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[发明专利]多孔铝烧结体及多孔铝烧结体的制造方法-CN201580015338.7有效
发明人：杨积彬;喜多晃一;幸俊彦;星野孝二;加藤纯 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： B22F3/11 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高效且以低成本制造，且烧结时的收缩率较小、尺寸精度优异并且具有足够强度的高品质的多孔铝烧结体及多孔铝烧结体的制造方法。本发明的多孔铝烧结体(10)由多个铝基材(11)烧结而成，其中，在铝基材(11)彼此结合而成的结合部(15)存在Ti‑Al系化合物(16)及包含与Al进行共晶反应的共晶元素的共晶元素化合物。在此，优选在铝基材(11)的外表面形成有朝向外侧突出的多个柱状突起，且在柱状突起上具有上述结合部(15)。
多孔烧结制造方法

[发明专利]一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法-CN200710012486.0无效
发明人：秦克;崔建忠 -专利权人：东北大学
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法，在过共晶铝硅合金熔体中添加Cr元素，添加量为熔体总重量的0.8％－1.5％，添加Cr元素的熔体温度为750℃－770℃，Cr元素以Cr剂或以Al－Cr中间合金形式添加到熔体中
一种抑制共晶铝硅合金宏观偏析方法

[发明专利]太阳能级多晶硅制备方法-CN201810740381.5在审
发明人：王书杰;孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-07-07 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备方法，涉及多晶硅的制备方法技术领域。所述方法首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
太阳能级多晶硅多晶硅去除制备等离子熔炼定向凝固硅合金共晶制备方法技术二硅化钛合金熔体硅熔体提纯熔体提拉

[发明专利]太阳能级多晶硅制备装置-CN201810740370.7有效
发明人：王书杰;孟静 -专利权人：玉环市几偶孵化器有限公司
申请日： 2018-07-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C30B28/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备装置，涉及多晶硅的制备装置技术领域。所述装置首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
太阳能级多晶制备装置

[发明专利]一种铝-硅-钽中间合金及其制备方法-CN201710120405.2有效
发明人：石磊;宋文婷 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种铝‑硅‑钽中间合金及其制备方法。本发明是铝‑硅‑钽中间合金，包含铝、硅、钽三种主要元素，各组分的质量百分比分别是：铝60.00%‑95.00%，硅1.00%‑30.00%，钽0.50%‑10.00%。该中间合金的制备工艺简单，成本低，适宜工业化生产,所制备的铝‑硅‑钽合金中间合金对过共晶铝硅合金中硅相有孕育变质作用。
中间合金制备共晶铝硅合金变质作用制备工艺钽合金

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202110826671.3在审
发明人：张树德;刘玉申;况亚伟;连维飞;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，该方法包括获得正面依次层叠有钝化层和减反层的硅基体；对钝化层和减反层对应正电极的区域进行开孔；开孔深度等于钝化层和减反层的厚度之和；采用电镀法在开孔区域沉积铝形成铝电极，得到电池结构体；对电池结构体进行退火处理，铝电极和硅基体发生共晶反应，在硅基体对应铝电极的区域形成铝重掺杂区域；在硅基体的背面制备钝化接触结构和背电极，得到太阳能电池。本申请用电镀法在开孔区域沉积铝，通过退火时铝和硅发生共晶反应对硅基体进行局部重掺杂，无需复杂的掩膜工艺、高温扩散、高精度对准，制备过程简单，且不会影响硅基体的体少子寿命；铝电极宽度窄，减小对硅基体正面的遮光面积
一种太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]内燃机用复合式活塞毛坯的制造方法-CN201110107941.1有效
发明人：王渠东;尹冬弟 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B22D19/16 文献下载
摘要：一种汽车制造技术领域的内燃机用复合式活塞毛坯的制造方法，采用铸钢、AC9B过共晶铝硅合金、AC8A共晶铝硅合金、高稀土含量耐热镁合金、耐热稀土镁合金或其金属基复合材料的熔体作为活塞顶部熔体，采用AC8A共晶铝硅合金、耐热稀土镁合金、普通耐热镁合金或其金属基复合材料的熔体作为活塞裙部熔体且活塞裙部熔体和活塞顶部熔体采用不同的材质，将两种熔体采用重力铸造方法或采用挤压铸造方法制得复合式活塞毛坯。
内燃机复合活塞毛坯制造方法

[发明专利]一种过共晶铝硅合金的磷变质剂-CN200710303615.1有效
发明人：张英;任智森;张俊红 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种过共晶铝硅合金的磷变质剂，其特征在于变质剂由质量百分比组成为1％～30％磷粉、1％～50％铝粉、5％～40％氯化物、1％～20％氟化物，经球磨混均后，压制成块的块状变质剂。本发明的变质剂适用于过共晶铝硅合金的变质处理，很好地解决了过共晶铝硅合金生产中的关键问题，明显减少了磷变质剂压入时放出的烟气，缩短了加料时间，减小渣量；提高了磷变质剂的吸收率，减少了原料消耗；减小污染，
一种共晶铝硅合金变质

[发明专利]强磁场复合变质剂细化过共晶铝硅合金中相组织的方法-CN201210412073.2有效
发明人：钟云波;李甫;黄靖文;夏逢辰;陈旭 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种强磁场复合变质剂细化过共晶铝硅合金中相组织的方法。由于强磁场和变质剂的复合作用，抑制合金中Si相的长大，减小和改善初晶硅和共晶硅晶粒的大小和形貌，达到晶粒细化，成分均匀的目标。发明中的强磁场复合变质剂细化过共晶铝硅合金相组织反应装置，由水冷套1、超导磁体2、浇包3、压射冲头4、压室5、液态合金6、定型7、动型8、喷嘴9、型腔10、反料冲头11组成。该方法可以与压力铸造、金属型重力铸造、Cosworth（考斯沃斯）法铸造、消失模铸造、精确砂型重力铸造、低压铸造及甩带铸造的凝固过程结合，从而可以制备性能优异的高硅铝合金发动机缸体缸套材料。
磁场复合变质细化共晶铝硅合金组织方法

[发明专利]高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料超声波破碎装置-CN202011200463.4在审
发明人：朱鑫涛;王富;吴子宁;李亚伦;赵保解;杨强 -专利权人：朱鑫涛
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明属于金属材料应用技术领域，具体公开了高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料超声波破碎装置，由原料组份储料槽，及设置在原料组份储料槽底面的若干个竖支撑柱，及分别设置在若干个竖支撑柱一端的圆形定位底板，及分别设置在圆形定位底板内的若干个圆形定位底板固定孔本发明的高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料超声波破碎装置的有益效果在于：其能对高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料（热混合溶液）进行高效、高质的杂质破碎作业，提高所制得的成品品质，降低生产成本和成品的报废率
高硅轻质化共晶铝硅合金制备原料超声波破碎装置

[实用新型]高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料超声波破碎装置-CN202022485239.6有效
发明人：朱鑫涛;王富;吴子宁;李亚伦;赵保解;杨强 -专利权人：西安交通大学;泰州市金鹰精密铸造有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型属于金属材料应用技术领域，具体公开了高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料超声波破碎装置，由原料组份储料槽，及设置在原料组份储料槽底面的若干个竖支撑柱，及分别设置在若干个竖支撑柱一端的圆形定位底板本实用新型的高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料超声波破碎装置的有益效果在于：其能对高硅轻质化过共晶铝硅合金制备的原料（热混合溶液）进行高效、高质的杂质破碎作业，提高所制得的成品品质，降低生产成本和成品的报废率
高硅轻质化共晶铝硅合金制备原料超声波破碎装置

[发明专利]一种过共晶铝硅合金及其制备方法-CN201611065847.3在审
发明人：罗婷 -专利权人：广西大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种过共晶铝硅合金，按质量百分比计算，由9‑18％的硅、6‑12％的铜、0.4‑1.5％的镁及余量的铝构成。本发明的过共晶铝硅合金采用最新的变形加工工艺加工，其特点是双级时效、循环处理工艺显著提高了合金的常温及高温尺寸稳定性，其抗拉强度大于400MPa,延伸率大于4％，硬度HRB大于78。
一种共晶铝硅合金及其制备方法

[发明专利]一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法-CN201611100728.7有效
发明人：武爱民;何兵;仇超;盛振;高腾;甘甫烷;王曦 -专利权人：上海新微科技服务有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中科院南通光电工程中心
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法，包括步骤：步骤1），提供一基底，采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜；步骤2），采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶，所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中；步骤3），对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理，以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂，扩大了硅纳米晶发光的光谱范围，降低了由于俄歇效应产生的光子吸收，提高了硅纳米晶发光效率，同时，本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调，结晶质量好，是一种理想的硅基片上光源
硅纳米晶二氧化硅薄膜共掺杂磷掺杂基底制备低压化学气相沉积热处理工艺钝化处理俄歇效应发光效率光子吸收杂质掺杂氢气析出硅基片上光源悬挂键沉积出铝光谱可调去除发光镶嵌

[发明专利]一种多孔莫来石陶瓷及其制备方法-CN202110183298.4有效
发明人：向道平;刘瑞鹏 -专利权人：海南大学
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C04B35/185 文献下载
摘要：本发明提供了一种多孔莫来石陶瓷及其制备方法，多孔莫来石陶瓷包括以下原料：质量比为100:2～8的混合粉体和粘合剂；混合粉体包括质量比为10～25:60～85:5～20的晶硅切割废料、铝源和钼系添加剂；晶硅切割废料中含90～97％的硅；钼系添加剂选自三氧化钼、钼酸铵、偏钼酸铵和钼酸铝中的一种或多种。本发明以晶硅切割废料作为硅源，不仅实现“变废为宝”，降低成本，又产生相应的环境效益。采用钼系添加剂，通过反应烧结得到具有莫来石晶棒交联互锁结构特征，以及拥有较高抗弯强度和气孔率的多孔莫来石陶瓷。晶硅废料的氧化所带来的体积增量补偿陶瓷烧结收缩，使得陶瓷的线尺寸变化率为‑0.89～1.86％。
一种多孔莫来石陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铸造铝硅合金及其制备方法-CN202211658804.1在审
发明人：黄粒;杜旭初;丁小明;庄欠玉;王强;宋晓辉 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院;航材国创（青岛）高铁材料研究院有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造铝硅合金及其制备方法，该铸造铝硅合金由以下重量百分比的组份组成：Si：7.5～8.5％；Mg：0.65～0.85％；Zr：0.03～0.05％；Sr：0.004～0.008％；Sb：0.005～0.009％；Ag：0.03～0.08％；其它杂质小于或等于0.15％，余量为铝。该铸造铝硅合金中添加的Sr、Sb元素含量低于一般添加量，可在有效变质共晶硅的前提下，进一步减少添加Sr造成的熔体吸气，在合金中引入少量的Zr元素，可吸附熔体中的H原子，减少凝固过程中的氢气逸出造成的孔洞缺陷；同时，在合金中添加少量的Ag元素，可有效提高β″析出相的形核数量，提升合金强度；同时，本发明中铸造铝硅合金配合使用晶间球化双级热处理，进一步提高铸件本体性能，铸件基体共晶硅组织更细小，纳米级β″相更弥散
一种铸造合金及其制备方法