流向的上游，石墨烯薄膜置于气体流向的下游，进行化学气相沉积，沉积完毕而得。本发明利用拓扑绝缘体特有的金属表面态能够提供稳定的导电通道，“缝合”石墨烯的畴区晶界，改善由晶界处电子散射造成的导电性的降低，得到了一种拓扑绝缘体/石墨烯复合薄膜。该薄膜具有宽波长范围内的高透光性，高导电性，出色的化学稳定性和机械性能，可用于光电子和纳电子学等领域。
拓扑绝缘体石墨复合柔性透明导电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]有机绝缘体组合物、有机绝缘膜、有机薄膜晶体管和电子设备以及形成这些产品的方法-CN200610063978.8无效
发明人：慎重汉;李恩庆;郑银贞;金周永;文炫植;李相润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： C08L83/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机绝缘体组合物，具有此有机绝缘体组合物的有机绝缘膜，具有此有机绝缘膜的有机薄膜晶体管，具有此有机薄膜晶体管的电子设备，以及形成这些产品的方法。本发明还涉及包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，该化合物可以用于改进有机薄膜晶体管的载流子迁移率和滞后现象。提供包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，以及使用该组合物的有机薄膜晶体管。使用此有机绝缘体组合物可以改进此有机薄膜晶体管的滞后和物理特性，例如阈值电压和/或载流子迁移率。此有机薄膜晶体管可有效用于包括液晶显示器(LCD)和/或光电设备在内的各种电子设备的制造。
有机绝缘体组合绝缘薄膜晶体管电子设备以及形成这些产品方法

[发明专利]薄膜声波传感器及其制作方法-CN201710508683.5有效
发明人：李传宇;周连群;郭振;张威;姚佳;张芷齐;周颂 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所;苏州国科芯感医疗科技有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种薄膜声波传感器及其制作方法，其中方法包括：在绝缘体上硅的顶层硅沉积制作电路图形；在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形；对绝缘体上硅的背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀；将绝缘体上硅的氧化层中腐蚀槽图形投影的氧化层去除由于采用绝缘体上硅制作薄膜声波传感器，在顶层硅面沉积制作电路图形，在绝缘体上硅的背衬底的外表面上制作腐蚀槽图形，而后对背衬底中腐蚀槽图形投影的区域进行刻蚀，在刻蚀腐蚀槽时由于绝缘的氧化层有阻挡作用，从而能够减少在刻蚀腐蚀槽时对顶层硅的损坏，使得顶层硅的厚度可控，继而保证薄膜处硅基衬底厚度的一致性，由此提高了薄膜声波传感器的灵敏度。
薄膜声波传感器及其制作方法

[发明专利]薄膜电子零件-CN201510500385.2在审
发明人：森户健太郎;石井大基 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种耐冲击性及耐湿性优异的薄膜电子零件。本发明的薄膜电子零件是薄膜电容器(100)，具备：第一电极层(200)及第二电极层(220)；阻障层(300)，形成在电极层(200、220)上且包含无机绝缘体；以及绝缘体层(400)，形成在阻障层(300)上且包含有机绝缘体；所述薄膜电容器(100)的特征在于：绝缘体层(400)中的与引出电极(510、520)形成用贯通孔(411、12)的交界线为包含一个以上的直线部的连续线。
薄膜电子零件

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