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[发明专利]一种碲硫镉靶材及其制备方法与应用-CN202110476335.0在审
发明人：余芳;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲硫镉靶材的制备方法，包括：(1)将碲化镉粉末和硫化镉粉末混合均匀，得到混合粉末；(2)将混合粉末在500～700℃下烧结1～2h，得到初烧结粉末；(3)将初烧结粉末进行球磨混合，得到球磨粉末将球磨粉末转入模具中，然后在真空环境下进行热压烧结，其中，先加热至400～500℃保温30～50min，再加热至700～900℃保温60～100min，压力为30～50MPa，烧结完成后，随炉冷却，得到靶材毛坯；(5)对靶材毛坯进行机加工，制成目标尺寸的碲硫镉靶材成品。本发明的制备方法具有节能、耗材少、操作简单、以及可批量生产等优点，所制备的碲硫镉靶材具有较高的密度，相对密度95％，溅射性能好。
一种碲硫镉靶材及其制备方法应用

[发明专利]一种碲锌镉靶材的制备方法-CN202110874417.0在审
发明人：文崇斌;王英洁;朱刘;童培云 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括：将碲粉、锌粉和镉粉混合，得到混合粉体；将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明提供的碲锌镉靶材的制备方法，制备得到的碲锌镉靶材相对密度大于99％，游离镉和游离碲小于200ppm，而且工艺简单，本发明直接采用三种粉末合成碲锌镉靶材，不需合成碲化镉和碲化锌，减少工艺操作，节约成本
一种碲锌镉靶材制备方法

[发明专利]碲锌镉靶材、其制备方法及应用-CN201610836897.0有效
发明人：文崇斌;朱刘;胡智向;曾成亮;余明 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括以下步骤：A)将碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体混合均匀，得到混合粉体；B)将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明采用碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体作为制备碲锌镉靶材的原料，通过真空热压法制得碲锌镉靶材，制备方法简单易行，易于产业化生产，由这种方法制得的碲锌镉靶材致密度较高，机械性能较好。此外，本发明制得的碲锌镉靶材可以应用于太阳能薄膜电池中。实验结果表明，本发明制备的碲锌镉靶材的密度均超过了理论密度的99％，致密度较高；同时，抗弯强度均在12MPa以上。
碲锌镉靶材制备方法应用

[发明专利]一种碲化镉靶材及其制备方法-CN201910554343.5在审
发明人：范文涛;朱刘;胡智向 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种碲化镉靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)将碲粉和镉粉混匀，得到混合粉末；B)将所述混合粉末进行热压烧结，得到碲化镉靶材。本发明将碲粉和镉粉混匀后，直接进行热压烧结即可制得碲化镉靶材。本发明中的热压烧结无需在真空条件下进行，即使在真空条件下进行，也是可以实现本发明的效果。制得的碲化镉靶材纯度和密度均较高。实验表明，本发明制备的碲化镉靶材的杂质及其含量均较少，碲化镉靶材的纯度可以达到5N，满足目前太阳能靶材的要求；同时，碲化镉靶材的密度较高，不低于理论密度的97.2％。
碲化镉靶材制备热压烧结混合粉末真空条件混匀碲粉镉粉规模化生产靶材纯度光电材料生产技术对设备太阳能

[发明专利]碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法-CN202010466045.3在审
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜电池残靶重复利用的方法。本发明通过对碲化镉薄膜电池残靶进行预处理，破碎、过筛后，得到残靶粉末，并将残靶粉末掺入碲化镉薄膜电池靶材新粉中，通过真空热压烧结工艺制备得到致密度高、力学性能好、纯度高的碲化镉薄膜电池靶材。本发明在不影响碲化镉薄膜电池靶材性能的前提下，实现了碲化镉薄膜电池残靶的充分回收利用，减少了废料的产生。
碲化镉薄膜电池重复利用方法

[发明专利]一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法-CN201010153604.1有效
发明人：孔金丞;孔令德;赵俊;王光华;张鹏举;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种生长碲镉汞薄膜的靶材制备方法，其特征在于采用晶态碲化镉(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通过A.确定靶材组分，B.质量计算，C.研磨，D.称量，E.混合，F.冷轧的工艺步骤，实现生长碲镉汞薄膜的靶材制备，该靶材制备方法可以在制备靶材的原材料中掺入杂质元素，实现对靶材成分的调节。通过采用本发明制备的靶材，致密性高、靶材组分均匀、成分可调、易于实现杂质原子的掺入；用该靶材制备出的薄膜均匀、光亮、附着率较好。
一种生长碲镉汞薄膜制备方法

[发明专利]一种碲化镉靶材的制作方法-CN201210115695.9有效
发明人：刘映天;潘锦功;谢义成;傅干华 -专利权人：成都中光电阿波罗太阳能有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉靶材的制作方法，包括对碲化镉材料进行冷压成形，制作成碲化镉靶材、对镉化镉靶材进行烧结和冷却的步骤，在烧结步骤中，首先通入惰性气体，将靶材加热到80～150℃，然后保温50～70分钟；最后在4小时内逐渐升温至780～880℃，再保温3～5小时，由此制得的碲化镉靶材可直接进行溅射，无需进行预溅射即可工作，同时也不会出现局部放电的现象，该制作方法可广泛用于科研和工业化生产中。
一种碲化镉靶材制作方法

[发明专利]一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法-CN202111429740.3有效
发明人：李青霄;张心会;徐开东;王继娜;李志新;王朝勇;徐龙云;包云;杨欢;丁凌凌;李文静 -专利权人：河南城建学院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲硒砷镉化合物/靶材及制备方法，由摩尔比为(60‑90):(0.999‑39.99):(0.001～0.01)的碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒研磨成粉、混匀，将混匀的物料装入石墨坩埚中，或者将混匀的物料放入模具中室温压片成靶材坯，压片成形的靶材坯装入石墨治具内，石墨治具放入真空烧结炉内，在真空烧结炉内压实，真空状态加热烧结，自然降温至室温，打开真空烧结炉即得到碲硒砷镉化合物/靶材。制备出的碲硒砷镉化合物结晶度好，制备出的碲硒砷镉靶材相对密度高于90％（晶粒尺寸小于300nm）。
一种碲硒砷镉化合物及其制备方法

[发明专利]一种导电碲化镉靶材的制备方法-CN202210584839.9在审
发明人：周荣艳;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，公开了一种导电碲化镉靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将Cd粉、CdTe粉混匀，得到混合物料；（2）将步骤（1）的混合物料装入石墨模具，置于热压炉中进行预压；（3）预压完成后，抽真空处理，至真空度10pa开始加热升温，升温速率为10~20℃/min，加热到500~750℃后保温；（4）达到保温时间后进行加压处理；（5）加压处理后降至室温，出炉、脱模，得毛坯靶材，毛坯靶材经机床加工后得导电碲化镉靶材本发明所述的制备方法通过掺杂游离镉来破坏碲化镉的结晶方式，降低碲化镉靶材的电阻率，改善碲化镉薄膜的导电性。
一种导电碲化镉靶材制备方法

[发明专利]一种碲硒镉靶材及其制备方法-CN202110663628.X有效
发明人：周荣艳;吴彩红;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲硒镉靶材，涉及太阳能电池领域。所述碲硒镉靶材，包括以下组分：CdSe粉和CdTe粉；其中，所述CdSe粉和CdTe粉的摩尔比为：CdSe粉：CdTe粉＝1:3.5‑4.5。本发明提供的制备工艺简单，对设备要求较低，成本较低，制得的靶材纯度和密度均较高。
一种碲硒镉靶材及其制备方法

[发明专利]混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用-CN201110356258.1无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明的名称为混合溅射靶及其在碲化镉基薄膜光伏装置中的使用，一般提供在衬底12上溅射硫化镉层18的方法。硫化镉层18能够从包括镉、硫和氧的混合靶64在衬底12上溅射。硫化镉层18能够在形成碲化镉薄膜光伏装置10的方法中使用。还一般提供包括硫化镉和氧化镉的混合靶64。
混合溅射及其碲化镉基薄膜装置中的使用

[发明专利]一种碲化镉发电玻璃AR膜镀膜机及镀制方法-CN202111561197.2有效
发明人：杨欢;潘锦功;傅干华;孙庆华;吕延坤 -专利权人：邯郸中建材光电材料有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明属于发电玻璃镀膜技术领域，公开了一种碲化镉发电玻璃AR膜镀膜机，包括连接有第一抽真空装置的AR膜镀制腔室，所述AR膜镀制腔室连通有至少一个MgF2靶材蒸发腔室、ZrO2/SiO2靶材蒸发腔室和Al2O3/TiO2靶材蒸发腔室，所述MgF2靶材蒸发腔室、ZrO2/SiO>靶材蒸发腔室沿AR膜镀制腔室内发电玻璃的移动方向依次设置；还公开了一种碲化镉发电玻璃AR膜镀膜方法。本发明可使得镀制而成的AR膜具有更好的附着力、均匀性、增透效果和光电转换效率，而且也提升了AR膜的使用寿命，同时碲化镉发电玻璃的AR膜和碲化镉薄膜均可在同一台设备上镀制，节约了设备的投入成本，也利用碲化镉高温镀膜的特点
一种碲化镉发电玻璃 ar 镀膜方法

[发明专利]一种碲化镉掺杂靶材的制备方法-CN202210584840.1在审
发明人：周荣艳;岑立衡;文崇斌;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，公开了一种碲化镉掺杂靶材的制备方法，包括以下步骤：（1）将Cd粉、Te粉、CdTe粉混匀，得到混合物料；（2）将步骤（1）的混合物料装入石墨模具，置于热压炉中进行预压；（3）预压完成后抽真空处理，至真空度10pa开始加热升温，升温速率为5~10℃/min，加热到400~700℃后保温100~200min；（4）达到保温时间后进行加压处理；（5）加压处理后降至室温，出炉、脱模，得毛坯靶材，毛坯靶材经机床加工后得碲化镉掺杂靶材。本发明的制备方法可以改善碲化镉材料本身的缺陷，提高其光电转化率，并进一步降低了合成反应温度。
一种碲化镉掺杂制备方法

[发明专利]溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法-CN201110356243.5有效
发明人： R·D·戈斯曼;S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及溅射基于碲化镉的薄膜光伏器件中使用的硫化镉层的方法。大体上提供在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)的方法。该硫化镉层(18)可以在溅射气氛中从靶(64)溅射在衬底(12)上，其中该靶(64)包括按重量约75％至约100％的镉，并且其中该溅射气氛包括含硫的源气体。该硫化镉层(18)可以在形成碲化镉薄膜光伏器件(10)的方法中使用。
溅射基于碲化镉薄膜器件使用硫化方法

[发明专利]碲化镉基薄膜光伏器件中使用的导电透明氧化物膜层的形成方法-CN201110246912.3有效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪;R·D·戈斯曼 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-07-02 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该方法可包括在基材12上从靶材(例如，包括锡酸镉的靶材)溅射透明导电氧化物层(“TCO层”)14，溅射温度为约10℃至约100℃。然后该TCO层可在包含镉的退火温度下退火，退火温度为约500℃至约700℃。形成该TCO层14的方法可在制造基于碲化镉的薄膜光伏器件10的方法中使用，其还包括在该透明导电氧化物层14之上形成硫化镉层18和在该硫化镉层18之上形成碲化镉层20。
碲化镉基薄膜器件使用导电透明氧化物形成方法

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