专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果10675671个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]超高屏蔽性能的电磁屏蔽膜及其生产工艺-CN201510242280.1有效
  • 李金明 - 东莞市万丰纳米材料有限公司
  • 2015-05-13 - 2015-08-19 - H05K9/00
  • 本发明公开了一种超高屏蔽性能的电磁屏蔽膜,包括依次排布的载体、绝缘、第一金属、第一胶第二金属第二导电胶、及保护,所述第一胶呈网状,至少部分所述第二金属填充于所述第一胶的网状孔隙内其中,第一胶设置呈网状,且至少部分金属填充于第一胶的网状孔隙内,置于第一胶的网状孔隙内的部分第二金属使得第一金属第二金属电导通并形成连续、立体的网状电磁屏蔽,使得本发明提供的超高屏蔽性能的电磁屏蔽膜的电磁屏蔽值达到本发明还公开了一种超高屏蔽性能的电磁屏蔽膜的生产工艺。
  • 超高屏蔽性能电磁及其生产工艺
  • [发明专利]封装结构的形成方法-CN201910681475.4有效
  • 陶玉娟 - 南通通富微电子有限公司
  • 2019-07-26 - 2021-04-13 - H01L21/56
  • 一种封装结构的形成方法,在将若干半导体芯片的功能面粘合在载板上后,形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽,且所述第一屏蔽的表面呈椭球状;在所述第一屏蔽上形成第二屏蔽;在所述第二屏蔽上以及半导体芯片之间的载板上形成塑封形成的具有椭球状表面的第一屏蔽不仅第一屏蔽本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面,并且在第一屏蔽的椭球状表面形成第二屏蔽时,第二屏蔽不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题,从而使得第一屏蔽和形成的第二屏蔽两者构成的整体屏蔽是完整的,提高了屏蔽的效果。
  • 封装结构形成方法
  • [实用新型]一种阻水四屏蔽同轴电缆-CN201921949199.7有效
  • 帅平跃;陈晓霖;谢钟铮;张国庆;任彦峰 - 浙江天杰实业股份有限公司
  • 2019-11-12 - 2020-06-16 - H01B7/18
  • 本实用新型涉及一种阻水四屏蔽同轴电缆,包括有内导体、绝缘、第一外导体、第二外导体和外护套,所述第一外导体由第一铝箔屏蔽和第一编织屏蔽组成,所述第二外导体由第二铝箔屏蔽第二编织屏蔽组成,所述第一外导体与第二外导体通过第一阻水层覆盖填充连接、第二外导体与外护套之间别通过第二阻水层覆盖填充连接;所述第一阻水层由第一环保阻水胶和第一阻水粉组成;所述第二阻水层由第二环保阻水胶和第二阻水粉组成;所述第二铝箔屏蔽采用绕包搭盖方式。本实用新型阻水层采用环保阻水胶和阻水粉结构,保护铝箔屏蔽不受潮气影响而氧化。
  • 一种阻水四屏蔽同轴电缆
  • [发明专利]半导体器件-CN201611264115.7有效
  • 孙晓峰;秦仁刚 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2016-12-30 - 2020-08-18 - H01L23/60
  • 本发明涉及一种半导体器件,包括衬底、衬底上的多晶硅、第一金属以及第二金属,设于所述第二金属和多晶硅之间的金属屏蔽,所述第一金属通过第一接触孔内的金属塞连接下方的所述多晶硅,所述第二金属在所述半导体器件中的高度大于所述金属屏蔽在所述半导体器件中的高度,所述金属屏蔽通过第二接触孔内的金属塞连接下方的所述衬底,所述金属屏蔽用于对所述第二金属产生的电场进行屏蔽以减少所述电场对所述多晶硅的影响。本发明设置金属屏蔽屏蔽第二金属产生的电场,能够提高多晶硅的电阻值的稳定性。且由于屏蔽了电场,在版图的布线时就不再需要将第二金属的走线避开多晶硅,因此可以提高布线的自由度。
  • 半导体器件
  • [实用新型]一种适用于全身微波辐射热疗的密封舱体-CN202120110168.3有效
  • 郭好雨 - 杭州麦微医疗科技有限公司
  • 2021-01-15 - 2021-12-03 - A61N5/02
  • 本实用新型涉及一种适用于全身微波辐射热疗的密封舱体,包括主体、位于主体两端的两个端盖、可出入舱体的床体,所述主体至少由第一半舱体、第二半舱体拼接而成,所述第一半舱体、第二半舱体的侧壁内分别设有第一屏蔽第二屏蔽,第一屏蔽第二屏蔽的拼接处设有主体密封条,第一屏蔽第二屏蔽、主体密封条用以实现主体在周向上的密封,所述主体的两端分别设有第一屏蔽端板和第二屏蔽端板,第一屏蔽端板和第二屏蔽端板与第一屏蔽第二屏蔽的端部连接处密封
  • 一种适用于全身微波辐射热密封
  • [实用新型]一种电磁屏蔽-CN202021480067.7有效
  • 林占富 - 东莞市贤康电子科技有限公司
  • 2020-07-24 - 2021-03-26 - C09J7/50
  • 本实用新型公开了一种电磁屏蔽布,包括基布,所述基布的上下表面涂覆有第一电磁屏蔽第二电磁屏蔽,第一电磁屏蔽的表面涂覆有第一导电铜布第二电磁屏蔽的表面涂覆有第二导电铜布,第一导电铜布的表面设有银色导电膜,第二导电铜布的表面设有丙烯酸压敏胶胶水层。采用真空电镀工艺,有效减少污水产生,减少环境污染,降低成本,效率提高,使用过程中避免渗胶到表面,第一电磁屏蔽第二电磁屏蔽防止被氧化,保持优越性能。
  • 一种电磁屏蔽
  • [实用新型]显示屏及电子装置-CN202122808060.4有效
  • 宋月龙 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2021-11-16 - 2022-04-26 - G09F9/30
  • 本申请提供一种显示屏及电子装置,显示屏包括显示面板、背板及偏光,背板及偏光分别形成在显示面板的相背的两个表面上;显示屏包括多个侧边;显示屏还包括:第一屏蔽,形成在偏光的远离显示面板的一表面上;第一屏蔽导电且透光;第二屏蔽,形成在背板的远离显示面板的一表面上;第二屏蔽导电且透光;及第三屏蔽,形成在侧边上且分别与第一屏蔽第二屏蔽电连接;第一屏蔽第二屏蔽及第三屏蔽构成一法拉第笼状结构。本申请提供的显示屏及电子装置能够屏蔽外界电场对TFT电性影响。
  • 显示屏电子装置
  • [实用新型]一种带骨架伺服电机专用电缆-CN202122044789.9有效
  • 李源 - 东莞源海电线电缆有限公司
  • 2021-08-27 - 2022-02-11 - H01B7/17
  • 本实用新型公开了一种带骨架伺服电机专用电缆,包括一结构主体,所述结构主体包括骨架、线芯、第一填充、第一屏蔽第二填充第二屏蔽、耐磨及护套,所述骨架设在所述第一填充的内部,所述第一填充设在所述线芯的外侧,所述第一屏蔽设在所述第一填充的外侧,所述第二填充设在所述第一屏蔽的外侧,所述第二屏蔽设在所述第二填充的外侧,所述耐磨设在所述第二屏蔽的外侧,所述护套包裹所述耐磨,本实用新型增设多段式骨架,具有传统骨架同等的抗压强度,比传统骨架增添了灵活性,可随意弯折,里外双层的屏蔽,减少了外界干扰,提高稳定性。
  • 一种骨架伺服电机专用电缆
  • [发明专利]屏蔽栅功率器件及其制备方法-CN202211505604.2有效
  • 高学;柴展;罗杰馨;栗终盛 - 上海功成半导体科技有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-08-29 - H01L29/423
  • 本发明涉及一种屏蔽栅功率器件及其制备方法。屏蔽栅功率器件包括:半导体;沟槽,位于半导体内;屏蔽栅介质,位于沟槽内;屏蔽栅介质包括第一屏蔽栅介质第二屏蔽栅介质;第一屏蔽栅介质层位于沟槽的底部;第二屏蔽栅介质层位于第一屏蔽栅介质的上表面;第一屏蔽栅介质包括高k介质屏蔽栅极,位于第二屏蔽栅介质内;栅介质,至少位于屏蔽栅极裸露的表面和沟槽裸露的侧壁;栅极,位于沟槽内,且位于屏蔽栅极的上方。本发明的屏蔽栅功率器件中,通过在屏蔽栅极下方增设高k介质作为第一屏蔽栅介质,可以显著提高器件的耐压,确保器件不会轻易在沟槽的底部被击穿。
  • 屏蔽功率器件及其制备方法
  • [发明专利]一种高透明高屏蔽效能的EMI结构-CN202310318863.2在审
  • 苏伟;李慧 - 深圳市志凌伟业技术股份有限公司
  • 2023-03-29 - 2023-07-07 - C09J7/29
  • 本发明涉及半导体设备领域,具体为一种高透明高屏蔽效能的EMI结构,包括基材,所述基材的两面依次粘附有第一减反第二减反,所述第一减反的上表面粘附有第一屏蔽,所述第一屏蔽的上表面覆盖有第一黑化,所述第一黑化的上表面覆盖有保护膜,所述第二减反的下表面粘附有第二黑化,所述第二黑化的下表面粘附有第二屏蔽,所述第二屏蔽的下表面粘附有胶粘。本发明能够有效减小电磁波透过率,进而增强了电磁屏蔽性能。
  • 一种透明屏蔽效能emi结构

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top