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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种能同时碳化多个钽片的装置及方法-CN202011078251.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C8/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化钽片的装置及方法，属于半导体材料制备技术领域。为解决现有钽片碳化装置无法分清碳化前和碳化后的钽片碳化情况的不足，本发明提供了一种能同时碳化多个钽片的装置，包括：坩埚体、坩埚上盖、钽片托架、保温层垫块和保温层壳体，多个钽片托架叠放在坩埚体内，钽片托架外壁上刻有编号一种能同时碳化多个钽片的方法，步骤为：将碳粉和钽片按碳粉、钽片、碳粉的次序放入钽片托架，盖上坩埚上盖，放入保温层，加热，使钽片在一定的碳化温度内碳化一定时间。本发明通过钽片托架上的标记区分钽片，通过比较碳化前后钽片重量观察钽片碳化是否达标。
一种同时碳化多个钽片装置方法

[发明专利]碳化钽的评价方法-CN201780065450.0有效
发明人：野口骏介;大矢信之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价
碳化评价方法

[发明专利]一种用于氮化铝单晶生长的钽金属件碳化方法-CN201610509503.0在审
发明人：程章勇 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氮化铝单晶生长的钽金属件碳化方法，所述碳化方法包括如下步骤：1)碳化钽件的清洗：对碳化钽件进行清洗；2)裁剪碳毡片：依据碳化钽件的几何外形以及尺寸大小，将碳毡裁剪成设定形状的碳毡；3)组装：将裁剪好的碳毡、碳粉、碳化钽件层叠有秩地放置在加热筒内；4)碳化：对加热筒进行加热，以完成对碳化钽件的碳化；5)取出碳化钽件并清洗：从发热筒内取出碳化钽件并进行清洗；6)将步骤5)中清洗后的碳化钽件干燥后储藏备用本申请的碳化方法能够充分利用发热筒内的容量空间，提高了空间利用率，切实有效地减少了能源浪费，且碳化钽件的碳化非常均匀。
一种用于氮化铝单晶生长金属件碳化方法

[发明专利]一种PVT法用碳化钽坩埚材料回收利用方法-CN202110295121.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C04B33/132 文献下载
摘要：一种PVT法用碳化钽坩埚材料回收利用方法，它属于碳化钽坩埚材料回收技术领域。本发明要解决的技术问题为碳化钽坩埚材料的回收方法。本发明氮化铝晶体生长结束后，取失效的碳化钽坩埚，清理干净碳化钽坩埚内的氮化铝原料，将碳化钽坩埚破碎球磨后用氢氟酸和硝酸的混合溶液进行洗涤，然后经过乙醇超声清洗、烘干，得到碳化钽粉加入一定量的碳粉，进行碳化反应，然后在800‑850℃下，空气环境下煅烧，得到碳化钽微粉放入钽化钽坩埚中，并在2000‑2100℃下进行高温煅烧，得到5N级碳化钽微粉，经过冷等静压成型、煅烧，得到成型后的钽坩埚。
一种 pvt 碳化坩埚材料回收利用方法

[发明专利]一种碳化钨钽的制备方法-CN202010137446.4在审
发明人：颜有根;杨建伟 -专利权人：株洲昊坤硬质材料有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种碳化钨钽的制备方法，方法的步骤中含有：将碳化钨粉、五氧化二钽和碳黑均匀混合，得到混合料；混合料碳化固溶在一起形成碳化钨钽；其中，形成的碳化钨钽中，钨和钽的质量比为(50±0.1)：(本发明通过该方法能够很好地得到碳化钨钽，并且碳化钨钽添加部分合金中。使硬质合金具有非常好的耐磨性和非常好的韧性。
一种碳化制备方法

[发明专利]碳化钽坩埚及其制备方法和应用-CN202011572743.8在审
发明人：郭丽伟;胡伟杰;王文军;陈小龙 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化钽坩埚，其包括：碳化钽坩埚本体，其中所述碳化钽坩埚本体具有均匀壁厚，以及所述碳化钽坩埚本体包括具有上端开口的圆筒状侧壁和呈下凹的空心半球状底壁；其中所述侧壁和所述底壁一体成型；碳化钽坩埚盖本发明还提供一种制备本发明的碳化钽坩埚的方法。本发明还提供本发明的碳化钽坩埚或者本发明的方法制得的碳化钽坩埚在晶体生长，特别是氮化铝晶体生长中的应用。本发明的碳化钽坩埚解决传统一体式坩埚易于开裂的问题和分体式坩埚带来损失原料、退化石墨保温辅件性能、影响温场稳定控制的诸多弊端。
碳化坩埚及其制备方法应用

[实用新型]一种新式钽坩埚碳化的石墨加热器-CN202121273449.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C8/64 文献下载
摘要：一种新式钽坩埚碳化的石墨加热器，属于钽坩埚制作领域。本实用新型解决了现有的钽坩埚碳化装置一次仅能碳化一个钽坩埚，且受到钽坩埚尺寸的限制需要不同的碳化装置进行碳化，导致钽坩埚碳化效率低的问题。本实用新型包括底盖、石墨容器、上盖和石墨片，石墨容器的上下两端分别连接有上盖和底盖，多个石墨片由下至上安装在石墨容器的内壁上，并将石墨容器分隔为多个加热腔室，钽坩埚通过夹持固定机构布置在非顶层加热腔室内通过本实用新型的石墨加热器，可以同时对多个不同尺寸的钽坩埚进行碳化，提高钽坩埚碳化效率和碳化质量，且本装置结构简单，易于制备，节省了加工成本。
一种新式坩埚碳化石墨加热器

[发明专利]碳化钽涂层制备方法及石墨坩埚、碳化硅晶体生长装置-CN202310445017.7在审
发明人：严寿亮;张振远;袁志杰;罗小双;王浩;王明华 -专利权人：杭州乾晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体技术领域，特别涉及一种碳化钽涂层制备方法及石墨坩埚、碳化硅晶体生长装置。，最终形成碳化钽涂层。TaxOyCz中间体粉末在烧结过程中形成的液态氧化钽与固态碳化钽的混合体，氧化钽与石墨发生化学反应，在石墨坩埚内表面形成碳化钽涂层，使得碳化钽涂层不易脱落，液态的氧化钽带动固态的碳化钽颗粒在石墨坩埚内表面流动，使得碳化钽填充到石墨材料的孔隙中，提升了石墨坩埚内表面的碳化钽涂层的致密性。同时，石墨坩埚的内侧壁分为上、中、下三段不同预涂层厚度的方式进行涂覆，进一步提升了碳化钽涂层的致密性。
碳化涂层制备方法石墨坩埚碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种含有碳化钽的保温面料的制作方法-CN201610984107.3在审
发明人：李春;牛宝河;张玉俭 -专利权人：天津天投纺织有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： B32B3/16 文献下载
摘要：本发明公开一种含有碳化钽的保温面料的制作方法，包括帆布层、碳化钽层、毛绒层，其特征在于：碳化钽层的碳化钽为长条结构，毛绒层有众多毛绒缝隙，本发明的积极效果是：碳化钽层的碳化钽具有较好的吸热保温效果，通过毛绒层的多毛绒缝隙将热量传输到人体上达到保温的效果
一种含有碳化保温面料制作方法

[发明专利]一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽坩埚制备方法-CN202310173706.7在审
发明人：史月增;赖占平;程红娟;郝建民;张丽;王增华;殷利迎;王英民 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种在碳化硅上生长氮化铝使用的碳化钽坩埚制备方法。将圆形钽桶压在钽片上，外部裹上一至两圈钽箔，再紧密套在石墨环托里进行加热碳化，碳化过程中，圆形钽桶、钽片、钽箔三者发生膨胀，在被石墨环托束缚的情况下紧密结合在一起形成碳化钽坩埚。本方法以较低成本制备出所需碳化钽坩埚；采取本方法制备的坩埚减少了籽晶处的轴向温差，有助于在籽晶处形成轴向温度较为均匀热场，有助于大尺寸氮化铝单晶的生长，且适合在碳化硅、氮化铝双重高温气氛下稳定不形变，可长时间稳定使用
一种碳化硅生长氮化使用碳化坩埚制备方法

[发明专利]一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法-CN202111495981.8有效
发明人：杨丽雯;程章勇;张云伟;何丽娟 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C30B19/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法，包括碳化钽坩埚、通气管、石墨棒以及碳化钽墨盖；碳化钽坩埚上宽下窄的圆台结构，圆台结构底面放置有Al面朝上的氮化铝籽晶，通过特殊粘接工艺粘接在了该圆台上；石墨棒的底部粘结有氮化铝籽晶；碳化钽盖加盖在碳化钽坩埚的顶部，通气管穿过碳化钽盖伸入碳化钽坩埚内，石墨棒固定在炉腔的上提拉结构上并伸入碳化钽坩埚内。
一种产量氮化铝单晶相生结构生长方法

[发明专利]一种碳基表面形成的碳化钽涂层及其形成方法和用途-CN202110077559.4在审
发明人：薛卫明;马远;潘尧波 -专利权人：中电化合物半导体有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳基表面形成碳化钽涂层方法，所述方法包括：提供一碳基体；于所述碳基体表面形成至少一预涂层，所述预涂层的原料由碳化钽粉末和/或五氧化二钽、石墨粉，以及酚醛树脂的混合物组成；于所述预涂层表面涂覆五氧化二钽以形成表层；经加热和退火步骤，所述五氧化二钽和碳反应还原生成碳化钽，所述预涂层形成所述碳和所述碳化钽混合涂层，所述表层形成所述碳化钽涂层，其中，所述碳由所述碳基体、所述石墨粉和所述酚醛树脂提供。根据本发明提供的碳基表面形成碳化钽涂层方法可有效改善因碳化钽涂层和碳基体膨胀系数差异过大引起的热失配问题，防止制备或使用过程中涂层裂纹的产生。
一种表面形成碳化涂层及其方法用途

[发明专利]碳化钽复合材料-CN202111433622.X有效
发明人：曺东完 -专利权人：韩国东海炭素株式会社
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化钽复合材料，更具体地，涉及一种包括基材及形成在所述基材上的碳化钽膜的碳化钽复合材料，所述碳化钽膜的表面接触角为50°以上，具有较低的表面能。
碳化复合材料

[发明专利]一种超高温度下使用的复合型坩埚的制备方法-CN201310045352.4有效
发明人：齐海涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C8/64 文献下载
摘要：该方法依照以下步骤进行：（A）钽坩埚预处理；（B）坩埚组件组装；（C）装炉碳化；（D）去除碳基材料；（E）退火热处理；（F）清洗干燥，即制备出碳化钽－钽－碳化坦三层复合型结构的坩埚。采取本方法可以将钽坩埚直接转化成碳化钽－钽－碳化坦三层复合型坩埚。通过退火热处理工艺消除了钽坩埚转化成碳化钽－钽－碳化坦三层复合型坩埚过程中因温度不均匀而产生的碳化程度差异，并消除了埚体内应力。复合型坩埚既保留了钽的高强度不宜破碎的特点，又具有了碳化坦的高温抗腐蚀性能力，适用于高温高腐蚀性晶体生长或高纯陶瓷烧结环境。
一种超高温度使用复合型坩埚制备方法

[发明专利]覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件-CN201811468226.9在审
发明人：森力;山村和市;狩野正树;平手晓大 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明涉及覆碳化钽的碳材料和其制造方法、半导体单晶制造装置用构件。[课题]提供制品寿命长的半导体单晶制造装置用构件和覆碳化钽的碳材料。[解决方案]本发明的覆碳化钽的碳材料的特征在于，其为用以碳化钽为主成分的碳化钽覆膜覆盖碳基材表面的至少一部分的覆碳化钽的碳材料，对于碳化钽覆膜，针对面外方向，与(200)面对应的X射线衍射线的强度大于与其他晶面对应的
碳化钽碳材料半导体单晶制造装置覆膜制品寿命强度比碳基材制造覆盖

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