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[发明专利]一种带DNW的PNP双极结型晶体管的建模方法-CN201010271226.7无效
发明人：朱正鹏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种带DNW的PNP-BJT的建模方法，所述带DNW的PNP-BJT包括一横向PNP-BJT(210)和一纵向PNP-BJT(220)，所述横向PNP-BJT(210)、所述纵向PNP-BJT(220)共用发射极E和集电极B，所述建模方法包括：步骤一、分别建立所述横向PNP-BJT(210)的模型和所述纵向PNP-BJT(220)的模型；步骤二、建立宏模型。所述建模方法还可以按如下步骤进行：步骤A、将所述横向PNP-BJT(210)和所述纵向PNP-BJT(220)的C极对应相连后测量数据；步骤B、建立初始模型；步骤C、提取模型参数并建立模型。
一种 dnw pnp 双极结型晶体管建模方法

[发明专利]低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱-CN201811542508.9在审
发明人：许剑;刘桂芝 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱，包括衬底和分别设置在衬底上的纵向隔离阱区及第一隐埋层，第一隐埋层环绕纵向隔离阱区设置，纵向隔离阱区上设置有第一阱区和横向隔离阱区，横向隔离阱区环绕第一阱区设置，第二阱区设置在第一隐埋层上且环绕横向隔离阱区设置，第一阱区、横向隔离阱区和第二阱区共同构成两个横向的PNP结构，第一阱区、纵向隔离阱区和衬底共同构成两个纵向的PNP结构，当第一阱区遇到高电压时，由于横向隔离阱区的同电位设置，两个横向PNP和两个纵向PNP均无法放大偏置，有效削弱了横向和纵向两个方向的泄漏电流。
阱区横向隔离纵向隔离隐埋层衬底高可靠性环绕低功耗隔离阱夹层反向漏电泄漏电流横向PNP 纵向PNP 高电压隔离性同电位偏置放大削弱

[发明专利]光半导体集成电路装置及其制造方法-CN03101924.2无效
发明人：高桥强;大古田敏幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-01-23 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：在具有纵向PNP晶体管和光电二极管的现有的光半导体集成电路装置中，因为同一衬底上形成特性不同的两个元件，所以很难同时提高两者的特性。在本发明的具有纵向PNP晶体管(21)和光电二极管(22)的光半导体集成电路装置中，通过非掺杂层叠了第一和第二外延层(24)、(25)。而在纵向PNP(21)晶体管中，用N+型的扩散区域(38)包围了晶体管(21)的形成区域。因此，能大幅度提高纵向PNP晶体管(21)的耐压性。
半导体集成电路装置及其制造方法

[实用新型]低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱-CN201822115672.3有效
发明人：许剑;刘桂芝 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低功耗高可靠性的双向夹层隔离阱，包括衬底和分别设置在衬底上的纵向隔离阱区及第一隐埋层，第一隐埋层环绕纵向隔离阱区设置，纵向隔离阱区上设置有第一阱区和横向隔离阱区，横向隔离阱区环绕第一阱区设置，第二阱区设置在第一隐埋层上且环绕横向隔离阱区设置，第一阱区、横向隔离阱区和第二阱区共同构成两个横向的PNP结构，第一阱区、纵向隔离阱区和衬底共同构成两个纵向的PNP结构，当第一阱区遇到高电压时，由于横向隔离阱区的同电位设置，两个横向PNP和两个纵向PNP均无法放大偏置，有效削弱了横向和纵向两个方向的泄漏电流。
阱区横向隔离纵向隔离隐埋层衬底高可靠性环绕低功耗隔离阱夹层本实用新型反向漏电泄漏电流横向PNP 纵向PNP 高电压隔离性同电位偏置放大削弱

[发明专利]一种补偿带隙基准电压分流的稳压电路-CN202010493817.2有效
发明人：于圣武;张洪俞;李宇 -专利权人：南京微盟电子有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种补偿带隙基准电压分流的稳压电路，包括横向PNP三极管PNP1、PNP2、PNP3、PNP4、PNP5、PNP6、PNP7、PNP8、PNP9，纵向三极管NPN1、NPN2、NPN3、NPN4、NPN5、NPN6，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9，电容C1，偏置电流源I1；利用PNP8集电极电流与NPN5的集电极电流之差等于NPN3基极电流与NPN4的基极电流之和，基准电压VREF
一种补偿基准电压分流稳压电路

[发明专利]纵向PNP型三极管及其制造方法-CN201110431875.3有效
发明人：胡君;段文婷;刘冬华;钱文生;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向PNP型三极管，包括有位于p型硅衬底中的隔离结构，两个隔离结构之间为n型基区；在硅衬底中还具有n型深阱及其上方的p型深阱，两者相接触；在隔离结构的底部具有相互独立的p型赝埋层和n型赝埋层本发明还公开了所述纵向PNP型三极管单独制造的方法，以及与锗硅HBT一起制造的方法。本发明所述的纵向PNP型三极管，可用作锗硅HBT高频电路中的输出器件。
纵向 pnp 三极管及其制造方法

[发明专利]一种半导体集成电路的制造方法及其产品-CN03116713.6无效
发明人：陈康民;姚晓燕;诸闻闻 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2003-04-30 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/8222 文献下载
摘要：其特点是包括以下步骤：一、准备适当的原始硅片；二、在原始硅片上形成第一次埋层、第二次埋层以及下隔离区域；三、在硅片表面生长一层外延层；四、通过光刻构图、离子注入和热推进等手段在外延层上的部分区域上形成纵向NPN和纵向PNP晶体管的基区、发射区及集电区；五、在上述所形成的结构上完成第一金属布线和第二层金属布线，以及钝化和合金。由此本发明由于采用纵向结构的PNP晶体管，因此PNP管的基区有效宽度Wb不受光刻精度影响；同时由于基区采用离子注入加推进的方法形成，掺杂浓度远高于原有的外延浓度，使β线性度好；另外由于本发明半导体集成电路是体器件
一种半导体集成电路制造方法及其产品

[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件及制作方法-CN201110282834.2有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，整个器件形成于深N阱中，集电区是由低掺杂的第一P型离子注入区和重掺杂的第二P型离子注入区组成的二维L形结构，通过形成于浅槽场氧底部的P型赝埋层引出。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件的制作方法。本发明方法能够和锗硅BiCMOS工艺中的锗硅异质结双极型晶体管的制作工艺兼容，从而能够实现纵向PNP器件和锗硅异质结双极型晶体管的集成。
锗硅 bicmos 工艺纵向 pnp 器件制作方法

[发明专利]双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法-CN201410284802.X有效
发明人：王艳春 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提出了一种双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法，本发明通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者PNP结构，并通过由导通层、埋层和第一有源区形成的电流通道，使得本发明的双向瞬态电压抑制二极管无论是施加正向电压还是反向电压，都能保证正反向抑制电压对称，而且整体器件结构为纵向结构，保证了其过电流能力
双向瞬态电压抑制二极管及其制造方法

[发明专利]一种新型纵向埋栅结构的可控硅类TVS及其制备方法-CN202310756702.1在审
发明人：杨帆;姜一波;吴瑕 -专利权人：江苏庆延微电子有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型纵向埋栅结构的可控硅类TVS及其制备方法。本发明通过新颖的结构设计和独特的工作原理，利用电荷充放模块在泻放阶段提高可控硅中PNP晶体管基区空穴浓度，显著降低空穴注入效率，抑制PNP晶体管进入深度饱和的效果，从而有效提高纵向可控硅类TVS的维持电压；利用低电压触发模块使得本发明能在低电压下灵活调节纵向可控硅类TVS的触发电压，有效克服传统的纵向静电浪涌防护TVS开启电压过高的问题。
一种新型纵向结构可控硅 tvs 及其制备方法

[实用新型]双向瞬态电压抑制二极管-CN201420338708.3有效
发明人：王艳春 -专利权人：宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种双向瞬态电压抑制二极管，本实用新型通过在二极管内设置同时形成的且具有相同导电类型、掺杂浓度和形状的第二有源区和第三有源区，将传统的双向瞬态电压抑制二极管的纵向NPN或PNP结构转化为横向NPN或者PNP结构，并通过由导通层、埋层和第一有源区形成的电流通道，使得本实用新型的双向瞬态电压抑制二极管无论是施加正向电压还是反向电压，都能保证正反向抑制电压对称，而且整体器件结构为纵向结构，保证了其过电流能力
双向瞬态电压抑制二极管

[发明专利]静电放电保护装置及电路-CN202010766403.2在审
发明人：林文新;黄晔仁;邱俊榕;李建兴 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护装置及电路，其中该静电放电保护装置，包括一衬底、一第一PNP元件、一第二PNP元件以及一隔离区。衬底具有一P型导电性。第一PNP元件及第二PNP元件形成于衬底之中。隔离区分隔第一PNP元件及第二PNP元件。本发明中NPN元件的存在，当PNP元件导通时，PNP元件具有较高的维持电压，并最佳化PNP元件的导通阻抗。此外，PNP元件可承受更高的静电放电电流。
静电放电保护装置电路

[发明专利]一种自由集电极纵向PNP管及其制备方法-CN201610715458.4在审
发明人：姜楠;简崇玺;赵建强;陈计学;赵娟 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N‑阱，N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N‑阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N‑外延层，N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区埋层的顶部相接；N‑外延层中心还设有N‑基区，N‑基区上设有N+基区，N‑基区中心设有P+发射区；发射极与N‑阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N‑阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。
一种自由集电极纵向 pnp 及其制备方法

[发明专利]电池充电电路-CN201911092789.7在审
发明人：周宇坤 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：电池充电电路包括第一PNP管、第一电阻、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管、第五PNP管、第六PNP管、第二电阻、第三电阻、第一NPN管、第四电阻、第二NPN管、第五电阻、第三NPN管、第七PNP管、第八PNP管、第六电阻和电池。
电阻电池充电电路电池充电电流充电电流电源电压高电源抑制比电池

[实用新型]NPN/PNP开关量信号转换装置-CN201320681851.8有效
发明人：蒋辉;褚凌越;吴文静;杨良;田博 -专利权人：秦皇岛博硕光电设备股份有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型针对现有技术中PLC输入信号与外界提供信号兼容性差的不足，提供一种NPN/PNP开关量信号转换装置，它由信号输入模块、信号调理模块以及信号输出模块连接组成，该信号输入模块能将输入的不同电平的NPN/PNP电压输入信号转换为NPN/PNP电流信号，该信号调理模块能将接收到的NPN/PNP电流信号转换成NPN/PNP转PNP/NPN电流信号，信号输出模块能将接收到的NPN/PNP转PNP/NPN电流信号转换成PNP/NPN电压输出信号，接入本NPN/PNP开关量信号转换装置后，无论为PLC提供的信号是NPN输入信号还是PNP输入信号，都能与PLC的输入信号类型兼容，方便操作，降低了误操作，提高了PLC的可靠性
npn pnp 开关信号转换装置

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