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[实用新型]一种带台阶槽及埋入式线路的基板-CN202222028481.X有效
发明人：谷新 -专利权人：中山芯承半导体有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带台阶槽及埋入式线路的基板，包括第一绝缘介质层，第一绝缘介质层的上表面设有第一线路层，第一绝缘介质层上表面压合有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层上表面设有埋入第二绝缘介质层的第二线路层，第一绝缘介质层下表面压合有第三绝缘介质层，第三绝缘介质层下表面设有第三线路层，基板上设有贯穿第一绝缘介质层和第三绝缘介质层用于导通第一线路层与第三线路层的第一填铜盲孔，基板上还设有贯穿第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第三绝缘介质层用于导通第二线路层与第三线路层的第二填铜盲孔，基板还包贯穿第一绝缘介质层和第二绝缘介质层开口朝上用于供外部元器件封装在其中的台阶槽。
一种台阶埋入线路

[发明专利]形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层-CN202310100295.9在审
发明人：张琪;祁玉发;许捷;吴贤勇;刘峰松;高玉岐 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层。所述方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成一硼磷硅玻璃层；对所述硼磷硅玻璃层进行疏水处理；在所述硼磷硅玻璃层表面形成第二介质层，从而形成包括所述第一介质层、硼磷硅玻璃层、以及第二介质层的绝缘介质层。本申请在形成硼磷硅玻璃层后进行了疏水处理，解决形成第二介质层后析出硼、磷产生鼓泡的问题，改善后续钨栓形貌异常的缺陷。
形成绝缘介质方法以及

[发明专利]一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法-CN202010211838.0有效
发明人：胡强;金涛;秦潇峰;王思亮;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法，包括衬底，衬底上设置有体区，体区上设置有第二导电层，第二导电层中设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层下方设置有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层呈U形，第二绝缘介质层的内侧设置有第三绝缘介质层，第三绝缘介质层呈U形，第三绝缘介质层的内侧设置有第四绝缘介质层，第二绝缘介质层内部的第三绝缘介质层上方设置有第一导电层，第二绝缘介质层穿过体区并位于衬底内，第一导电层的深度不小于体区的深度。本申请的沟槽内部第一导电层底部与沟槽底部之间还填充又第三绝缘介质层，且第三绝缘介质层的纵向厚度可根据设计调整。沟槽内部栅电极的深度与沟槽深度可以不一样。
一种深沟绝缘栅极器件及其制备方法

[实用新型]小型陶瓷天线-CN202121846074.9有效
发明人：罗昌桅;卢冠宇;谭金刚;王莉莉;刘楠 -专利权人：嘉兴佳利电子有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及小型陶瓷天线，包括绝缘叠层体，绝缘叠层体的两端分别设有第一外电极和第二外电极，绝缘叠层体由多层绝缘介质层叠层形成，且由上至下依次为两层附着上部金属线路的绝缘介质层A，两层附着下部金属线路的绝缘介质层B，两层绝缘介质层A、两层绝缘介质层B以及绝缘介质层A与绝缘介质层B之间均设有带有金属过孔柱的绝缘介质层C，上部金属线路、下部金属线路均通过金属过孔柱连通，上方的绝缘介质层A的上部还设有顶部绝缘层，且上方的绝缘介质层A上的上部金属线与顶部绝缘层上的第一外电极和第二外电极连接，绝缘介质层C的底部设有底部绝缘层。
小型陶瓷天线

[实用新型]一种具有叠层结构的覆铜板-CN201921150843.4有效
发明人：李志鸿;周佩君;沈芳芳;罗支良 -专利权人：惠州合正电子科技有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有叠层结构的覆铜板，包括第一铜箔层、第二铜箔层以及设置在第一铜箔层和第二铜箔层之间的至少三个绝缘介质层，与第一铜箔层和第二铜箔层相邻的两个绝缘介质层为无填料绝缘介质层，位于两个无填料绝缘介质层之间的绝缘介质层为填料绝缘介质层，所述填料绝缘介质层的厚度大于无填料绝缘介质层的厚度，所述无填料绝缘介质层在与第一铜箔层、第二铜箔层之间分别设有自愈合涂层。该覆铜板在与第一铜箔层和第二铜箔层相邻的两个绝缘介质层内不添加填料，提高覆铜板表面结构的韧性，避免孔边发白现象的的发生。
一种具有结构铜板

[实用新型]具有复合绝缘层结构的高可靠性金属基覆铜板-CN201720322286.4有效
发明人：江东红;曹克铎;张守金 -专利权人：厦门迈拓宝电子有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有复合绝缘层结构的高可靠性金属基覆铜板，包含金属基板层、铜箔层，第一导热绝缘介质层和第二导热绝缘介质层，所述第一导热绝缘介质层内均匀分布有大粒径金属导热填料颗粒，所述第二导热绝缘介质层内部均匀分布有高热导率的小粒径无机导热填料颗粒，所述第一导热绝缘介质层的厚度小于第二导热绝缘介质层的厚度，在增加导热绝缘介质层总厚度提高产品击穿电压稳定性和绝缘可靠性同时，通过第一导热绝缘介质层和第二导热绝缘介质层内设置不同的导热填料颗粒，使得导热绝缘介质层总体的热阻不会增大
具有复合绝缘结构可靠性金属铜板

[实用新型]一种高压电缆局部放电耦合器-CN202121450360.3有效
发明人：吴立勇;吴文琦;先真;刘栋;牛森;刁新丽;刘鑫垚;吴立恒;陈曦 -专利权人：国网河南省电力公司镇平县供电公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种高压电缆局部放电耦合器，包括第一电极板、绝缘介质层、第二电极板、绝缘层和屏蔽层；所述第一电极板、绝缘介质层、第二电极板、绝缘层和屏蔽层均是可弯折材质；所述绝缘介质层设在所述第一电极板和所述第二电极板之间，且所述绝缘介质层包裹所述第一电极板的周围端面；所述绝缘层与所述绝缘介质层包裹所述第二电极板；所述屏蔽层与所述绝缘介质层包裹所述绝缘层；所述第二电极板通过同轴电缆与信号处理装置连接；所述屏蔽层上设有地线接口
一种高压电缆局部放电耦合器

[发明专利]一种自对准沟槽栅结构IGBT-CN202310353311.5在审
发明人：胡强;唐茂森;马克强;王思亮;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准沟槽栅结构IGBT，至少包括衬底(100)，所述衬底正面上方设置有第二导电类型层a(101)，所述衬底上部设置有至少一根沟槽，所述沟槽同时贯穿对应位置处的第二导电类型层a(101)，所述沟槽内设置有第一绝缘介质层(302)，所述第一绝缘介质层(302)内设置有第一导电层(201)，所述第一绝缘介质层(302)顶部设置有宽度大于第一绝缘介质层(302)的第二绝缘介质层(303)，所述第二绝缘介质层(303)被刻蚀形成侧墙，所述第二绝缘介质层(303)在工艺过程成中起到掩膜的作用。本发明通过第一绝缘介质层、第二绝缘介质层和第三绝缘介质层的材料属性和功能属性不同的特点，无需光刻制备出高密度的元胞结构，突破光刻限制。
一种对准沟槽结构 igbt

[发明专利]一种可用于机翼减阻的等离子体吸气装置-CN202010449474.X有效
发明人：郑博睿;翟阳;付钰伟;赵太飞;杨玉峰;武斌;张雯;葛畅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B64C3/36 文献下载
摘要：本发明公开的一种可用于机翼减阻的等离子体吸气装置，包括有绝缘壳体，绝缘壳体内部中心处设置有贯通的漏斗状空腔，绝缘壳体内漏斗状空腔的广口端设置有圆环状的第一绝缘介质层，第一绝缘介质层的中心处设置有圆盘状的第二绝缘介质层，第二绝缘介质层与第一绝缘介质层之间有环状空隙，环状空隙形成吸气孔，第一绝缘介质层通过若干个连接支杆与第二绝缘介质层连接；绝缘壳体内漏斗状空腔的窄口端设置有单向排气阀；第一绝缘介质层的下表面辐射有下电极，第二绝缘介质层内部埋设有上电极；上电极接地，下电极连接负直流脉冲高电压。
一种用于机翼等离子体吸气装置

[发明专利]一种线路板制备方法以及线路板-CN202111175083.4在审
发明人：唐昌胜 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种线路板制备方法以及线路板，该制备方法包括：获取到待处理板材，待处理板材包括层叠设置的第一绝缘介质层与第二绝缘介质层；对第一绝缘介质层上的第一预设位置进行表面处理，以去除第一预设位置的第一绝缘介质层；对第一绝缘介质层进行整板电镀，以在第一预设位置形成第一导电线路；在第一绝缘介质层以及第一导电线路上形成第三绝缘介质层；对第三绝缘介质层上的第二预设位置进行表面处理，以去除第二预设位置的第三绝缘介质层；对第三绝缘介质层进行整板电镀，以在第二预设位置形成第二导电线路。本申请通过将导电线路设置在绝缘介质层内部，极大降低了导电线路受外力时出现线路浮离或拉脱的可能。
一种线路板制备方法以及

[发明专利]一种半导体器件制备方法以及半导体器件-CN202011050946.0有效
发明人：郑存闵;庄连碟;李岭;陈云;林吕勇;蔡东益;黄靖杰;郭明峰 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制备方法以及半导体器件，通过在衬底上形成导电堆叠层，在第一温度下沉积覆盖导电堆叠层的第一绝缘介质层，先图形化衬底外围电路区的第一绝缘介质层和导电堆叠层，以形成栅极结构，并对第一绝缘介质层、导电堆叠层、栅极结构和衬底进行热处理；再以大于第一温度的第二温度沉积第二绝缘介质层，第二绝缘介质层至少覆盖位于单元阵列区的第一绝缘介质层，对单元阵列区的第一绝缘介质层和第二绝缘介质层图形化，以图形化后的第一绝缘介质层和第二绝缘介质层作为掩模，刻蚀导电堆叠层，以在单元阵列区形成位线结构。
一种半导体器件制备方法以及

[发明专利]一种场致发射显示器下基板结构的制作方法-CN200910022832.2无效
发明人：赵莉 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：先在下基板上制得栅极电极层，再在栅极电极层上印刷整面水溶性绝缘介质层，再在烧结后的水溶性绝缘介质层上印刷整面感光性绝缘介质层，然后在感光性绝缘介质层上印刷整面阴极电极层，再利用菲林图形模型做掩膜，通过光刻法对整面阴极电极层和整面感光性绝缘介质层进行一次性曝光显影，使整面阴极电极层和整面感光性绝缘介质层同时形成图形，利用光刻后阴极电极层作为掩膜，对整面水溶性绝缘介质层进行湿法刻蚀，使水溶性绝缘介质层形成与阴极电极层相同图形。本发明有双绝缘介质层，避免了单一介质层无法有效隔离栅极电极层和阴极电极层的困难。
一种发射显示器板结制作方法

[发明专利]一种分级式电压互感器-CN201510886208.2有效
发明人：田志国;卢树峰;杨世海;徐敏锐;陈铭明;赵双双;陈刚;李志新;袁亮 -专利权人：国家电网公司;江苏省电力公司电力科学研究院;许继集团有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种分级式电压互感器，包括同轴线设置的内绝缘介质层和外绝缘介质层，内绝缘介质层的内表面贴设有第一金属层，内绝缘介质层的外表面贴设有第二金属层，外绝缘介质层的内表面贴设有位于第二金属层外侧的第三金属层，外绝缘介质层的外表面贴设有第四金属层，第二金属层包括至少一个内侧低压电极，第三金属层包括与内侧低压电极个数一一对应的外侧低压电极，内侧低压电极与对应外侧低压电极短接。本发明解决了现有技术中金属层、绝缘介质层、金属层、绝缘介质层、金属层这种连续设置结构对加工工艺要求较高的问题。
一种分级电压互感器

[发明专利]分级式电流电压组合互感器-CN201510886206.3有效
发明人：田志国;卢树峰;杨世海;徐敏锐;陈铭明;赵双双;陈刚;李志新;袁亮 -专利权人：国家电网公司;江苏省电力公司电力科学研究院;许继集团有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01F38/36 文献下载
摘要：本发明涉及分级式电流电压组合互感器，包括同轴线设置的内绝缘介质层和外绝缘介质层，内绝缘介质层的内表面贴设有第一金属层，内绝缘介质层的外表面贴设有第二金属层，外绝缘介质层的内表面贴设有位于第二金属层外侧的第三金属层，外绝缘介质层的外表面贴设有第四金属层，第二金属层包括至少一个内侧低压电极，第三金属层包括与内侧低压电极个数一一对应的外侧低压电极，内侧低压电极与对应外侧低压电极短接。本发明解决了现有技术中金属层、绝缘介质层、金属层、绝缘介质层、金属层这种连续设置结构对加工工艺要求较高的问题。
分级电流电压组合互感器

[发明专利]化学机械研磨绝缘介质层的方法-CN200910206104.7无效
发明人：李文明 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种化学机械研磨绝缘介质层的方法，包括：提供包括凹槽的膜层；在膜层上形成绝缘介质层，且将绝缘介质层填充满凹槽；用化学机械研磨法研磨绝缘介质层至绝缘介质层平整，所述化学机械研磨法采用的研磨液为二氧化铈。本发明降低了制造成本；并且使研磨后绝缘介质层均匀性提高；制造工艺更容易控制，不容易出现过磨现象。
化学机械研磨绝缘介质方法

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