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[发明专利]显示面板及电子设备-CN202211430260.3在审
发明人：余洪涛;李育豪;卜维亮;苏冬冬;童慧;张云颢;余忠祥;杨宗顺;黄冠达;王辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：其中，显示面板具有内切区与隔断区，内切区与隔断区相邻。显示面板包括：衬底、发光层与空穴注入层。发光层位于内切区的部分被配置执行发光功能，发光层位于衬底上。空穴注入层位于发光层与衬底之间，发光层位于空穴注入层远离衬底的一侧。空穴注入层包括第一子空穴注入部与第二子空穴注入部。第一子空穴注入部位于隔断区。第二子空穴注入部位于内切区，且位于发光层与衬底之间。第二子空穴注入部与衬底之间的距离小于第一子空穴注入部与衬底之间的距离，且第一子空穴注入部与第二子空穴注入部相隔断。
显示面板电子设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示面板-CN201810186748.3有效
发明人：宁云龙;董廷泽;李婧 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管的制备方法包括：形成薄膜晶体管的沟道区；对所述沟道区进行处理，在所述沟道区表面形成空穴层。其中，对所述沟道区进行处理包括：在化学气相沉积设备中，采用硼烷等离子体对所述沟道区表面进行处理，在所述沟道区表面形成带正电荷空穴的空穴层。薄膜晶体管包括沟道区，所述沟道区表面形成有空穴层。其中，所述空穴层中形成有带正电荷的空穴。本发明通过在沟道区表面形成空穴层，空穴层利用其中带正电荷的空穴单元与迁移至沟道区表面的电子复合，避免了沟道区表面可能形成的电流通道，有效降低了漏电流，改善了薄膜晶体管特性。
薄膜晶体管及其制造方法阵列显示面板

[发明专利]发光器件、发光器件的制作方法以及显示装置-CN202110371116.6有效
发明人：周雪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种发光器件、发光器件的制作方法以及显示装置，所述发光器件包括平面区和位于所述平面区至少一侧的弯折区，所述发光器件还包括：阳极层，设置所述平面区以及所述弯折区；空穴传输层，设置于所述阳极层上，所述空穴传输层在所述弯折区的厚度大于所述空穴传输层在所述平面区的厚度；发光层，设置于所述空穴传输层上；阴极层，设置于所述发光层上。本申请将发光器件设置空穴传输层在所述弯折区的厚度大于所述空穴传输层在所述平面区的厚度，通过增加空穴传输层在弯折区的膜层厚度，从而增加了弯折区的发光强度，进而减缓弯折区的亮度衰减，提高显示屏平面区和弯折区的亮度的均一性
发光器件制作方法以及显示装置

[发明专利]一种AlInGaN基发光二极管-CN201910522319.3在审
发明人：全知觉;刘军林;张建立;江风益;莫春兰;郑畅达;王小兰 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
空穴阻挡层平面区发光二极管半导体层超晶格层禁带源层空穴发光效率复合发光侧壁高铝填充

[发明专利]具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件-CN201210585132.6无效
发明人：芦田洋一;高桥茂树 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种具有横向绝缘栅双极晶体管的半导体器件包括：第一导电类型漂移层（2）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型集电极区（4）、在所述漂移层（2）的表面部分中形成的第二导电类型沟道层（6）、在所述沟道层（6）的表面部分中形成的第一导电类型发射极区（7）、以及在所述漂移层（2）中形成并定位于所述集电极区（4）和所述发射极区（7）之间的空穴截断区（14）。空穴从所述集电极区（4）注入所述漂移层（2）中，并且通过空穴路径向所述发射极区（7）流动。所述空穴截断区（14）阻挡空穴流并使所述空穴路径变窄以使空穴聚集。
具有横向绝缘双极晶体管半导体器件

[发明专利]一种具有空穴路径区的RC-IGBT-CN202211452768.3在审
发明人：伍伟;喻明康;高崇兵 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有空穴路径区的RC‑IGBT，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，在P型浮空区添加连接发射极的假栅，使假栅与邻近真栅之间形成狭窄的空穴路径区，并使其直接连接发射极。在器件正向导通阶段，流入P型浮空区的空穴通过假栅附近的反型P区，再经过该空穴路径区直接被抽取至发射极，从而降低P型浮空区的电位，减小P型浮空区流向栅极的位移电流，增加栅极可控性，减小EMI噪声。在器件正向关断阶段，空穴路径区额外的空穴通路能够加快器件空穴抽取速率，加快器件关断速度，降低关断损耗。在器件反向导通阶段，空穴路径区可以为集成二极管的导通提供额外的路径，优化集成二极管的导通特性。
一种具有空穴路径 rc igbt

[发明专利]LDMOS器件-CN201710904201.8有效
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包括：漂移区，体区；由栅介质层和多晶硅栅叠加形成的栅极结构，源区和漏区；在漏区的外侧的漂移区中形成有由P+区组成的空穴注入区；空穴注入区的深度大于漏区的深度；在积累层区域中形成有由N型掺杂区组成的电荷存储区；空穴注入区在器件导通时提供空穴注入以减少导通电阻，电荷存储区用于对空穴漂移进行阻挡。电荷存储区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度以及电荷存储区的掺杂浓度小于体区的掺杂浓度，使器件截止时漂移区的耗尽由体区和漂移区的掺杂浓度决定。本发明能降低器件的导通电阻，同时保持良好的击穿电压。
ldmos 器件

[实用新型]一种AlInGaN基发光二极管-CN201920907952.X有效
发明人：全知觉;刘军林;张建立;江风益;莫春兰;郑畅达;王小兰 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本实用新型采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
空穴阻挡层平面区本实用新型半导体层超晶格层禁带源层空穴发光二极管发光效率复合发光侧壁高铝填充

[发明专利]背照式图像传感器及提高背照式图像传感器灵敏度的方法-CN201611218462.6在审
发明人：李杰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器及提高背照式图像传感器灵敏度的方法，所述背照式图像传感器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底背面的空穴层；位于所述半导体衬底中，且靠近所述空穴层的耗尽区；位于所述耗尽区背离所述空穴层一侧的N型的光生载流子收集区；包围所述光生载流子收集区的P型的隔离区；所述空穴层、所述隔离区和所述光生载流子收集区的电势分别为第一电势、第二电势及第三电势，使所述耗尽区中的电子和空穴沿竖直方向迁移，电子聚集于所述光生载流子收集区，空穴通过所述空穴层导出。本发明中，半导体衬底厚度的增加不受隔离区注入深度的限制，从而能够增加半导体衬底的厚度，提高图像传感器的灵敏度。
背照式图像传感器提高灵敏度方法

[发明专利]有机电致发光装置及包括其的显示装置-CN202111441619.2在审
发明人：高效敏;吴一洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：提供了有机电致发光装置和包括其的显示装置，该有机电致发光装置包括：第一电极，设置在第一电极上的空穴传输区，设置在空穴传输区上的发射层，设置在发射层上的电子传输区，和设置在电子传输区上的第二电极。空穴传输区包括邻近第一电极设置的第一空穴传输层，以及设置在第一空穴传输层和发射层之间的第二空穴传输层，第一空穴传输层包括具有第一介电常数的第一有机化合物，第二空穴传输层包括具有大于第一介电常数的第二介电常数的第二有机化合物
有机电致发光装置包括显示装置

[发明专利]半导体器件-CN201610548915.5有效
发明人：露木肇 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在有源单元区中，在半导体衬底的插入在嵌入了第一和第二沟槽栅电极的第一和第二沟槽之间的部分中，形成n+型发射极区、位于其下方的p型体区和位于其下方的第一n型空穴屏障区在空穴集电极单元区中，在半导体衬底的插入在嵌入了第三和第四沟槽栅电极的第三和第四沟槽之间的部分中，形成p型体区和位于其下方的第二n型空穴屏障区，但没有形成等同于n+型发射极区的n型半导体区。在第一n型空穴屏障区和第二n型空穴屏障区下方，存在杂质浓度低于其杂质浓度的n‑型漂移区。第二n型空穴屏障区的杂质浓度高于第一n型空穴屏障区的杂质浓度。
半导体器件

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202010827735.7有效
发明人：蔡振飞 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括平面区以及设置在平面区两侧的弯曲区，显示面板包括层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、阴极和封装层，在弯曲区内，空穴传输层在远离平面区的一侧的厚度大于空穴传输层靠近平面区一侧的厚度，封装层在远离平面区的一侧的厚度小于封装层靠近平面区一侧的厚度；显示装置包括驱动芯片，驱动芯片储存有补偿电压转换表根据弯曲区像素角度给弯曲区像素提供补偿电压。本发明通过改变弯曲区空穴传输层和封装层的厚度来缓解弯曲区色偏过大的问题，还对弯曲区像素的电压进行补偿，进一步改善色偏问题。
一种显示面板显示装置

[发明专利]发光装置及用于发光装置的胺化合物-CN202111490750.8在审
发明人：今泉拓;宇野卓矢 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：发光装置包括：第一电极，设置在第一电极上的空穴传输区，设置在空穴传输区上的发射层，设置在发射层上的电子传输区，以及设置在电子传输区上的第二电极；空穴传输区包括选自空穴注入层、空穴传输层、空穴缓冲层和电子阻挡层中的至少一个层
发光装置用于化合物

[发明专利]一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及其制备方法-CN202110105602.3在审
发明人：李钊君;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜;弓小武 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种降低导通电阻的功率半导体器件结构及制备方法，包括N‑漂移区，位于N‑漂移区上面的Pbody、N+源区、P+接触区，沟槽栅自Pbody区垂直深入至N‑漂移区，在N‑漂移区背面形成有P+集电区；在所述Pbody区与N‑漂移区接触面间引入有一层N型薄层空穴势垒层；所述N型薄层空穴势垒层的掺杂浓度高于N‑漂移区的掺杂浓度且低于Pbody区掺杂浓度。本发明通过N型薄层空穴势垒层的引入可以阻止集电极P+区内的空穴进入Pbody区，因而大量的空穴储存在N‑漂移区内，增大了漂移区的非平衡载流子浓度，导致器件正向导通时N‑漂移区电阻Rdrift降低，从而降低器件导通电阻
一种降低通电功率半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201110215381.1有效
发明人：李相泌;宋泳录;宋正培;崔凡洛 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述有机发光显示装置包括：红色子像素区、绿色子像素区和蓝色子像素区，每一个都包括位于基板上的第一电极；位于所述基板与所述第一电极之间的分布布拉格反射器(DBR)层；位于所述DBR层上并覆盖所述第一电极的空穴注入层；位于所述空穴注入层上的空穴传输层；位于所述绿色子像素区中的所述空穴注入层与所述空穴传输层之间的辅助层；位于所述蓝色和绿色子像素区中的所述空穴传输层上的绿光发射层；位于所述蓝色子像素区中的所述绿光发射层上的蓝光发射层；以及位于所述红色子像素区中的所述空穴传输层上的红光发射层。
有机发光显示装置及其制造方法

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