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[实用新型]基于镍/碳纳米管复合阵列的正极极片-CN201520832979.9有效
发明人：马伟斌;张权 -专利权人：惠州集越纳米材料技术有限责任公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于镍/碳纳米管复合阵列的正极极片，包括硫、导电聚合物、碳纳米管-镍阵列、金属片阵列、导电基体，所述金属片阵列安装在导电基体上，碳纳米管-镍阵列沉积于金属片阵列上，硫负载于所述金属片阵列、碳纳米管-镍阵列的外壁及孔内壁中，导电聚合物包覆于金属片阵列及碳纳米管-镍阵列外壁上，碳纳米管-镍阵列的截面呈“U”型，并在碳纳米管-镍阵列上均匀开设有多个散热孔A，金属片阵列上均匀开设有多个散热孔B本实用新型在原有的正极片的碳纳米管-镍阵列上均匀开设有多个散热孔A，在金属片阵列上均匀开设有多个散热孔B，在导电基体上开设有多个散热槽，能够提高正极片的散热效果，增强其使用寿命。
基于纳米复合阵列正极

[发明专利]改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法-CN201910242117.3在审
发明人：刘志锋;宋庆功;康建海;严慧羽;韩建华 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法。其包括配制ZnO纳米片反应溶液，将清洗干净的ITO玻璃在配置好的ZnO纳米片反应溶液中水热处理，得到ZnO纳米片阵列膜；将制备好的ZnO纳米片阵列膜放入硫代乙酰胺溶液中水热处理，得到ZnO/ZnS纳米片阵列膜；将制备好的ZnO/ZnS纳米片阵列膜用硬脂酸的乙醇溶液进行化学处理，并放入烘箱中烘干，最终得到ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜。该ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜具有较强的清洁性能，对水的接触角达到150°，操作工艺简单，成本低。
纳米片阵列自清洁疏水制备热处理反应溶液纳米片放入改性硫代乙酰胺溶液烘箱操作工艺化学处理清洁性能乙醇溶液接触角硬脂酸烘干配制清洗配置

[发明专利]纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料及其制备方法-CN201811146610.7有效
发明人：刘元锋;侯泽成;陈璐;朱琳;李文珍 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：一种纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料，由一纳米多孔铜基底及一氧化铜纳米片阵列组成。所述纳米多孔铜基底与所述氧化铜纳米片阵列化学结合在一起，且所述氧化铜纳米片阵列设置在所述纳米多孔铜基底的一个表面。另外，本发明还涉及一种纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料的制备方法。
纳米多孔负载氧化铜阵列复合材料及其制备方法

[发明专利]一种由水滑石拓扑转化合成超薄金属合金纳米片阵列材料的制备方法-CN201710038187.8有效
发明人：孙晓明;邝允;李鹏松 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：一种由水滑石拓扑转化合成超薄金属合金纳米片阵列材料的制备方法，属于无机先进纳米材料技术领域。在的泡沫导电基底的表面制备垂直的水滑石纳米片阵列；用氢氧化钠的乙二醇溶液来还原水滑石纳米片阵列，制备金属合金纳米片阵列。其中所述的合金纳米片的尺寸为：厚度1.5‑4纳米，大小为100‑800纳米。上述水滑石纳米片阵列可以通过水热法制备，合金纳米片阵列是通过控制动力学反应步骤经过温和的均相还原水滑石纳米阵列制备的。上述制备的合金纳米片阵列比表面积高，稳定性好，活性高且廉价，可以用作包括而不仅限于电解水析氢阴极催化材料和电解水析氧的阳极催化材料。
一种滑石拓扑转化合成超薄金属合金纳米阵列材料制备方法

[发明专利]基于直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法-CN202110112005.3在审
发明人：陈志勇;陈明;杨春雷;童佩斐;李国啸 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：制备方法包括：在基底上制作形成第一电极层；在所述第一电极层上制作形成纳米片阵列，所述纳米片阵列由直立式二维半导体材料形成，所述纳米片与纳米片之间具有一定的间隙，在所述纳米片阵列上进行匀胶，以在所述纳米片阵列的间隙中形成绝缘胶层，且所述绝缘胶层设置于所述间隙暴露的第一电极层上；在所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上制作形成第二电极层。制作形成直立式的纳米片阵列，3D直立式纳米片阵列具有较好的陷光效应，极大提高探测器的外量子效率及光响应度，在纳米片阵列的间隙中设置绝缘胶层，避免上下两电极层通过间隙直接发生导通，从而保证光电探测器的稳定性与可行性
基于立式二维薄膜材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯衬底上ZnO分级纳米阵列及其制备方法及应用-CN201510245224.3有效
发明人：杨慧;李岚 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯衬底上ZnO分级纳米阵列及其制备方法及应用，包括石墨烯纳米片衬底以及石墨烯纳米片衬底上的分级ZnO纳米阵列。所述石墨烯纳米片衬底上的分级ZnO纳米阵列为石墨烯纳米片衬底上无催化CVD生长的分级ZnO纳米阵列。本发明还公开了上述分级ZnO纳米阵列的制备方法及应用。与现有技术相比，本发明具有无需沉积金属催化剂和沉积其他形核层的优点，且制备的ZnO纳米阵列可以转移至至柔性衬底以及高导热衬底上，有利于制备高效、柔性、高性能ZnO基器件。
一种石墨衬底 zno 分级纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料、制备方法及应用-CN201610822600.5有效
发明人：严微微 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料，由纳米碳膜、钼酸钴网状纳米片和泡沫镍组成，钼酸钴纳米片相互交叉竖立生长在泡沫镍上，形成钼酸钴网状纳米片阵列；纳米碳膜包覆于钼酸钴纳米片阵列的表面；本发明还公开了碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料的制备方法，本发明制备的碳包覆的钼酸钴网状纳米片阵列材料可以作为超级电容器的电极材料，能够显著提高超级电容器的比电容和循环性能，本发明方法简单、时间短、绿色环保、成本低廉，适合工业化大规模量产。
碳包覆钼酸网状纳米阵列材料制备方法应用

[发明专利]一种铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列及其制备方法和应用-CN202310415666.2在审
发明人：余颖;黄楚强;邱明强 -专利权人：华中师范大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列及其制备方法，涉及海水氧化催化剂技术领域，该硫化镍纳米片阵列为生长在泡沫镍基底上且由30~80 nm的纳米颗粒组装而成的粗糙纳米片阵列。该制备方法的具体步骤是：利用水热法制备得到氢氧化镍纳米片阵列作为自模板，将氢氧化镍纳米片阵列置于含有硫脲、Fe3+和MoO42‑的溶液中进行水热反应得到铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列。本发明开发独特的两步水热法，利用氢氧化镍纳米片作为自模板，将其转变为硫化镍的同时引入铁和钼原子，形成铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列，方法简单且高效，并且铁和钼共同修饰的硫化镍纳米片阵列作为碱性水和海水氧化电极
一种共同修饰硫化纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2-CN202111256229.8在审
发明人：徐光青;杨振宇;段良松;吕珺;汪冬梅;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种BiOCl纳米片修饰N掺杂TiO2纳米管阵列的制备方法，主要包括以下步骤：TiO2纳米管阵列的制备、N掺杂TiO2纳米管阵列的制备、N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片。具体为通过湿化浸渍法制备N掺杂TiO2纳米管阵列，然后通过光沉积辅助法在N掺杂TiO2纳米管阵列表面负载BiOCl纳米片本发明通过采用光沉积辅助法，在N掺杂TiO2纳米管阵列基体表面成功负载了BiOCl纳米片，提高了样品对有机物的响应性能。
一种 biocl 纳米修饰掺杂 tio base sub

[发明专利]一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用-CN201510246558.2有效
发明人：杨慧;李岚 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用，包括石墨烯纳米片衬底以及石墨烯纳米片衬底上无催化生长的分级GaN纳米阵列。所述石墨烯纳米片衬底上的分级GaN纳米阵列为石墨烯纳米片衬底上无催化CVD生长的分级GaN纳米阵列。本发明还公开了上述分级GaN纳米阵列的制备方法及应用。与现有技术相比，本发明具有无需沉积金属催化剂和沉积其他形核层的优点，且制备的GaN纳米阵列可以转移至至柔性衬底以及高导热衬底上，有利于制备高效、柔性、高性能GaN基器件。
一种石墨衬底分级 gan 纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]碳纳米管阵列复合导热片及其制备方法-CN200710076571.3有效
发明人：罗春香;刘亮;姜开利;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-08-24 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列复合导热片，该碳纳米管阵列复合导热片包括多个碳纳米管和高分子材料。本发明还涉及一种碳纳米管阵列复合导热片的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一形成于一基底的碳纳米管阵列和一高分子前驱体溶液；将上述两种物质混合，形成一高分子前驱体/碳纳米管阵列混合体；沿着平行于基底的方向挤压上述混合体，形成一高分子前驱体/高密度碳纳米管阵列混合体；聚合上述混合体中的高分子前驱体，形成高密度碳纳米管阵列复合材料；对该高密度碳纳米管阵列复合材料进行切片，从而形成碳纳米管阵列复合导热片。本发明的碳纳米管阵列复合导热片具有优异的导热性能，可广泛地应用于导热领域。
纳米阵列复合导热及其制备方法

[发明专利]超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列的制备方法及应用-CN201910469117.7在审
发明人：丁倩倩;耿哲;褚磊;张杰 -专利权人：苏州工业职业技术学院
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列的制备方法及应用，该制备方法通过气/液界面自组装技术制备聚苯乙烯胶体晶体，然后通过聚苯乙烯胶体晶体为模板经磁控溅射沉积金膜、退火，得到非密排的金纳米颗粒有序阵列，然后将金纳米颗粒有序阵列置于银纳米片生长溶液中，获得花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列，进一步通过Ag‑S键将全氟癸基硫醇键合在Ag纳米片上，制备超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列。该超疏水花状分级结构Au@Ag纳米片有序阵列对农药残留物具有高灵敏度，高重现性。
纳米片分级结构水花制备金纳米颗粒磁控溅射沉积聚苯乙烯胶体制备聚苯乙烯退火农药残留物气/液界面高灵敏度癸基硫醇胶体晶体生长溶液银纳米片重现性自组装花状键合金膜密排全氟应用

[发明专利]磷化钴纳米颗粒镶嵌碳纳米片阵列材料及其制备和应用-CN202010976075.9在审
发明人：严微微 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化钴纳米颗粒镶嵌碳纳米片阵列材料及其制备和在锂离子电池负极材料中的应用。所述磷化钴纳米颗粒镶嵌碳纳米片阵列材料中，磷化钴纳米颗粒镶嵌在碳纳米片内部，形成枣糕型复合结构；碳纳米片竖立生长在泡沫镍表面，形成阵列结构。制备方法：首先在泡沫镍表面生长ZIF‑67纳米片阵列，然后进行碳化和磷化。本发明可提高磷化钴的电导率、结构稳定性和循环稳定性，以及电化学活性，使磷化钴具有更高的充放电容量和更稳定的循环性能。磷化钴纳米颗粒镶嵌碳纳米片阵列作为锂离子电池负极材料具有重要的应用价值。
磷化纳米颗粒镶嵌阵列材料及其制备应用

[发明专利]一种多孔网状金纳米片阵列及其制备方法-CN201310232280.4有效
发明人：冯九菊;吕章英;黄宏;周丹玲;王爱军;秦素芳 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C25D3/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔网状金纳米片阵列及其制备方法，属于金纳米材料技术领域。它解决了现有金纳米材料难以大规模生产的问题。本多孔网状金纳米片阵列通过如下步骤制备完成：（1）、配制含金离子的电解液；（2）、对电解液进行电沉积；（3）、在工作电极上形成多孔网状金纳米片阵列，制备而成的多孔网状金纳米片阵列呈多个多孔纳米片相互连接成网状结构本多孔网状金纳米片阵列采用一步电沉积法制备而成，可直接在基底材料上直接制备多级结构的金纳米材料，可直接用于功能器件的构建。制备过程简单、可控，能耗低，能更好地控制纳米粒子的形貌和尺度，物纯度高，对环境友好。
一种多孔网状纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用-CN202111223023.5有效
发明人：杨勇;刘渊;李昕;龚吴非;郭满满;袁彩雷 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25B11/061 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料制备和应用领域，具体涉及一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用。该纳米片阵列的制备方法简单，只需要水热反应结合后续磷化处理即可。该钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列包括泡沫镍基底和纳米片，所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上，纳米片的横向尺寸为0.5～2μm，厚度为5～20 nm；纳米片具有丰富的介孔，介孔的尺寸为2～5 得益于其独特的二维介孔结构和均匀的钴元素掺杂，这种纳米片阵列在电催化HER、OER和全解水方面均具有优异的性能，优于目前报道的其它Cu3P基纳米材料。
一种掺杂磷化二维纳米阵列及其制备方法应用

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