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[发明专利]一种硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法-CN201910494293.6在审
发明人：杨勤桃;解庆林;陈南春;代俊峰;曾鸿鹄;梁延鹏 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2019-06-09 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法。该方法以3‑氨基丙基三乙氧基硅烷为偶联剂，4‑吡啶甲酸为功能单体，正硅酸乙酯为交联剂，硅藻土为支持体，采用表面印迹法制备硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料。本发明的硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中Cr（Ⅲ）离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
硅藻土基离子印迹吸附材料制备机械性能氨基丙基三乙氧基硅烷特异性识别选择性去除正硅酸乙酯表面印迹功能单体空穴结构吡啶甲酸低成本硅藻土交联剂偶联剂支持体可用洗脱离子三维环保

[发明专利]一种基于MCM-41分子筛表面的Cr(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法-CN202010714739.4在审
发明人：弓亮;彭芃;杨勤桃;黄丽丽;解庆林;陈南春 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MCM‑41分子筛表面的Cr(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法。该方法以N‑(β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，介孔MCM‑41为载体，采用表面印迹法制备基于MCM‑41分子筛表面的Cr(Ⅲ)离子印迹材料。本发明的介孔MCM‑41Cr(Ⅲ)离子印迹吸附材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中Cr(Ⅲ)离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
一种基于 mcm 41 分子筛表面 cr 离子印迹材料制备方法

[发明专利]一种锂离子印迹杂化膜的制备方法及其用途-CN201710420929.3有效
发明人：崔久云;谢阿田;张宇锋;李春香;闫永胜;周志平 -专利权人：江苏大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B01D71/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂离子印迹杂化膜的制备方法及其用途，制备如下：步骤1、制备聚偏氟乙烯/氧化石墨烯杂化膜；步骤2、制备聚偏氟乙烯/氧化石墨烯@聚多巴胺杂化膜；步骤3、制备锂离子印迹杂化膜；本发明采用离子印迹技术制备具有特异性识别的印迹杂化膜材料，在其他竞争离子存在下能有效的识别并吸附锂离子。
一种锂离子印迹杂化膜制备方法及其用途

[发明专利]羟肟酸型蒙脱土离子印迹材料及其制备方法和应用-CN201710839903.2有效
发明人：汤琳;朱超;胡天觉;曾光明;邓垚成;王佳佳;刘雅妮;方思源 -专利权人：湖南大学
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C08F292/00 文献下载
摘要：本发明中公开了一种羟肟酸型蒙脱土离子印迹材料及其制备方法和应用，该羟肟酸型蒙脱土离子印迹材料是以蒙脱土为载体，通过表面离子印迹技术和电子转移活化原子转移自由基聚合技术在蒙脱土表面嫁接羟肟酸基团，以金属离子为模板，乙二醇二缩水甘油醚为交联剂，对蒙脱土表面的羟肟酸基团进行金属离子印迹，洗脱模板后制备得到。本发明的羟肟酸型蒙脱土离子印迹材料具有选择性吸附量大、吸附效率高、性质稳定、无污染、重复利用性好等优点，其制备方法具有步骤简单、操作方便、生产效率高等优点，将其用于处理重金属废水时具有操作简单、处理成本低
蒙脱土羟肟酸离子印迹材料金属离子制备乙二醇二缩水甘油醚原子转移自由基聚合制备方法和应用选择性吸附重复利用性重金属废水重金属吸附表面嫁接表面离子电子转移生产效率吸附效率洗脱模板性质稳定印迹技术交联剂活化印迹

[发明专利]一种锂离子印迹聚醚砜复合膜的制备方法及应用-CN201710202755.3有效
发明人：姜大雨;卢健;秦莹莹;闫永胜;王良 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B01D71/68 文献下载
摘要：本发明是一种锂离子印迹聚醚砜复合膜的制备方法，属功能材料制备技术领域。以聚醚砜膜为基底膜材料，锂离子为模板、12‑冠‑4‑醚为结合位点、甲基丙烯酸为功能单体、乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂、偶氮二异丁腈为引发剂，结合多巴胺表面改性技术、二氧化硅纳米复合技术、印迹聚合技术，制备锂离子印迹聚醚砜复合膜静态吸附实验用来研究所制备的锂离子印迹聚醚砜复合膜的吸附平衡、吸附动力学和选择性识别性能；选择性渗透实验用来研究所制备的锂离子印迹聚醚砜复合膜对目标离子(锂离子)和非目标离子(钠离子和钾离子)的渗透性能利用本发明制备的锂离子印迹聚醚砜复合膜对锂离子具有较高的特异性吸附能力和识别分离能力。
一种锂离子印迹聚醚砜复合制备方法应用

[发明专利]一种基于MCM-41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法-CN202010712933.9在审
发明人：弓亮;彭芃;杨勤桃;黄丽丽;解庆林;陈南春 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MCM‑41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料的制备方法。该方法以N‑(β‑氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷为功能单体，环氧氯丙烷为交联剂，MCM‑41分子筛为载体，采用表面印迹法制备基于MCM‑41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料。本发明的基于MCM‑41分子筛表面的As(Ⅲ)离子印迹材料具有特定的三维空穴结构，机械性能好，易洗脱，可用于水溶液中As(Ⅲ)离子的特异性识别和选择性去除，且具有低成本、环保等优点。
一种基于 mcm 41 分子筛表面 as 离子印迹材料制备方法

[发明专利]一种稀土钇离子水相印迹膜及其对相邻重稀土的分离应用-CN202110896874.X在审
发明人：陈厉;汪怡锬;戴静闻;董欢;潘为国 -专利权人：江苏大学
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土钇离子水相印迹膜及其对相邻重稀土的分离应用，属于材料制备和分离技术领域。以聚偏氟乙烯、乙烯‑乙烯醇共聚物和二(2,4,4‑三甲基戊基)次磷酸共混制备聚合物杂化膜作为基膜。以Y离子为印迹模板离子，在纯水相介质中，以衣康酸IA为印迹功能单体，以N,N‑亚甲基双丙烯酰胺MBA为交联剂，亚硫酸氢钠SBS过硫酸铵APS为氧化还原引发剂，在基膜表面印迹聚合，构筑钇离子水相印迹膜。制备过程纯水相介质中进行，膜材料的水接触角大幅降低。同时对印迹模板钇离子优先吸附与渗透，在同类稀土分离膜材料中具有极大优势。
一种稀土离子水印迹及其相邻分离应用

[发明专利]一种孔道填充型分子/离子双位点印迹聚合物的制备方法-CN201610123574.7有效
发明人：刘树成;潘建明;朱恒佳;周永超;姚俊彤;苑东 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明提供一种孔道填充型分子/离子双位点印迹聚合物的制备方法，属环境功能材料制备技术领域；本发明首先对实心硅球进行了改性做成稳定粒子，紧接着通过ATRP分子印迹技术制备Pickering高内相乳液带有离子和分子双重印迹功能的印迹聚合物（M‑IIPs）；进行一系列处理后得到吸附剂，并将吸附剂用于水溶液中三氟氯氰菊酯（LC）和铜离子的选择性识别和分离；本发明制备的分子/离子的双重识别分子印迹材料具有较好的热稳定性，较高的吸附容量，具有多级孔结构，具有明显的LC分子和铜离子的识别性能。
一种孔道填充分子离子双位点印迹聚合物制备方法

[发明专利]一种功能性聚合物及制备方法、及利用其制备离子印迹聚合物的方法-CN202210796614.X有效
发明人：朱海艳;颜成虎;温树梅;丛威;翁瑶;满宇桐 -专利权人：中国科学院赣江创新研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C08F220/06 文献下载
摘要：本发明提供一种功能性聚合物及制备方法、及利用其制备离子印迹聚合物的方法，所述功能性聚合物具有如式I或式II所示结构。离子印迹聚合物的制备方法包括以下步骤：(1)将金属盐、功能性聚合物、交联剂以及溶剂混合，分散，制得涂层材料；(2)将步骤(1)的涂层材料涂覆在基底材料表面，干燥，利用紫外光照射，后处理，得到所述离子印迹聚合物本发明的功能性聚合物包含光反应性基团和能与金属离子配位的功能基团，当将其用于制备离子印迹聚合物时，光反应性基团可利用紫外光反应使基底材料与功能性聚合物实现化学键合，提高了功能性聚合物与基底材料结合的稳定性；能与金属离子配位的功能基团可吸附金属离子，使基底材料具有吸附性能。
一种功能聚合物制备方法利用离子印迹

[发明专利]离子印迹磁性富集材料的制备方法-CN201710492377.7在审
发明人：沈昊宇;叶思;王燕;张佳丽;胡美琴 -专利权人：浙江大学宁波理工学院
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开一种离子印迹磁性富集材料的制备方法，该方法包括(1)首先采用溶剂热法制备纳米Fe3O4磁核；(2)然后以金属离子为模板离子制备功能化单体；(3)再采用超声协助悬浮聚合法在纳米Fe3O4磁核表面聚合制备具有核‑壳结构的离子印迹磁性复合材料；(4)最后洗脱模板离子得目标离子印迹磁性复合材料。
离子印迹磁性富集材料制备方法

[发明专利]一种正砷酸根离子印迹材料及其制备方法和应用-CN202211461649.4在审
发明人：马丽丽;徐汐文 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明属于离子印迹材料技术领域，具体涉及一种正砷酸根离子印迹材料及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法：将硅藻土和有机酸溶液混合进行活化反应，将得到的活化硅藻土、十六烷基三甲基溴化铵、水溶性砷酸盐、水和有机溶剂混合进行改性反应，将得到的改性硅藻土印迹离子溶液和正硅酸乙酯混合进行交联聚合反应本发明制得的CTAB改性反应硅藻土As(V)离子印迹材料对水体中的As(V)离子具有较好的选择性、去除效果好，能够显著降低水体中As(V)离子的浓度。
一种酸根离子印迹材料及其制备方法应用

[发明专利]一种印迹型电容去离子电极压片及其制备方法和应用-CN202210522757.1有效
发明人：贺琼琼;彭海森;韩宁;苗真勇;高瑞泽;向鹏旭;马萍 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01M4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种印迹型电容去离子电极压片及其制备方法和应用。该印迹型电容去离子电极压片以二苯并‑14‑冠‑4为捕获剂，吡咯为导电剂，通过交联法合成。该电极压片先利用二苯并‑14‑冠‑4和多壁碳纳米管制备离子印迹聚合物，再利用吡咯、离子印迹聚合物和导电剂制备电极压片。本发明通过离子印迹与电容去离子技术的结合，合成了一种新型印迹电容去离子化电极，通过电场驱动和冠醚选择性识别的协同作用，在酸性溶液中实现了对Li+离子的良好分离。本发明有潜力发展成为酸性环境中Li+离子回收的优良材料和方法。
一种印迹电容离子电极压片及其制备方法应用

[发明专利]一种柿子皮印迹复合材料及其制备方法-CN202110518727.9在审
发明人：高丽慧;李树磊;曹亦俊;王立章;李鹏;刘恒峰;牛沉沉;李玲妮;柴娜 -专利权人：中国矿业大学;徐州润锋新材料有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种柿子皮印迹复合材料及其制备方法，该方法是利用柿子皮中含有丰富植物单宁的特点，采用表面印迹技术，以柿单宁为功能单体，金属离子为模板，在交联剂作用下，在柿子皮表面形成印迹聚合物，酸溶液洗脱金属离子，制得柿子皮印迹复合材料。该材料具有结构稳定、对模板金属离子吸附容量大，可多次重复使用等优良性能。本发明不仅工艺流程简单，制备成本低廉，还能实现废弃生物质的增值化利用，具有良好的经济效益和社会效益。
一种柿子印迹复合材料及其制备方法

[发明专利]一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物的制备方法-CN202210508305.8有效
发明人：李正;毕嘉楠;彭逸博;张兰河;陈子成 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物的制备方法，它涉及一种锂离子印迹聚合物的制备方法。本发明的目的是要解决现有回收锂的方法成本高且步骤繁杂和现有磁性离子印迹聚合物制备方法负责和容易团聚，导致对锂吸附容量降低的问题。；二、制备Fe3O4@SiO2@IIP/RGO，即为高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物本发明制得的高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物相较于目前的锂离子印迹材料有明显的抗团聚特性，饱和吸附容量显著提升。本发明制得的高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物对锂离子的吸附率可达99.9％。本发明可获得一种高抗团聚RGO基磁性锂离子印迹聚合物。
一种团聚 rgo 磁性锂离子印迹聚合物制备方法

[发明专利]一种提高铀酰离子选择性吸附效率的方法-CN201810876727.4有效
发明人：马红娟;敖浚轩;徐晓;邢哲;张岚;李晴暖;吴国忠 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铀酰离子选择性吸附效率的方法，包括步骤：S1：将含有吸附功能基团的高分子纤维或无纺布置于含铀酰离子的溶液中，获得吸附有铀酰离子的高分子纤维或无纺布；S2：将吸附有铀酰离子的高分子纤维或无纺布转移至水中，采用辐射交联法对其进行铀酰离子的印迹化处理，获得铀酰离子印迹型吸附材料；S3：将铀酰离子印迹型吸附材料投入到含有铀酰离子与其他共存离子的溶液中，溶液中的铀酰离子将被选择性吸附到铀酰离子印迹型吸附材料中根据本发明提供的方法，实现了对铀酰离子的高选择性、高效率吸附，而对其他共存离子的吸附容量下降，为寻找可替代铀资源以应对陆地铀资源匮乏以及维持我国军事核力量的持续发展做出重大贡献。
一种提高离子选择性吸附效率方法