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[发明专利]一种多孔膜材料等离子体接枝处理设备及接枝处理工艺-CN202111588588.3在审
发明人：徐继亮;方琼谊;方开东;宋朋远;杨刚;于召光;张野 -专利权人：莱州联友金浩新型材料有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B01D71/78 文献下载
摘要：一种多孔膜材料等离子体接枝处理设备及接枝处理工艺，属于多孔膜材料接枝技术领域。其特征在于：包括依次密封连接的放卷装置室(1)、初步等离子体处理室(2)、雾化处理室(3)和密封连接的预处理反应室(4)、二步等离子体处理室(5)和收卷装置室(6)；所述的放卷装置室内设有放卷装置，所述的初步等离子体处理室(2)和二步等离子体处理室(5)内设有等离子体发生设备；所述雾化处理室内设有烯类单体接枝液雾化处理装置；使用该接枝处理设备的多孔膜材料等离子体接枝处理工艺。本发明实现了处理后多孔膜材料呈干态状态，且表面无残余烯类单体，杜绝了多孔膜材料介质处理产生废水废液的问题。
一种多孔材料等离子体接枝处理设备工艺

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201510161834.5在审
发明人：山泽阳平;舆水地盐;齐藤昌司;传宝一树;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201010589485.4有效
发明人：山泽阳平;舆水地盐;齐藤昌司;传宝一树;山涌纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在感应耦合型等离子体工艺中，采用简单的补正线圈自由且精细地控制等离子体的密度分布。在该感应耦合型等离子体处理装置中，在与RF天线(54)接近的电介质窗(52)之下炸面饼圈状地产生感应耦合等离子体，使该炸面饼圈状的等离子体分散在大的处理空间内，在基座(12)附近(即半导体晶片W上)使等离子体的密度平均化并且，使基座(12)附近的等离子体密度分布在径向上均匀化，由补正环(70)对RF天线(54)产生的RF磁场实施电磁场的补正，而且能够根据工艺条件由开关机构(110)改变补正线圈(70)的通电占空比。
等离子体处理装置方法

[发明专利]气蚀等离子体水处理装置及方法-CN201510940723.4在审
发明人：李芳;赵赫 -专利权人：李芳;赵赫
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种气蚀等离子体水处理装置及方法，所述装置包括文丘里管，所述文丘里管包括入口段（1）、收缩段（2）、喉舌段（3）和扩散段（4），所述扩散段（4）内设置有等离子体发生器（5），水体通过文丘里管的入口（6）进入入口段（1），再顺势进入收缩段（2），再进入喉舌段（3），流进扩散段（4），在扩散段（4）内有等离子体发生器（5）对水体及水体中的空泡发生作用，产生水处理效果。本发明一种气蚀等离子体水处理装置及方法，它在气蚀环境中应用等离子体进行水处理，技术构成简单，将气蚀的液体输送不利因素变成了等离子体工作条件，大大增强了等离子体的水处理效果，出现单纯等离子体水处理不可替代的优势
气蚀等离子体水处理装置方法

[发明专利]表面处理装置及其方法-CN201010221062.7无效
发明人：简荣祯;杨宏仁;张志振;林士钦;梁沐旺 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种表面处理装置及其方法，该表面处理装置包括有工艺腔体、传输腔体以及等离子体产生装置。该工艺腔体，其提供一沉积制作工艺。该传输腔体，其耦接于该工艺腔体的一侧，该传输腔体上开设有一开槽以提供容置该等离子体产生装置。该等离子体产生装置产生等离子体并将等离子体导引至该传输腔体内。利用该表面处理装置，本发明更提供一种表面处理方法，当一基板在该工艺腔体内完成沉积制作工艺之后，由该工艺腔体进入该传输腔体的过程中，使该等离子体产生装置产生等离子体以对该沉积层进行表面平坦化处理。
表面处理装置及其方法

[发明专利]用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺-CN201780027736.X有效
发明人：张林;路雪松;安德鲁·V·勒;吴昌锡;鑫海·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于半导体基板制造工艺的等离子体处理腔室的原位腔室清洁效率提高工艺的方法。在一个实施方式中，用于在清洁等离子体工艺之后执行等离子体处理工艺的方法包括以下步骤：在没有设置在等离子体处理腔室上的基板的情况下，在等离子体处理腔室中执行清洁工艺；随后将包括至少含氢气体和/或含氧气体的等离子体处理气体混合物供应到等离子体处理腔室中；将RF源功率施加到处理腔室，以由等离子体处理气体混合物形成等离子体；和等离子体处理处理腔室的内表面。
用于等离子体处理中的原位清洁效率提高工艺

[实用新型]低温等离子体处理装置-CN201921797243.7有效
发明人：朱本科;柴方刚;刘培华;刘云启 -专利权人：青岛双星环保设备有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型提出一种低温等离子体处理装置，属于有机废气治理领域，该处理装置包括等离子体箱体，与等离子体箱体相连的废气进口管路以及废气出口管路，等离子体箱体包括至少两个并联的等离子体箱体；等离子体箱体内设有若干平行设置的放电管，放电管两端为开口结构；还包括与放电管上部相连的水蒸气进口管路，以及与等离子体箱体下部相连的水蒸气出口管路。本实用新型解决了现有等离子体处理装置在进行清洗时无法进行生产，因此没法满足装置连续生产的工况的技术问题，具有生产连续运行、清洗完全、安全稳定的特点。
低温等离子体处理装置

[发明专利]等离子体装置-CN201580009953.7在审
发明人： T·B·胡比彻 -专利权人：兰德股份公司
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： A61B18/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于向人体施加等离子体的等离子体生成装置，所述装置包括：包含气体的贮存器，与所述贮存器流体连接的等离子体区，用于通过在所述等离子体区中放电来生成等离子体的器件，以及第一激光生成装置,其中所述等离子体区具有用于分配等离子体的出口，并且其中所述第一激光生成装置被布置来生成激光以用于同时用等离子体和激光处理表面。
等离子体装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180069770.X在审
发明人：井口敦智;斋藤泰彦;前田清司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，包括以下工序：工序a)，向配置有载置台的处理容器供给特定条件的工艺气体，该载置用于载置具有被蚀刻膜和以及被蚀刻膜上的掩模的被处理体；工序b)，通过在第一等离子体生成条件下生成的工艺气体的第一等离子体来对被处理体进行等离子体处理；工序c)，通过在第二等离子体生成条件下生成的工艺气体的第二等离子体来对被处理体进行等离子体处理，该第二等离子体生成条件是与第一等离子体生成条件中的高频电力的条件及处理时间不同而其它条件相同的等离子体生成条件
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和薄膜晶体管的制造方法-CN201510106294.0有效
发明人：藤永元毅;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明在于提供一种能够在薄膜晶体管的制造步骤中抑制腐蚀的发生并且对含有铝的电极进行图案化的等离子体处理装置等。等离子体处理装置(2)对形成有薄膜晶体管(4a、4b)的基板(F)实施等离子体处理，进行上述等离子体处理的处理容器(21)具备用于载置基板(F)的载置台(231)。真空排气部(214)进行处理容器(21)内的真空排气，从氢气供给部(262)供给作为等离子体产生用的气体的氢气。等离子体发生部(24)将上述等离子体产生用的气体等离子体化，进行在含有铝的金属膜的上层侧形成被图案化的抗蚀剂、通过含有氯的蚀刻气体对上述金属膜进行了蚀刻处理的基板的处理。
等离子体处理装置薄膜晶体管制造方法

[发明专利]具有成形工件夹具的环形等离子体处理装置-CN201680036668.9在审
发明人： W·霍尔伯;R·J·巴斯内特 -专利权人：普拉斯玛比利提有限责任公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括环形形状的等离子体容器，环形形状的等离子体容器包括处理室。磁芯围绕环形形状的等离子体容器的一部分。具有电连接到的磁芯的输出的RF电源向磁芯通电，由此在等离子体室中形成环形等离子体回路放电。工件夹具放置于环形形状的等离子体容器中并且包括至少一个面。形成等离子体引导结构的形状和尺寸以便将等离子体的一段约束在环形等离子体回路中，以基本上垂直于至少一个面的法向而行进。
具有成形工件夹具环形等离子体处理装置

[发明专利]微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板-CN200880020112.6无效
发明人：佐藤吉宏;小林岳志;盐泽俊彦;田村大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-10 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理方法以及微波透过板。微波等离子体处理装置(100)，其利用从平面天线(31)的微波放射孔(32)放射的、透过微波透过板(28)的微波在腔室(1)内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对载置于载置台(2)的被处理体(W)实施等离子体处理，其中，微波透过板(28)在其微波透过面的与被处理体的周缘部对应的部分具有凹凸状部(42)，与被处理体(W)的中央部对应的部分形成为平坦部(43)。
微波等离子体处理装置方法以及透过

[发明专利]等离子体处理容器内部件以及等离子体处理装置-CN200810083610.7有效
发明人：今福光祐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2001-12-07 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C23C4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，使用如下所述的等离子体处理容器的再生方法进行等离子体处理，该等离子体处理容器的再生方法是：向用稀土族氧化物、聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的任何一种喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的、随着在等离子体中的使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与所述喷镀膜相同的材料。
等离子体处理容器部件以及装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202011451572.3在审
发明人：山岸幸司;白泽大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制副产物的向腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域的沉积。腔室用于对基板进行等离子体处理。加热器与腔室内的未暴露于等离子体和为生成该等离子体而施加的高频电力的区域相对应地配置。加热器电源被设为能够向加热器供给脉冲状的电力。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种轻质合金材料耦合等离子体表面处理装置及处理方法-CN201811366768.5在审
发明人：孙卓;刘素霞 -专利权人：苏州神龙航空科技有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明涉及材料的等离子体表面处理技术领域，具体的讲是一种轻质合金材料耦合等离子体表面处理装置及处理方法，包括真空腔体、真空获得及控制组件、气体流量控制模块、等离子体产生模块、等离子能量控制模块，衬底及温度控制模块，通过采用电感耦合式等离子体（ICP）与电容耦合式等离子体（CCP）的耦合的处理装置，在较低温度下（100‑480℃），在电源功率一定的情况下，通过施加磁场来增强等离子体密度，降低基体的自偏压，可提高表面处理速率，同时等离子体处理的表面均匀性和可控性较好。
等离子体表面处理装置轻质合金材料耦合等离子体等离子体表面处理技术等离子体产生等离子体处理气体流量控制温度控制模块表面均匀性等离子能量电感耦合式电容耦合式处理装置电源功率控制模块控制组件真空获得真空腔体可控性自偏压耦合的衬底磁场施加