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[发明专利]氮化物半导体和半导体装置-CN202210902723.5在审
发明人：彦坂年辉;名古肇;吉田学史;田岛纯平 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体和半导体装置。提供能够提高特性的氮化物半导体和半导体装置。根据实施方式，氮化物半导体的氮化物部件含有：包含Alx1Ga1‑x1N(0x1≤1)的第1氮化物区域、包含Al氮化物区域设于第1氮化物区域与第3氮化物区域之间。第2氮化物区域包含碳和氧。第1氮化物区域不包含碳。或者，第2氮化物区域中的第2碳浓度比第1氮化物区域中的第1碳浓度高。第2碳浓度比第3氮化物区域中的第3碳浓度高。第2氮化物区域中的第2氧浓度相对于第2碳浓度的比为1.0×10‑4以上且1.4×10‑3以下。
氮化物半导体装置

[发明专利]一种金属氮化物＠含氮介孔碳纳米碳球及其制备方法-CN201910924815.1有效
发明人：鲁墨弘;张朋;柴恭璞;沈栩铖;王东磊;向方远;李明时;张伟 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：具体涉及一种金属氮化物＠含氮介孔碳纳米碳球及其制备方法。本发明涉及的金属氮化物＠含氮介孔碳催化材料是由含氮介孔碳包裹的金属氮化物组成的花状氮化物纳米碳球。所涉及金属为Ni，Co，Fe，W等。含氮介孔碳包裹的作用有利于金属氮化物的高度分散，在提高金属氮化物含量的同时还可以使金属氮化物的颗粒大小保持在1nm左右。本发明的制备方法简单，金属氮化物分布均匀，具有很高的分散度和稳定性，且催化材料寿命长，具有很好的工业应用前景。
一种金属氮化物含氮介孔碳纳米及其制备方法

[发明专利]复合碳氮化物粉末及其制造方法-CN201680063964.8有效
发明人：道内真人;津田圭一;凑嘉洋;石田友幸;松本明英;林武彦 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B21/082 文献下载
摘要：所述复合碳氮化物粉末包含：作为主要成分元素的Ti；以及选自由Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al和Si构成的组中的至少一种添加元素。所述复合碳氮化物粉末包含多个含有Ti和一种或多种添加元素的复合碳氮化物颗粒。所述多个复合碳氮化物颗粒包括多个均质组成颗粒，其中各复合碳氮化物颗粒中Ti的平均浓度和添加元素的平均浓度与全部复合碳氮化物粉末中Ti的平均浓度和添加元素的平均浓度的差值在‑5原子％以上5原子％以下的范围内均质组成颗粒的截面积占复合碳氮化物颗粒1p的截面积的90％以上，并且均质组成颗粒的数量占复合碳氮化物颗粒1p的90％以上。
复合氮化物粉末及其制造方法

[发明专利]具有掺杂的外延结构的III族氮化物半导体器件-CN201710408363.2在审
发明人：万建伟;S·坎南;P·基姆;S·尼尔森;朴成恩;M·通加雷 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：公开了具有掺杂的外延结构的III族氮化物半导体器件。一种化合物半导体器件包括掺杂有碳和/或铁的第一III族氮化物缓冲层、在第一III族氮化物缓冲层上方并且掺杂有碳和/或铁的第二III族氮化物缓冲层、在第二III族氮化物缓冲层上方的第一III族氮化物器件层、以及在第一III族氮化物器件层上方并且具有不同于第一III族氮化物器件层的带隙的第二III族氮化物器件层。二维电荷载气沿着第一和第二III族氮化物器件层之间的界面产生。第一III族氮化物缓冲层具有大于第二III族氮化物缓冲层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。第二III族氮化物缓冲层具有相当于或大于第一III族氮化物器件层的碳和/或铁的平均掺杂浓度。描述了一种制造化合物半导体器件的方法。
具有掺杂外延结构 iii 氮化物半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180000640.0有效
发明人：周以伦;吴芃逸 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层和碳氮化物半导体层。第一氮化物半导体层在衬底上方。第二氮化物半导体层形成在第一氮化物半导体层上，并且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。碳氮化物半导体层位于衬底和第一氮化物半导体层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于层状化合物的碳基叠氮化物复合物及其制备方法-CN202111046367.3在审
发明人：杨利;闫振展;韩纪旻;佟文超 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C06B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳基叠氮化物复合物及其制备方法，以有机‑无机层状化合物、含铅有机‑无机层状化合物、含银有机‑无机层状化合物为前驱体材料，经过碳化和原位叠氮化反应制备出一类以碳为载体的叠氮化物复合物材料。本发明制备碳叠氮化物复合物的方法，制备方法新颖、原料便宜易得、工艺简单易行。本发明得到的碳叠氮化物起爆药，与传统的改性叠氮化物相比，叠氮化物含量较高，具有较强的起爆能力。由于碳材料具有优异导电性能并限制叠氮化物颗粒的自由运动，极大地提高了其静电安全性。
一种基于层状化合物叠氮化物复合物及其制备方法

[发明专利]一种高强韧性高熵碳氮化物陶瓷及其制备方法-CN202211151004.0在审
发明人：吝楠;李傲奇;黎蓉;吴正刚;马超;王祖勇 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C04B35/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强韧性高熵碳氮化物陶瓷及其制备方法，所述高熵碳氮化物陶瓷由高熵碳氮化物陶瓷基体和弥散分布于高熵碳氮化物陶瓷基体中的W2C颗粒组成，所述制备方法为按设计比例配取过渡族金属元素对应的氧化物、碳黑，混合获得混合粉，将混合粉于氮气气氛下进行原位碳热还原氮化反应，获得高熵陶瓷粉体，然后将高熵陶瓷粉体通过放电等离子烧结即得高强韧性高熵碳氮化物陶瓷，本发明高熵碳氮化物陶瓷，利用含W的高熵碳氮化物陶瓷合成过程中的相分离行为，实现了颗粒W2C的原位生成和高熵碳氮化物陶瓷的制备，原位生成的W2C颗粒会通过第二相强化机理提升高熵陶瓷力学性能。
一种高强韧性高熵碳氮化物陶瓷及其制备方法

[发明专利]包含3-氨基-1;2;4-三唑和尿素单体单元的介孔碳氮化物材料-CN201780051025.6在审
发明人：阿贾扬·维努;古鲁达斯·P·马内;乌戈·拉翁;哈利德·巴希利 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B01J35/04 文献下载
摘要：描述了碳氮化物材料和制造所述碳氮化物材料的方法。碳氮化物材料可以是基于3‑氨基‑1,2,4,‑三唑和尿素的三维C₃N₅介孔碳氮化物基质，其原子碳氮比为0.55至0.8，碱性含氮基团为0.15毫摩尔/g至0.25
碳氮化物氨基介孔碳三唑尿素碱性含氮基团氮化物材料氮化物基质单体单元原子碳三维制造

[发明专利]包覆切削工具-CN202080067356.0在审
发明人：伊坂正和 -专利权人：株式会社MOLDINO
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B23C5/00 文献下载
摘要：一种包覆切削工具，其在基材的表面上具有A层以及设置在所述A层之上的B层，所述A层由氮化物或碳氮化物构成且具有面心立方晶格结构，该氮化物或碳氮化物以50原子％以上含有Al、以20原子％以上含有Cr、以合计B层由氮化物或碳氮化物构成且具有面心立方晶格结构，该氮化物或碳氮化物以金属(含半金属)元素的总量计以70原子％以上且90原子％以下含有Ti、以5原子％以上且20原子％以下含有Si、以1原子％以上且10原子
切削工具

[发明专利]一种稀土元素碳化物、氮化物或碳氮化物粉末的制备方法-CN202211003475.7有效
发明人：刘颖;连利仙;刘国琴 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C01B32/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土元素碳化物、氮化物或碳氮化物粉末的制备方法，属于稀土化合物制备技术领域。本发明首先将稀土元素氧化物、炭黑、液相介质混合后顺次进行球磨、干燥、氢化处理，得到氢化处理的粉末，再将氢化处理的粉末在气氛条件下进行碳热还原反应，得到稀土元素碳化物、氮化物或碳氮化物粉末。本发明所制得的稀土元素碳化物、氮化物或碳氮化物粉末均为高纯度类球形纳米级粉末，并且碳热还原反应温度较低，反应时间较短，节约了能源。
一种稀土元素碳化物氮化物粉末制备方法

[发明专利]用于浇铸的构件-CN200510091401.3有效
发明人：井上谦一;井上健 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2005-08-10 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： B22D17/20 文献下载
摘要：一种用于浇铸的构件，该构件包含作为基材的热作模具钢或高速钢并至少在其工作面上含有涂层，其中在这些涂层中的最外层主要由氮化物、氧氮化物或碳氮化物中的至少一种组成，所述氮化物、氧氮化物或碳氮化物主要由V构成，而含有主要由Cr构成的氮化物、氧氮化物或碳氮化物中至少一种的另外一个涂层形成为刚好在基材上的层。如果需要，在所述最外层和所述刚好在基材上的层之间的界面上可以形成作为涂层的中间层，而所述中间层包括主要由V和Cr构成的氮化物、氧氮化物或碳氮化物中的至少一种。
用于浇铸构件

[发明专利]富氮三维介孔碳氮化物的制备及其传感和光催化性质-CN201780049753.3在审
发明人：古鲁达斯·P·马内;阿贾扬·维努;乌戈·拉翁;哈利德·巴希利 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：公开了涉及具有高氮含量的介孔碳氮化物材料的组合物、工艺和方法。所述介孔碳氮化物材料具有基于三维C₃N₅ 3‑氨基‑1,2,4‑三唑的介孔碳氮化物的基质，该介孔碳氮化物材料的原子氮与碳之比为1.4至1.7，带隙为1.8eV
介孔碳氮化物材料氨基三维介孔碳氮化物氮化物光催化原子氮传感带隙富氮高氮基质三唑制备三维

[发明专利]一种石墨碳/金属氮化物复合纳米管阵列及其制备方法和应用-CN201811287039.0有效
发明人：李高仁;王辉;何序骏 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明涉及超级电容器电极材料领域，更具体地，涉及一种石墨碳/金属氮化物双壁纳米管阵列及其制备方法。本发明通过ZnO模板法电沉积法实现金属氧化物附着在石墨碳层的表面和石墨碳和金属氮化物对ZnO纳米棒的双层包覆，通过对金属氧化物的氮化处理和酸洗，从而制备出石墨碳/金属氮化物复合纳米管阵列。本发明所述的制备方法能实现石墨碳/金属氮化物复合纳米管阵列的可控合成，并调控石墨碳层和金属氮化物层各层厚度，可显著提高金属氮化物的导电性，提高电活性物种的传输速度，提高电极材料的性能。工艺简单，适合规模化或工业化生产，制备的石墨碳/金属氮化物复合纳米管阵列具有优越的超电容性能。
一种石墨金属氮化物复合纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]一种碳负载镍铜二元氮化物催化剂及其制备方法和应用-CN201810170454.1有效
发明人：侯朋飞;康鹏 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳负载镍铜二元氮化物催化剂及其制备方法和应用，所述碳负载镍铜二元氮化物催化剂包括碳载体和负载于碳载体上的镍铜二元氮化物纳米颗粒；所述碳负载镍铜二元氮化物催化剂中，镍铜二元氮化物纳米颗粒的负载量为所述制备方法包括如下步骤：将镍盐、铜盐、碳载体和水混合搅拌，得到混合溶液；所述混合溶液经处理得到前驱体；所述前驱体进行升温反应得到产物，所述产物降至室温得到碳负载镍铜二元氮化物催化剂。本发明还公开了所述碳负载镍铜二元氮化物催化剂在电催化还原二氧化碳为合成气中的应用。本发明的碳负载镍铜二元氮化物催化剂具有较高的二氧化碳还原能力，给二氧化碳还原提供了新途径。
一种负载二元氮化物催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于碳布/镓氧氮化物的工作电极和超级电容器-CN202011176451.2有效
发明人：盖利刚;刘利彬;王家钰;李学林;班青 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明属于电化学储能技术领域，涉及一种电化学工作电极和超级电容器及其制备方法，工作电极由碳布/镓氧氮化物制得；所述碳布/镓氧氮化物为，镓氧氮化物纳米粒子负载于碳布纤维之上；镓氧氮化物纳米粒子的尺寸为10超级电容器，由碳布/镓氧氮化物工作电极、隔膜、电解液和外封装组成。本发明所提供的碳布/镓氧氮化物工作电极和对称式水系超级电容器，具有较高的面积比容量、出色的倍率性能和电化学循环稳定性。
一种基于氮化物工作电极超级电容器

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