专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种原位氮化铝框架/聚合物复合材料及其制备方法-CN202111614947.8在审
  • 向道平;伍良晴 - 海南大学
  • 2021-12-27 - 2023-07-07 - C08L63/00
  • 本发明涉及复合材料技术领域,尤其涉及一种原位氮化铝框架/聚合物复合材料及其制备方法。所述制备方法包括:A)将铝源、固体氮源、烧结助剂及添加剂在溶剂中混匀,得到含铝悬浊液;B)将所述含铝悬浊液进行定向冷冻成型后,通过冷冻干燥获得含铝原料粉体框架;C)将所述含铝原料粉体框架在含氮气体条件下进行原位氮化反应,除碳后获得原位氮化铝框架;D)将聚合物真空浸渗进所述原位氮化铝框架后,再进行固化,得到原位氮化铝框架/聚合物复合材料。本发明通过冰模板法结合铝粉的原位氮化反应烧结,低成本、短流程的构建了具有定向网络通道的三维氮化铝框架,并在此基础上获得了具有优异热导率的氮化铝框架/聚合物复合材料。
  • 一种原位氮化框架聚合物复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种氮化硅晶须增强碳化硅/聚合物复合材料及其制备方法-CN202111613527.8在审
  • 向道平;姚健 - 海南大学
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - C08L63/00
  • 本发明公开了一种氮化硅晶须增强碳化硅/聚合物复合材料及其制备方法,属于聚合物复合材料技术领域。该氮化硅晶须增强碳化硅/聚合物复合材料包括聚合物、固化剂、促进剂和导热填料;所述导热填料为三维氮化硅晶须增强碳化硅网络骨架。所述三维氮化硅晶须增强碳化硅网络骨架的制备包括以下步骤:将粘合剂溶解于溶剂中,再加入混合粉体和分散剂混合均匀得到悬浊液,接下来对悬浊液进行定向冷冻成型,并经冷冻干燥后得到三维含硅/碳化硅原料粉体骨架,最后在含氮气氛下烧结后得到三维氮化硅晶须增强碳化硅网络骨架;所述混合粉体为提纯光伏晶硅切割废砂浆和烧结助剂。本发明的氮化硅晶须增强碳化硅/聚合物复合材料具有热导率高和抗弯强度好等优点。
  • 一种氮化硅晶须增强碳化硅聚合物复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种碳化硅框架/聚合物复合材料及其制备方法-CN202111614981.5在审
  • 向道平;刘曼姝 - 海南大学
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - C08L63/00
  • 本发明提供了一种碳化硅框架/聚合物复合材料的制备方法,包括:将碳源、固体硅源和添加剂在溶剂中混匀,得到悬浊液;将所述悬浊液定向冷冻成型后进行冷冻干燥,得到含碳原料粉体框架;将所述含碳原料粉体框架在气相一氧化硅气氛下进行反应烧结,除碳后得到碳化硅框架,最后将聚合物真空浸渗进所述碳化硅框架后,再进行固化,得到碳化硅框架/聚合物复合材料。本发明通过冰模板法结合晶硅废砂浆的硅碳反应烧结,低成本短流程构建了具有定向通道的三维碳化硅框架,并在此基础上获得了具有优良热导率的碳化硅框架/聚合物复合材料。
  • 一种碳化硅框架聚合物复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种钴增强W-Ni3-CN202111681807.2在审
  • 向道平;胡璐璐;毛瑞鹏 - 海南大学
  • 2021-12-27 - 2023-05-23 - C22C1/047
  • 本发明提供了一种钴增强W‑Ni3Al合金的制备方法,包括以下步骤:将Ni3Al粉进行高能球磨,干燥后过筛,得到薄片状Ni3Al粉末;将钨粉、钴粉和所述薄片状Ni3Al粉末进行混料,得到复合原料粉末;将所述复合原料粉末进行烧结,得到钴增强W‑Ni3Al合金。本发明采用微量的钴粉作为添加剂,通过高能球磨和快速烧结制备了钴增强W‑Ni3Al合金,具有原料成本低、工艺简单高效等特点;结果表明,本发明提供的方法能够在低于粘结相Ni3Al熔点温度下制备出力学性能优良的细晶钨合金。
  • 一种增强nibasesub
  • [发明专利]一种多孔莫来石陶瓷及其制备方法-CN202110183298.4有效
  • 向道平;刘瑞鹏 - 海南大学
  • 2021-02-10 - 2023-04-11 - C04B35/185
  • 本发明提供了一种多孔莫来石陶瓷及其制备方法,多孔莫来石陶瓷包括以下原料:质量比为100:2~8的混合粉体和粘合剂;混合粉体包括质量比为10~25:60~85:5~20的晶硅切割废料、铝源和钼系添加剂;晶硅切割废料中含90~97%的硅;钼系添加剂选自三氧化钼、钼酸铵、偏钼酸铵和钼酸铝中的一种或多种。本发明以晶硅切割废料作为硅源,不仅实现“变废为宝”,降低成本,又产生相应的环境效益。采用钼系添加剂,通过反应烧结得到具有莫来石晶棒交联互锁结构特征,以及拥有较高抗弯强度和气孔率的多孔莫来石陶瓷。晶硅废料的氧化所带来的体积增量补偿陶瓷烧结收缩,使得陶瓷的线尺寸变化率为‑0.89~1.86%。
  • 一种多孔莫来石陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]一种硼元素增强含铝金属间化合物粘结钨合金及其制备方法-CN202111112737.9在审
  • 向道平;毛瑞鹏 - 海南大学
  • 2021-09-18 - 2023-03-24 - C22C1/05
  • 本发明提供了一种硼元素增强含铝金属间化合物粘结钨合金的制备方法,包括:A)将含铝金属间化合物粉末进行高能球磨,得到片状含铝金属间化合物微细粉末;B)将钨粉、所述片状含铝金属间化合物微细粉末和单质硼粉进行混料,得到复合原料粉末;C)将所述复合原料粉末在较低真空气氛下进行放电等离子烧结,得到硼元素增强含铝金属间化合物粘结钨合金。本申请通过添加含硼元素且利用球磨工艺得到片状含铝金属间化合物粉末且原料均匀混合的预制粉末,再通过放电等离子快速烧结,原位形成低熔点液相和氧化铝微粒,最终通过较低烧结温度制得致密度高、粘结相呈现异质结构、力学性能优良、晶粒细小的硼元素增强的含铝金属间化合物粘结钨合金。
  • 一种元素增强金属化合物粘结合金及其制备方法
  • [发明专利]一种放电等离子辅助热解制备碳纳米管的方法-CN201810185973.5有效
  • 向道平;赵书宁 - 海南大学
  • 2018-03-07 - 2022-09-13 - C01B32/162
  • 本发明属于碳纳米材料制备技术领域,公开了一种放电等离子辅助热解制备碳纳米管的方法。首先以钴盐、尿素等为原料制备纳米四氧化三钴粉体;然后以纳米四氧化三钴和氰胺类有机物粉体为原料,通过放电等离子辅助热解法得到含碳纳米管粉体;最后通过氧化法和酸洗法分别除去产物中的非晶碳和金属钴,得到碳纳米管。本发明利用放电等离子辅助热解快速制备碳纳米管,可以减少碳纳米管的制备时间,反应过程无需使用易燃易爆及含碳有机气体,简化了碳纳米管的制备工艺流程,安全系数较高,原料成本较低。
  • 一种放电等离子辅助制备纳米方法
  • [发明专利]一种氮化铝纳米花/聚合物复合材料及其制备方法-CN202110228827.8有效
  • 向道平;刘藜 - 海南大学
  • 2021-03-02 - 2022-06-14 - C08L61/06
  • 本发明涉及电子封装热管理材料制备技术领域,尤其涉及一种氮化铝纳米花/聚合物复合材料及其制备方法。所述制备方法包括:A)将铝粉与盐溶液混合,进行超声波空化腐蚀;B)将步骤A)的产物溶液进行抽滤,得到滤饼;C)将滤饼粉碎,与固体氮源混匀后,在含氮气氛下进行氮化反应;D)将氮化反应后的产物进行除碳,得到氮化铝纳米花;E)将氮化铝纳米花、烧结助剂及添加剂在溶剂中均匀混合成悬浊液后,进行定向冷冻成型,再经冷冻干燥后进行烧结,得到多孔氮化铝三维网络骨架;F)在真空条件下,将树脂浸渗进多孔氮化铝三维网络骨架后进行固化,得到氮化铝纳米花/聚合物复合材料。本发明的氮化铝纳米花/聚合物复合材料具有优良的热导率。
  • 一种氮化纳米聚合物复合材料及其制备方法
  • [发明专利]一种高导热SiC-AlN复合陶瓷的制备方法-CN201911398616.8有效
  • 向道平;刘伟然 - 海南大学
  • 2019-12-30 - 2022-06-07 - C04B35/80
  • 本发明属于SiC‑AlN复合陶瓷烧结制备领域,本发明提供了一种高导热SiC‑AlN复合陶瓷的制备方法,制备该复合陶瓷的方法包括:S1、提供含硅原料粉体,所述含硅原料粉体的组成物质包括粗颗粒碳化硅粉和细颗粒硅粉;S2、将所述含硅原料粉体、氮化铝源和碳源进行低能球磨混料,得到均匀混合原料粉体;S3、将所述均匀混合粉体进行合成反应,得到含有碳化硅晶须的SiC‑AlN复合粉体;S4、将所述SiC‑AlN复合粉体与烧结助剂混合后烧结,得到SiC‑AlN复合陶瓷。本工艺简便易行,在提高SiC‑AlN复合陶瓷的导热率和强度等方面有重要意义。
  • 一种导热sicaln复合陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种微波碳热还原制备复合Ti(C,N)金属陶瓷粉体的方法-CN201810371181.7有效
  • 向道平;李慧 - 海南大学
  • 2018-04-24 - 2021-12-28 - B22F9/22
  • 本发明属于金属陶瓷材料制备技术领域,公开了一种通过微波碳热还原制备复合金属陶瓷粉体的方法。将氰胺类化合物、Ti源化合物、M源化合物和碳源粉体高能球磨得到活化原料粉体,然后进行微波原位碳热还原反应,得到复合Ti(C,N)金属陶瓷粉体。本发明采用氰胺类化合物作为原料,可提供氮源和部分碳源,同时能部分降低反应温度,氮化反应后所得产物粉体的成分更为均匀。利用高能球磨对原料进行预处理,不但容易获得均匀混合的纳米晶原料粉体,而且可以提高原料反应驱动力和扩散能力,增强组元的反应活性,降低后续合成温度。相对常规碳热还原反应,本发明无需N2气氛要求,操作更简单,更容易获得粒径较细的产物粉体。
  • 一种微波还原制备复合ti金属陶瓷方法
  • [发明专利]一种片状金属间化合物增强细晶钨合金及其制备方法-CN201911127282.0有效
  • 向道平;樊志帅;樊峰嵩 - 海南大学
  • 2019-11-18 - 2021-11-23 - C22C1/04
  • 本发明属于钨合金技术领域,公开了一种片状金属间化合物增强细晶钨合金及其制备方法。首先,通过不同球磨方法与工艺改变金属间化合物原料粉末的径厚比,进而得到含有片状金属间化合物且混合均匀的钨合金复合粉体;然后,通过对原始粉末进行原位氧化处理,使得片状金属间化合物粉末表面自生成纳米氧化铝颗粒;最后,将所得钨合金复合粉体进行一步或二步放电等离子烧结,最终制得片状金属间化合物增强细晶钨合金。本发明克服了传统液相烧结方式周期较长、钨晶粒较大、力学性能较低等缺点,制备的钨合金具有组织均匀、晶粒细小、相对密度高等特点,综合力学性能也得到明显改善。
  • 一种片状金属化合物增强细晶钨合金及其制备方法
  • [发明专利]一种利用混杂硅源制备碳化硅纳米晶须的方法-CN201911326176.5有效
  • 向道平;任蓉;曹月 - 海南大学
  • 2019-12-20 - 2021-10-19 - C30B29/36
  • 本发明属于纳米材料领域,公开了一种利用混杂硅源制备碳化硅纳米晶须的方法。首先,将提纯处理后的晶硅废砂浆与其它无机含硅原料混合,组成混杂硅源。然后,通过两步球磨对混杂硅源进行球磨激活处理。最后,将依次装有混杂硅源与植物纤维的坩埚放在热处理炉中进行反应,获得又厚又密的碳化硅纳米晶须。本发明以工农业废弃物为主要原料,降低了原料成本,并通过两步球磨细化活化原料粉体,进而大大提高了碳化硅晶须的产率。此外,本发明也为高效回收利用晶硅废砂浆以及高价值利用农业植物废弃物提供了一种新思路。
  • 一种利用混杂制备碳化硅纳米方法

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