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[发明专利]纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法-CN200510124674.3有效
发明人：陈佳;阿里·阿夫扎利－阿达卡尼;克里斯蒂·卡林科;费顿·阿沃利斯;迪米特里·V.·塔拉平;克里斯托弗·默里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/24 文献下载
摘要：提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。
纳米部件掺杂方法制作场效应晶体管

[发明专利]基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极-CN201910391734.X有效
发明人：居莹;陆菲菲;刘磊;田健 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于场助指数掺杂结构的GaN纳米线阵列光电阴极，包括透明输入窗、指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极和金属栅网；指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极前端面紧贴透明输入窗，指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极后方一预定距离处设置金属栅网，指数掺杂GaN纳米线阵列光电阴极包括衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型指数掺杂GaN纳米线阵列光电发射层、及Cs/O激活层，衬底与透明输入窗紧贴设置，非故意掺杂的AlN缓冲层紧贴于衬底后端面，p型指数掺杂GaN纳米线阵列光电发射层包括若干GaN纳米线且每一GaN纳米线设置于非故意掺杂的AlN缓冲层后端面，Cs/O激活层裹覆在GaN纳米线表面，金属栅网外接电路形成均匀电网。
基于指数掺杂结构 gan 纳米阵列光电阴极

[发明专利]磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料及其制备方法与应用-CN201911199565.6有效
发明人：刘天西;尚楠;赖飞立;宗伟;缪月娥;朱晓波;欧阳玥;郭和乐 -专利权人：东华大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料，其特征在于，所述磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体，在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长NiFe‑LDH纳米片制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化镍铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料，具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
掺杂氧化镍铁氮纳米纤维复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种掺杂纳米颗粒的细晶镁合金制备方法-CN201410195094.2有效
发明人：聂凯波;邓坤坤;徐芳君 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： B22D27/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂纳米颗粒的细晶镁合金的制备方法，该方法首先将纳米颗粒掺杂到镁合金熔体，对掺杂纳米颗粒的镁合金熔体施加超声振动，并在二次超声振动的作用下凝固得到掺杂纳米颗粒的镁合金；最后将掺杂纳米颗粒的镁合金置于加工模具中保温一定时间，进行多步变温压缩，压缩温度为300～400℃，经过3～6步压缩得到掺杂纳米颗粒的细晶镁合金。本发明首次采用两步超声振动-多步变温压缩复合工艺成功制备出了掺杂纳米颗粒的细晶镁合金，有效解决了凝固过程中固液界面对纳米颗粒的推移所导致的纳米颗粒聚集，并且通过多步变温压缩显著细化了掺杂纳米颗粒的镁合金的晶粒本发明主要用于制备掺杂纳米颗粒的细晶镁合金。
一种掺杂纳米颗粒镁合金制备方法

[发明专利]镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法-CN200810023936.0无效
发明人：袁岂凡;万建国;王广厚 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法，该纳米材料由CdO基质构成，特征是CdO基质中掺杂的镍离子的摩尔比范围在1.0％～20.0％。推荐采用的掺杂比为2.0％～15.0％，最佳掺杂比为4.0％。该镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料存在形态为纳米粉末和纳米薄膜。所述的镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料中掺杂的镍离子取代基体CdO中Cd²⁺的晶格位置，从而形成替位掺杂。本发明还提供了该磁半导体纳米材料的制备方法。本发明的稀磁半导体纳米材料结晶良好，掺杂的镍离子取代了CdO晶格中的Cd²⁺的位置，从而形成了替位掺杂。所制备的稀磁半导体纳米材料具有室温铁磁性。
离子掺杂氧化室温半导体纳米材料及其制备方法

[发明专利]富勒烯掺杂的纳米结构及其方法-CN201180006895.4无效
发明人： A·维尔卡;M·C·勒姆克斯;Z·鲍 -专利权人：小利兰·斯坦福大学托管委员会
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：掺杂纳米结构以调节传导特性。根据各个示例性实施方式，用卤化富勒烯型掺杂剂材料掺杂诸如碳纳米管的纳米结构。在一些实施方式中，掺杂剂材料从溶液中沉积或者通过气相沉积，所述掺杂剂材料用于掺杂纳米管以增加所述纳米管的导热性和/或导电性。
富勒烯掺杂纳米结构及其方法

[发明专利]磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料及其制备方法与应用-CN201911199550.X有效
发明人：刘天西;尚楠;赖飞立;宗伟;缪月娥;朱晓波;欧阳玥;郭和乐 -专利权人：东华大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料，其特征在于，所述磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料以氮掺杂碳纳米纤维为载体，在氮掺杂碳纳米纤维表面原位生长CoFe‑LDH纳米颗粒制备而成。其制备方法包括退火工艺和高温磷掺杂两个过程。本发明制备的磷掺杂氧化钴铁氮掺杂碳纳米纤维复合材料，具有比表面积大、导电性好、物理化学性质稳定、电化学性能优越等优点。
掺杂氧化钴纳米纤维复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法-CN201310740552.1无效
发明人：高义华;张翔晖;王玉梅;李璐颖;苏俊;刘逆霜 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-12-28 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开一种镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管包括p型导电基片，位于p型导电基片上的镓掺杂氧化锌纳米线阵列和底电极，以及位于镓掺杂氧化锌纳米线阵列上的顶电极。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列波长可调节发光二极管的制备方法包括：提供一p型导电基片；在p型导电基片上通过控制镓掺杂氧化锌纳米线阵列的镓掺杂量，进行镓掺杂氧化锌纳米线阵列生长；在生长的镓掺杂氧化锌纳米线阵列上旋涂一层阻挡层；刻蚀去除包裹在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部的阻挡层；在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部沉积顶电极；去除部分区域的镓掺杂氧化锌纳米线阵列，露出p型导电基片，在露出的p型导电基片上制作底电极。
一种基于掺杂氧化锌纳米阵列波长调节发光二极管及其制备方法

[发明专利]掺杂多壁碳纳米管和电极材料-CN202010990044.9在审
发明人：万远鑫;黄少真;孔令涌;任望保 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：本申请提供了一种掺杂多壁碳纳米管，包括多壁碳纳米管和掺杂在多壁碳纳米管中的掺杂原子；该掺杂多壁碳纳米管具有径向导电通道，径向导电通道是由掺杂原子与多壁碳纳米管的相邻管壁通过共价键合形成。该掺杂多壁碳纳米管具有良好的导电性，将其应用在电极材料中能够提高电极材料的导电性。本申请还提供了一种掺杂多壁碳纳米管的制备方法。该制备方法工艺简单，操作便捷，所得的掺杂多壁碳纳米管良品率高。
掺杂多壁碳纳米电极材料

[发明专利]一种分析掺杂铂的碳纳米管传感器的方法及系统-CN202010895717.2在审
发明人：张施令;陈咏涛;苗玉龙;姚强;李龙;邱妮 -专利权人：国网重庆市电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种分析掺杂铂的碳纳米管传感器的方法及系统，通过向碳纳米管中掺杂金属铂，获取掺杂金属铂的碳纳米管；根据掺杂金属铂的碳纳米管制备电阻型气体传感器；检测电阻型气体传感器的特性参数；特性参数包括以下至少之一本发明通过向碳纳米管中掺杂金属铂获取掺杂金属铂的碳纳米管，即Pt掺杂碳纳米管；再根据Pt掺杂碳纳米管制备Pt掺杂碳纳米管电阻型气体传感器，即Pt掺杂碳纳米管传感器；并检测该传感器的特性参数，基于这些特性参数分析六氟化硫气体分解后气体组分的气敏特性
一种分析掺杂纳米传感器方法系统

[发明专利]阵列型掺杂多壁碳纳米管及其制备方法和电极材料-CN202011452994.2在审
发明人：万远鑫;黄少真;孔令涌;任望保;王敏;余永龙 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列型掺杂多壁碳纳米管，包括多壁碳纳米管和掺杂在多壁碳纳米管中的掺杂原子；该阵列型掺杂多壁碳纳米管具有径向导电通道，径向导电通道是由掺杂原子与多壁碳纳米管的相邻管壁通过共价键合形成，所述阵列型掺杂多壁碳纳米管的管径为该阵列型掺杂多壁碳纳米管具有良好的导电性，将其应用在电极材料中能够提高电极材料的导电性。本申请还提供了阵列型掺杂多壁碳纳米管的制备方法。该制备方法工艺简单，操作便捷，所得的阵列型掺杂多壁碳纳米管的良品率高。本申请还提供了含有阵列型掺杂多壁碳纳米管的电极材料。
阵列掺杂多壁碳纳米及其制备方法电极材料

[发明专利]氮掺杂石墨烯纳米带及其制备方法-CN201210490926.4有效
发明人：周明杰;袁新生;王要兵;钟辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮掺杂石墨烯纳米带及其制备方法，包括如下步骤：制备氧化碳纳米壁浆料；制备氮掺杂石墨烯纳米带。本发明的氮掺杂石墨烯纳米带的制备中，采用液相混合氮源及氧化碳纳米壁技术，使氮掺杂石墨烯纳米带掺杂效果更佳，均匀性好，采用离子液体做溶剂能有效防止石墨烯纳米带再次团聚，通过简单的分离、干燥即可完成制备过程
掺杂石墨纳米及其制备方法

[发明专利]硫化铋纳米颗粒/氮掺杂碳纳米纤维杂化材料及其制备-CN201810414165.1在审
发明人：刘天西;宗伟;赖飞立;缪月娥;欧阳玥;朱晓波;郭和乐 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： D06M11/53 文献下载
摘要：本发明提供了一种硫化铋纳米颗粒/氮掺杂碳纳米纤维杂化材料及其制备。所述的硫化铋纳米颗粒/氮掺杂碳纳米纤维杂化材料的制备方法，其特征在于，包括：以铋盐和硫盐为前驱体，在氮掺杂碳纳米纤维上原位生长硫化铋纳米颗粒，得到硫化铋纳米颗粒/氮掺杂碳纳米纤维杂化材料。本发明所制得的氮掺杂碳纳米纤维，提高了碳纤维的比容量，而且大大提升了碳纤维的电导率；本发明所制备的富含缺陷硫化铋纳米颗粒/氮掺杂碳纳米纤维杂化材料可用作理想的高性能储能材料，可被用于超级电容器领域。
碳纳米纤维氮掺杂纳米颗粒硫化铋杂化材料制备碳纤维电导率超级电容器储能材料原位生长比容量前驱体富含可用硫盐铋盐

[发明专利]掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件-CN201910955447.7有效
发明人：张振星;高远;李明;高培源 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件。其中掺杂氧化锌纳米晶的制备方法包括以下步骤：S1，将锌盐、掺杂金属盐以及有机胺于溶剂中混合得到混合溶液，锌盐中锌元素的物质的量与掺杂金属盐中金属元素的物质的量之比为(100:1)～(1.5:1)，有机胺适于与掺杂金属盐形成络合物；S2，向步骤S1的混合溶液中加碱进行反应，反应后得到含有掺杂氧化锌纳米晶的溶液。采用本发明提供的方法制备掺杂氧化锌纳米晶，可以突破现有的掺杂金属在氧化锌纳米晶中的掺杂量上限，显著提升掺杂氧化锌纳米晶中掺杂金属的掺杂量，有利于充分发挥掺杂金属的有益作用。
掺杂氧化锌纳米制备方法电子传输发光器件

[发明专利]纳米丝发光器件及其制造方法-CN200510076220.3无效
发明人：陈暎究;李晟熏;李孝锡;崔秉龙;金钟燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
纳米发光器件及其制造方法

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