“碲硫镉靶材”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果397399个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]近红外碲化镉/硫化镉核壳量子点的快速水相制备方法-CN202010262066.3有效
发明人：江源;王祎;杨嘉灏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外碲化镉/硫化镉核壳量子点的快速水相制备方法，包括如下步骤：将镉盐溶液、巯基配体分别加入到水溶液中，搅拌均匀得到混合溶液，其中，巯基配体和镉盐的摩尔比为1.7～2.4:1；将混合溶液调节pH值至9～12，通氮气30分钟以上，之后加入碲氢化钠水溶液，混合均匀得到碲化镉前驱体溶液，其中，碲氢化钠和镉离子的摩尔比为0.05～0.2:1；将碲化镉前驱体溶液加热5分钟后，在溶液中加入镉盐溶液、巯基配体，其中步骤二中碲氢化钠与新加入镉离子的摩尔比为50～150:1，新加入巯基配体和镉离子的摩尔比为1.7～2.4:1。用去离子水将溶液稀释20～60倍，调节pH值至11～12.5，加热一段时间后得到近红外碲化镉/硫化镉核壳量子点。利用本发明方法可以快速水相制备碲化镉/硫化镉核壳量子点，获得的碲化镉/硫化镉核壳量子点具有稳定的的荧光性质。
红外碲化镉硫化镉核壳量子快速制备方法

[发明专利]一种室温制备碲化镉纳米线的方法-CN202010262060.6有效
发明人：江源;王祎;杨嘉灏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温制备碲化镉纳米线的方法，包括如下步骤：将一缩二乙二醇和甲醇混合，其中一缩二乙二醇占总溶液体积超过25％；将镉盐溶液、巯基乙酸分别加入到混合溶液中，其中，巯基乙酸和镉离子的摩尔比为2～4:1，镉离子的摩尔浓度为1～5mM；将溶液调节pH值至9～11，通氮气30分钟以上，之后加入碲氢化钠水溶液，继续通氮气30分钟，得到碲化镉前驱体溶液，其中，碲氢化钠和镉离子的摩尔比为0.05～0.2:1；将碲化镉前驱体溶液在室温下搅拌一段时间后得到碲化镉纳米线。利用本发明方法可以在室温下制备碲化镉纳米线，获得的碲化镉纳米线稳定性较好。
一种室温制备碲化镉纳米方法

[发明专利]一种碲化镉量子点及其制备方法-CN201610008968.8在审
发明人：陈建彬;王翔;黄明鹭 -专利权人：厦门市京骏科技有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化镉量子点的制备方法，选用碲单质作为碲源，氯化镉作为镉源，水作为溶剂，在绝氧加热条件下制备碲前体溶液；将碲和镉的前体溶液混合后，在反应釜中进行水热反应制得碲化镉量子点。本发明选用的原料和溶剂来源广泛、成本低廉、对环境友好；反应条件温和，容易控制，反应时间大大减小；得到的碲化镉量子点水溶性好、荧光量子产率较高；该方法简便、快捷，同时可以进行大规模的制备，为合成高质量碲化镉量子点提供了一个经济
一种碲化镉量子及其制备方法

[发明专利]一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法-CN202111664539.3在审
发明人：龚汉红;陈世锐;陈路;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和/或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和/或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和/或背面，将碲镉汞芯片正面和/或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
一种有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用-CN202310218035.1在审
发明人：张轶;喻松林;刘世光;于艳;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法及应用，包括：在碲镉汞芯片的表面涂覆预设厚度的光刻胶；利用光刻设备对所述碲镉汞芯片需要去除的碲锌镉衬底的部分区域进行曝光、显影，以裸露出该部分区域；将裸露出的碲锌镉衬底部分去除；去除光刻胶；重新在碲镉汞芯片的表面涂覆指定厚度的光刻胶；利用掩膜曝光显影将光子晶体的图形从掩膜版转移至红外探测器芯片表面；使用碲锌镉腐蚀液对碲锌镉衬底进行腐蚀，以去除指定厚度的碲锌镉衬底本申请的方法实现利用光子晶体结构替代原有的增透膜结构，在探测器整个光谱响应范围内实现高效的增透作用，大幅提升碲镉汞红外探测器性能。
碲镉汞红外探测器表面光子晶体结构加工方法应用

[发明专利]一种高纯碲化镉的制备方法-CN202010536795.3有效
发明人：胡智向;朱刘;文崇斌;范文涛 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化镉的制备方法包括以下步骤：将碲与镉按规定摩尔比进行混合，其中碲相对于镉过量；将混合好的碲与镉的混合物装入坩埚舟中；将坩埚舟放入石英管中，抽真空，并将石英管封口；将密封好的石英管放入水平定向凝固炉中，采用多段升温方式加热保温，使碲与镉进行反应；反应完成后使坩埚舟、石英管及管内物料冷却至常温，切开石英管，取出合成反应获得的碲化镉，所获得的碲化镉纯度为6N。本发明提供的碲化镉的制备方法中，首先对金属镉与碲进行单独处理，确保生产过程中不会产生大的蒸汽压，有效防止生产过程中发生炸管的可能性。同时将水平合成与水平定向凝固相结合，形成一步法制备6N及以上高纯碲化镉。
一种高纯碲化镉制备方法

[发明专利]一种碲锌镉晶体智能生长方法、系统、设备及存储介质-CN202211282330.5在审
发明人：雷宇;戴伟;唐婧;陈琳 -专利权人：湖南大合新材料有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体智能生长方法、系统、设备及存储介质，其方法包括：终端接收微电脑发送的碲锌镉晶体初始生长条件，并将所述碲锌镉晶体初始生长条件输入到晶体生长模型中进行计算，得到碲锌镉晶体生长所需的温度参数；所述终端通过对所述碲锌镉晶体初始生长条件和所述温度参数进行仿真处理，判断在所述温度参数下是否能长出高质量碲锌镉晶体；当判断在所述温度参数下能长出高质量碲锌镉晶体时，所述终端将所述温度参数发送给所述微电脑，使所述微电脑根据所述温度参数控制碲锌镉晶体生长炉内的温度信息。
一种碲锌镉晶体智能生长方法系统设备存储介质

[发明专利]超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池-CN200810044295.7无效
发明人：张静全;雷智;冯良桓;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。本发明采用柔性超薄石墨片作为衬底材料，在石墨片上溅射一层铜，进行热处理。铜扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲，再沉积碲化镉并进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火处理过程中，在石墨片和碲化镉之间形成重掺杂的CuxTe层而实现柔性石墨衬底与碲化镉之间的欧姆接触。然后依次沉积硫化镉、透明导电薄膜和栅状铝电极获得柔性碲化镉薄膜太阳电池。本发明解决了制备高效柔性碲化镉电池所需的较高工艺温度与常规柔性衬底耐受温度低的矛盾。
超薄石墨衬底碲化镉太阳电池

[发明专利]一种碲化镉量子点及其制备方法-CN201510025448.3有效
发明人：徐国宝;马吉德·萨德特;高文跃 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碲化镉量子点的制备方法，包括以下步骤：A)将次硫酸氢钠甲醛、碲单质和水在碱性条件下混合，进行反应，得到碲前体；B)在无氧环境中，将镉源、巯基乙酸与所述步骤A)得到的碲前体混合，进行反应，得到碲化镉量子点本发明提供的碲化镉量子点的制备方法以次硫酸氢钠甲醛为还原剂，反应条件更加温和，更容易控制，并且，次硫酸氢钠甲醛便宜易得，成本较低，且得到的碲化镉量子点荧光量子产率较高，实验结果表明，按照本发明提供的制备方法得到的碲化镉量子点的荧光量子产率能够达到本发明还提供了一种碲化镉量子点。
一种碲化镉量子及其制备方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910019216.5有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜太阳能电池，包括由下至上依次设置的衬底层、光吸收层、背接触层和背电极层，所述的光吸收层为碲化镉薄膜层，所述的背接触层由碲化锑与硒化铜的复合材料构成。本发明所述的碲化镉薄膜太阳能电池设置碲化锑与硒化铜的复合材料的背接触层，可以与碲化镉光吸收层形成良好的欧姆接触，降低了势垒，同时掺杂的硒化铜可以有效的改善碲化镉光吸收层的缺陷，而且硒扩散到碲化镉界面后，可以有效的提高碲化镉的禁带宽度，呈现深“V”型的梯度变化，电池初始性能、长期稳定性优异，转换效率高。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器表面处理的方法-CN201811554876.5在审
发明人：祁娇娇;宁提;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器表面处理的方法，涉及红外探测器器件技术领域，该方法包含如下步骤：对碲镉汞材料进行湿法清洗；对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。本发明方法通过对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗，解决了现有的碲镉汞材料在装片的过程中生成自生氧化层的问题，提高了器件芯片的性能。
碲镉汞材料红外探测器干法清洗表面腐蚀湿法清洗器件技术领域自生氧化层镀膜处理器件芯片样品盘吹干装片

[发明专利]硫化镉陶瓷靶材的制备方法-CN201611042961.4在审
发明人：王耀斌 -专利权人：陕西盛迈石油有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种硫化镉陶瓷靶材的制备方法。硫化镉陶瓷靶材的制备方法，第一步，原料配制CdS粉末以及助熔剂；第二步，混合先将CdC12溶于热水后与PVA水溶液混合均匀，用小喷壶喷洒到CdS粉末中，并充分搅拌均匀；第三步，烘干将混合好的原料放入干燥箱中烘干目的粉料颗粒；第五步，困料过筛后的粉料颗粒密闭困料，确保水分均匀；第六步，成型将粉料装入模具进行干压成型；第七步，烧结将压好的样品放入坩埚内进行烧结，采用真空烧结的方式，并真空随炉冷却至室温，制成硫化镉陶瓷靶材通过本发明制备的靶材试样能满足磁控溅射镀膜工艺对靶材的指标要求。
硫化陶瓷制备方法

[发明专利]一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法-CN201510021250.8在审
发明人：林时胜;李晓强;陈红胜;王朋;章盛娇;徐志娟;吴志乾;钟汇凯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池由衬底材料、石墨烯、碲化镉以及电极构成。光生载流子主要在碲化镉层中产生，石墨烯层与碲化镉层构成的肖特基结收集光生载流子。本发明的太阳电池利用低成本的碲化镉作为光吸收材料，工艺简单，并可以制作成为柔性电池和双面电池，扩大应用领域及提高实际发电量。
一种石墨碲化镉太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法-CN202010932454.8有效
发明人：孙士文 -专利权人：宁波碲晶光电科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化镉或碲锌镉多晶料的制备方法，其特征在于包括以下制备工艺流程：1）将第一坩埚、能够装入第一坩埚内的第二坩埚、盖合第一坩埚的第一盖子清洗干净并烘干；其中，第一坩埚具有沿外周壁的环形槽；第一盖子的顶部封闭、底部开口且侧壁能够插入环形槽内；第二坩埚底部开设有孔；2）按拟合成碲化镉的配比称取单质碲、单质镉；或者按拟合成碲锌镉的配比称取单质碲、单质镉、单质锌。本发明的制备方法采用液封技术阻止镉蒸气挥发损失，第一坩埚可以重复多次使用，从而降低了成本；通过减小碲与镉的瞬时反应量，减轻了碲与镉化合反应的剧烈程度，降低了对合成设备的耐压要求，降低了设备成本。
一种制备碲化镉碲锌镉多晶方法

[发明专利]一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法-CN202010932731.5有效
发明人：孙士文 -专利权人：宁波碲晶光电科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化镉或碲锌镉多晶料的制备方法，其特征在于包括以下制备工艺流程：1）将第一坩埚、盖合第一坩埚的第一盖子清洗干净并烘干，其中，第一坩埚具有沿外周壁的环形槽；第一盖子的顶部封闭、底部开口且侧壁能够插入环形槽内；2）按拟合成碲化镉的配比称取单质碲、单质镉；或者按拟合成碲锌镉的配比称取单质碲、单质镉、单质锌。本发明的制备方法采用液封技术阻止镉蒸气挥发损失，第一坩埚可以重复多次使用，从而降低了成本；通过采用水平式坩埚增大碲单质与镉熔体的接触面积，使化合反应热量快速散失，避免积温，减轻了碲与镉化合反应的剧烈程度
一种制备碲化镉碲锌镉多晶方法

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条