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[发明专利]一种降低剩余振幅调制的装置-CN201710173451.9有效
发明人：郑耀辉;孙小聪;王雅君;彭堃墀 -专利权人：山西大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：该装置包括一个三晶串联的电光调制装置，所述三个晶体分别为第一立方晶体、中间晶体和第二立方晶体；所述中间晶体为电光调制晶体，所述的中间晶体与所述高频信号源模块相连，所述中间晶体规格为Xmm×Ymm×dmm；所述第一立方晶体和第二立方晶体串联在中间晶体的X轴方向两端，所述第一立方晶体和第二立方晶体的相对介电常数与中间晶体的相对介电常数相等，所述第一立方晶体和第二立方晶体规格为d/2mm×Ymm×dmm。
一种降低剩余振幅调制装置

[发明专利]立方氮化硼晶体的制造方法-CN201510049045.2有效
发明人：马少彬 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼晶体的制造方法，包括以下步骤将六方氮化硼粉、触媒粉和添加剂均匀混合，并压制成合成棒，所述触媒粉包括氮化锂和氢化锂，所述添加剂包括氟化铵、氮化钛和氮化铝；对所述合成棒进行高压高温合成，得到立方氮化硼晶体粗品；破碎所述立方氮化硼晶体粗品，得到块状立方氮化硼晶体粗品；依次采用水、酸碱浸泡所述块状立方氮化硼晶体粗品，得到块状立方氮化硼晶体成品。由本发明得到的立方氮化硼晶体为一种等积形金色晶体，具有高强度，高热稳定性，耐磨性高，抗裂能力强，热稳定性高等特点，适用于长寿命电镀工具和陶瓷结合剂系统，应用于淬硬工具钢、硬质合金、合金钢、镍基和钴基高温合金材料的加工
立方氮化晶体制造方法

[发明专利]立方氮化硼晶体的制造方法-CN201510049012.8有效
发明人：马少彬 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种立方氮化硼晶体的制造方法，包括以下步骤将六方氮化硼粉、触媒粉和添加剂均匀混合，并压制成合成棒，其中，所述触媒粉包括氮化锂和氢化锂，所述添加剂包括硼化钙、碳化硼和氮化钛；对所述合成棒进行高压高温合成，得到立方氮化硼晶体粗品；破碎所述立方氮化硼晶体粗品，得到块状立方氮化硼晶体粗品；依次采用水、酸碱浸泡所述块状立方氮化硼晶体粗品，得到块状立方氮化硼晶体半成品。由本发明得到的黑色块状立方氮化硼晶体具有特定晶面的高强度磨料，其粒度峰值比较集中，静压强度Ti为65～70，热冲击韧性TTi为60～65，可以应用于特定高速钢和表面硬化钢、硬质合金、合金钢、镍基和钴基高温合金材料的加工
立方氮化晶体制造方法

[发明专利]立方晶氮化硼多晶体及其制造方法-CN202080010576.X有效
发明人：松川伦子;久木野晓;东泰助;阿部真知子 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：一种立方晶氮化硼多晶体，其是含有96体积％以上的立方晶氮化硼的立方晶氮化硼多晶体，其中，所述立方晶氮化硼的位错密度为8×1015/m2以下，所述立方晶氮化硼多晶体含有多个晶粒，所述多个晶粒的当量圆直径的中值粒径d50小于100nm。
立方氮化多晶体及其制造方法

[发明专利]立方晶氮化硼多晶体及其制造方法-CN202080010551.X有效
发明人：松川伦子;久木野晓;东泰助;阿部真知子 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：一种立方晶氮化硼多晶体，其是含有96体积％以上的立方晶氮化硼的立方晶氮化硼多晶体，其中，所述立方晶氮化硼的位错密度大于8×1015/m2，所述立方晶氮化硼多晶体含有多个晶粒，所述多个晶粒的当量圆直径的中值粒径d50小于100nm。
立方氮化多晶体及其制造方法

[发明专利]一种立方氮化硼单晶及其制备方法-CN201710948102.X有效
发明人：周星;崔卫民;李启泉;刘书锋 -专利权人：信阳市德隆超硬材料有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种立方氮化硼单晶的制备方法，包括以下步骤：称取六方氮化硼粉、Mg‑Al合金粉、长石粉，均匀混合，并压制成合成柱；对合成柱进行高温高压合成，得到黑色的立方氮化硼晶体粗品；破碎得到块状立方氮化硼晶体粗品，再经过酸处理、碱处理、烘干、筛分过程得到立方氮化硼晶体成品。本发明主要通过控制合成原料内长石粉的含量来实现控制合成立方氮化硼的粒度及其他性能。由本发明提供的立方氮化硼晶体的制备方法可以合成出粒度范围在60‑140目及以细范围内的立方氮化硼。该种立方氮化硼可以应用在制备立方氮化硼聚晶及复合片、立方氮化硼超硬砂轮及研磨产品。
一种立方氮化硼单晶及其制备方法

[发明专利]立方晶氮化硼多晶体及其制造方法-CN202080010567.0在审
发明人：松川伦子;久木野晓;东泰助;阿部真知子 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：一种立方晶氮化硼多晶体，其是含有98.5体积％以上的立方晶氮化硼的立方晶氮化硼多晶体，其中，所述立方晶氮化硼的位错密度大于8×1015/m2，所述立方晶氮化硼多晶体含有多个晶粒，所述多个晶粒的当量圆直径的中值粒径d50为0.1μm以上0.5μm以下。
立方氮化多晶体及其制造方法

[发明专利]立方氮化硼多晶体、切削工具、耐磨工具、研磨工具、和制造立方氮化硼多晶体的方法-CN201510184483.X在审
发明人：石田雄;山本佳津子;角谷均 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种包含立方氮化硼的立方氮化硼多晶体，所述立方氮化硼的平均晶粒尺寸不小于150nm，在23℃±5℃以及4.9N的测试负荷下的努氏硬度测量中，比值b/a不大于0.085，比值b/a为努氏压痕的较长对角线的长度本发明还涉及切削工具、耐磨工具、研磨工具和制造立方氮化硼多晶体的方法。本发明的立方氮化硼多晶体为具有韧性的多晶体。
立方氮化多晶体切削工具耐磨研磨制造方法

[发明专利]立方晶体氮化物半导体器件及其制造方法-CN98116669.5无效
发明人：油利正昭;上田哲三;马场孝明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-07-30 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：目的是在立方晶体Ⅲ-V族化合物半导体衬底上边，形成表面平坦性和结晶性良好的立方晶体氮化物半导体晶体。其构成是：具有含铝的立方晶体半导体层，在氮化合物气氛中加热该半导体层2，使半导体层的一个表面氮化，之后，采用向上述半导体层上供给氮化合物和含Ⅲ族元素的化合物的办法，在上述半导体层2上形成立方体氮化物半导体层
立方晶体氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种低温制备EuB₆纳米立方体晶体的方法-CN201910131590.4在审
发明人：童东革;王涛;向德力;吴平;唐冬梅 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温制备EuB₆纳米立方体晶体的方法，本发明采用液相等离子体技术和溶剂热法相结合成功地在低于一百摄氏度的温度下合成出了EuB₆纳米立方体晶体。与高温制备的EuB₆纳米立方体晶体相比，低温制备的EuB₆纳米立方体晶体比表面积更大，抑菌效果更强。将有希望拓展EuB₆纳米立方体晶体在医疗器械涂料和直接治疗伤口或烧伤等方面的应用。
纳米立方体低温制备晶体的金黄色葡萄球菌丁胺卡那霉素液相等离子体高温制备卡那霉素抗菌活性溶剂热法抑菌医疗器械伤口烧伤涂料合成拓展治疗应用表现成功

[实用新型]一种激光器晶体散热装置-CN202320379751.3有效
发明人：陈宇琪;郭建设;徐开伟 -专利权人：武汉华日精密激光股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光器晶体散热装置，包括散热件，所述散热件开设有用于安装立方体晶体的安装通孔，所述安装通孔的截面为长方形，所述立方体晶体设置在所述安装通孔内且与所述安装通孔的四个内壁与所述立方晶体的四个外壁分别平行设置本实用新型中的激光器晶体散热装置可改善立方体晶体的散热效果。
一种激光器晶体散热装置

[发明专利]一种以甲酸铜为原料制备单分散立方晶体PCPs材料的方法-CN201811409100.4有效
发明人：唐宽镇 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以甲酸铜为原料制备单分散立方晶体PCPs材料的方法，将四水合甲酸铜溶于DMF溶剂配成盐溶液，向盐溶液中依次加入甲酸和三乙胺对盐溶液进行处理得到处理后的盐溶液；将N,N′,N″‑三‑(3,5‑二羧基苯基)‑1,3,5‑三‑胺甲酰基苯溶于DMF溶剂得到配体溶液，将等体积的配体溶液加入处理后的盐溶液中，在75℃条件下反应3小时，得到含有单分散立方晶体PCPs材料的溶液；对含有单分散立方晶体PCPs材料的溶液进行离心分离后并洗涤，得到成品单分散立方晶体PCPs材料；本发明可以在常压下进行制备单分散立方晶体PCPs材料，缩短了制备反应的时间，提高了生产效率。
立方晶体单分散盐溶液甲酸铜配体溶液原料制备制备胺甲酰基成盐溶液生产效率二羧基三乙胺苯基常压甲酸水合洗涤

[发明专利]制备金刚石立方纳米晶体的方法-CN201080011981.X有效
发明人：帕特里克·屈尔米;让-保罗·布杜;阿兰·托雷尔;费尔多·热勒佐科;莫汉姆德·塞努尔 -专利权人：国家健康与医学研究院;方法和工业加工研究与发展协会
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：用于制备金刚石立方纳米晶体(10)的方法，包括以下相继步骤：(a)提供金刚石晶体粉末，其中所述粉末的最大粒径等于或大于2μm且等于或小于1mm；(b)用氮气射流研磨微粉化研磨所述微米金刚石晶体粉末，以制备细粉；(c)用行星式碳化钨球磨机纳米研磨步骤b)的细粉；(d)酸处理步骤c)的纳米研磨的粉末；(e)通过离心提取金刚石立方纳米晶体(10)。有利地，制备出圆形金刚石立方纳米晶体。
制备金刚石立方纳米晶体方法

[发明专利]绿色立方氧化锆晶体的生长方法-CN91111945.0在审
发明人：张莲花;王文华;崇志华 -专利权人：天津市硅酸盐研究所
申请日： 1991-12-30 - 公布日： 1992-06-24 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种采用冷坩埚法生长绿色立方氧化锆晶体的方法。其着色剂为氧化铜和氧化铥，经处理后，加在氧化锆和氧化钇的基质原料中，采用高频加热，获得立方氧化锆晶体，再经退火，即可获得高雅大方，光彩夺目的稀有人工绿色立方氧化锆晶体。
绿色立方氧化锆晶体生长方法

[发明专利]立方晶体三氧化二锑的制备方法-CN92114236.6无效
发明人：扬秉文;甘庆民 -专利权人：北京航空材料研究所
申请日： 1992-12-12 - 公布日： 1995-04-26 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：一种立方晶体三氧化二锑的制备方法，系在碱性水溶液中将三氯化锑溶液直接水解，经洗涤和烘干得到立方晶体三氧化二锑。本发明的方法反应时间短，操作简便，所得立方晶体三氧化二锑晶型完整单一，纯度高，色泽好，是聚酯生产的良好催化剂。本方法可用于大规模生产立方晶体三氧化二锑。
立方晶体氧化制备方法

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