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[实用新型]等离子零电磁场力处理装置-CN202120539858.0有效
发明人：茆学华;徐建坤;王爱新;程乐乐 -专利权人：杭州三得农业科技有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本实用新型属于材料改性技术领域，具体涉及等离子零电磁场力处理装置。包括等离子气体管道和用于输入有机粉体材料的等离子气体涡旋改性装置；所述等离子气体管道和等离子气体涡旋改性装置之间设有若干个等离子气体喷射管道；所述等离子气体喷射管道均分别与等离子气体管道和等离子气体涡旋改性装置连通；所述等离子气体管道上设有用于输入等离子气体的进气口。
等离子电磁场处理装置

[发明专利]等离子焊枪以及等离子焊接装置-CN201310209573.0在审
发明人：刘忠杰 -专利权人：株式会社大亨
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： B23K10/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在非消耗式电极和母材之间能供给所希望的量的等离子气体并且能充分供给保护气体的等离子焊枪以及等离子焊接装置。等离子焊枪(100)具备：在与母材(W)之间使等离子弧(PA)产生的非消耗式电极(11)；向母材(W)喷出等离子气体(PG)以及保护气体(SG)的喷嘴(12)；使等离子气体(PG)流通的等离子气体流路(13)、以及与等离子气体流路(13)相隔开并且使保护气体(SG)流通的保护气体流路(14)。独立调整等离子气体流路(13)中流通的等离子气体(PG)的量以及保护气体流路(14)中流通的保护气体(SG)的量。如此，能够分别供给等离子气体(PG)与保护气体(SG)。
等离子焊枪以及焊接装置

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201680044815.7有效
发明人：园田和广;小风丰;深谷亮介;中野贤明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理装置(10)具备：收容基板(S)的收容部(11)；供给等离子生成用气体的气体供给部(13)；以及由等离子生成用气体生成等离子，并供给等离子至收容部(11)的等离子供给部(12)。等离子生成用气体包含氮原子及氧原子的至少一方。气体供给部(13)将等离子生成用气体供给至等离子供给部(12)，使添加气体的流量与氢气的流量之比为1/500以上。
处理方法装置

[发明专利]等离子体发生装置和等离子体头冷却方法-CN201880096922.3有效
发明人：泷川慎二;丹羽伦子;神藤高广 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05H1/28 文献下载
摘要：等离子体发生装置具备：等离子体头，放出被等离子体化的等离子体气体；气体供给装置，将成为等离子体气体的气体供给至等离子体头；一对电极，设置于等离子体头，对从气体供给装置供给的气体的一部分进行放电而成为等离子体气体；温度传感器，设置于等离子体头，对等离子体头的温度进行计测；及控制装置，控制装置执行如下冷却处理：在使一对电极的放电停止之后，使气体供给装置持续供给气体来进行等离子体头的冷却，直至温度传感器计测到预定值以下的温度为止
等离子体发生装置冷却方法

[实用新型]一种双层保护正压等离子气体处理系统-CN202320755429.6有效
发明人：万良庆;卞杰 -专利权人：南京珀斯佩特电子科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层保护正压等离子气体处理系统，应用在等离子气体处理技术领域，其技术方案要点是：包括等离子气体处理装置与包围于等离子气体处理装置外的密封箱，等离子气体处理装置的前侧连通有气体正压处理组件，气体正压处理组件用于将等离子气体输入到等离子气体处理装置内，等离子气体处理装置远离气体正压处理组件的一侧连通有气体负压处理组件；具有的技术效果是：减少废气泄漏出来而造成周围人员人身安全的可能。
一种双层保护正压等离子气体处理系统

[实用新型]一种等离子体送粉装置-CN202221705678.6有效
发明人：余珍胜 -专利权人：苏州釜昕科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体送粉装置，包括等离子气体座和送粉枪，所述等离子气体座上开设有供送粉枪插入的进口，所述送粉枪的出口伸入等离子气体座内部，所述等离子气体座进口所在一端开设有倾斜设置的开孔，所述开孔沿等离子气体座周向间隔均匀排布有多个，所述开孔的轴向同等离子气体座的轴心形成夹角；所述等离子气体座远离进口的一端开设有多个进气孔，多个进气孔沿等离子气体座周向排布，进气孔轴向与等离子气体座轴向一致。
一种等离子体装置

[发明专利]基板处理装置的运行方法-CN201080039989.7有效
发明人：小风丰;植田昌久;吉田善明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供通过稳定生成等离子体、可抑制颗粒发生的基板处理装置的运行方法。在进行了真空排气的真空槽内配置基板后，首先向真空槽内供给稀有气体，对等离子体发生装置施加电压以生成稀有气体的等离子体。接着，向真空槽内供给反应气体、使反应气体与稀有气体的等离子体接触以生成反应气体的等离子体。使该反应气体的等离子体与基板接触而对基板进行处理。利用等离子体生成装置，通过不对反应气体进行等离子体化、而是首先对稀有气体进行等离子体化，从而稳定地生成等离子体、抑制颗粒的发生。
处理装置运行方法

[发明专利]等离子喷枪-CN200710091765.0无效
发明人：小池哲夫;古城昭 -专利权人：小池酸素工业株式会社
申请日： 2007-04-09 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子喷枪，通过设定在等离子气体的供给路径上设置的控制等离子气体的供给的阀的位置，尽可能地减少等离子气体的消耗量。等离子喷枪(A)构成为，在等离子喷枪(A)的内部或者附近的供给等离子气体的气体供给路(8)上设置阀(10)，并使该阀(10)的关闭动作与等离子电弧停止时的电流变化大致同步。阀(10)设置在离等离子喷枪的前端(4b)距离600mm的范围。
等离子喷枪

[发明专利]等离子成膜装置-CN201110443632.1有效
发明人：裴绍凯 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：一种等离子成膜装置，其包括成膜室、设置于该成膜室内的等离子发生器及向该成膜室提供气体的供气系统。等离子发生器喷出等离子射流并形成等离子射流区域。等离子成膜装置还包括转动地设置于等离子发生器周围，供气系统给气体载流板提供气体，气体经由气体载流板射向等离子射流区域。通过转动气体载流板能够改变等离子射流区域的形状。该等离子成膜装置所镀的镀膜的致密度高，均匀度良好的同时，沉积效率高，而且打火现象较少。
等离子装置

[发明专利]等离子体照射装置-CN201780097654.2在审
发明人：神藤高广;池户俊之;泷川慎二;丹羽阳大 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：等离子体照射装置构成为具备：等离子体头(14)，产生等离子化气体并从喷嘴喷出该等离子化气体；气体供给装置(50)，用于对气体进行流量调节并向等离子体头供给气体；气体管(60)，将该气体供给装置与等离子体头之间连接而成为气体的流路；及压力检测器(62)，检测从气体供给装置供给的气体的压力。检测向等离子体头供给的气体的压力(PA～PD)，并将该压力利用于各种情况，从而构成实用的等离子体照射装置。具体而言，例如能够基于检测出的压力而简便地判定出气流在等离子体头中的堵塞即头堵塞。
等离子体照射装置

[发明专利]在蚀刻期间利用光谱使RF切换与气体切换同步-CN201280027855.2有效
发明人：许青;卡梅利娅·鲁苏;布赖恩·K·麦克米林;亚历山大·M·帕特森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
蚀刻期间利用光谱 rf 切换气体同步

[发明专利]等离子体装置-CN201980102799.6在审
发明人：池户俊之 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本发明提供能够保护气体供给管不受卡合爪的影响的等离子体装置。等离子体装置具备：等离子体头，使用处理气体而喷出等离子体气体；气体供给单元，向等离子体头供给处理气体；气体供给管，该气体供给管的前端部与等离子体头连接，该气体供给管的基端部与气体供给单元连接，该气体供给管从气体供给单元向等离子体头供给处理气体；安装部件，具有与气体供给管卡合的卡合爪，通过使卡合爪与气体供给管卡合而将气体供给管安装于等离子体头；及旋转限制部件，在比与卡合爪卡合的位置靠气体供给管的基端侧处限制气体供给管的旋转。
等离子体装置

[发明专利]抑制等离子体不稳定的方法-CN200610025490.6有效
发明人：吴汉明;高大为 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-06 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：一种抑制等离子体不稳定的方法，包括以下步骤：通过在供应至等离子体发生装置的包含负电性等离子体气体的原料气体中加入正电性等离子体气体，使得所述等离子体发生装置中产生的等离子体的电子密度增加，其中正电性等离子体气体的加入量使得所述产生的等离子体稳定
抑制等离子体不稳定方法

[发明专利]等离子体切割装置-CN201480070949.7有效
发明人：小林隆二;茂木正裕;古城昭 -专利权人：小池酸素工业株式会社
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B23K10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体切割装置(A)，为了延长设置于等离子体割炬的电极的寿命，在对电极施加电流从而针对被切割材料(B)等离子体电弧上升到预先设定的电流值的过程中，将起动气体切换成等离子体气体，构成为具有：起动气体供给部(2)，具有起动气体供给源(2a)和设置于起动气体配管(2c)的起动气体电磁阀(2b)；等离子体气体供给部(3)，具有等离子体气体供给源(3a)和设置于等离子体气体配管(3c)的等离子体气体电磁阀(3b)；等离子体气体连接部(8)，连接起动气体供给部的下游侧端部和等离子体气体供给部的下游侧端部；气体配管部(5)，连接等离子体气体连接部(8)和割炬主体(1a)；流量保持部件(4)，设置于气体配管部
等离子体切割装置

[发明专利]等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法-CN200980138949.5有效
发明人：冲野晃俊;宫原秀一 -专利权人：冲野晃俊;宫原秀一
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法，其中，可形成室温以下，特别是零度以下的等离子体，并且在低温至高温的较宽的温度范围内，能够更正确地控制等离子体温度。该装置包括使等离子体用气体变为等离子体的等离子体产生部(40)；等离子体用气体温度控制部(30)，其控制供给等离子体产生部(40)的等离子体用气体的温度，控制等离子体用气体的温度，控制在等离子体产生部(40)中产生的等离子体的温度。
等离子体温度控制装置方法

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