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[发明专利]将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件-CN201110175409.3无效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明名称为将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件。包括设置在碲化镉层内的改性碲化镉和未改性碲化镉的层。该改性区包括的碲化物浓度大于未改性碲化镉区中的碲化物浓度。该改性区还包括六方密排晶体结构。还公开用于将碲化镉层改性的方法和薄膜器件。
将碲化镉层改性方法具有碲化镉层薄膜器件

[实用新型]一种钙钛矿-碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池-CN202221832800.6有效
发明人：严册;肖诚斌;王博;赵彬 -专利权人：中国光大绿色技术创新研究院有限公司;光大环境科技（中国）有限公司;光大环保技术研究院（深圳）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿‑碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池，其包括：钙钛矿子电池和碲化镉/掺硒碲化镉子电池，所述钙钛矿子电池与所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池设置为上下堆叠，所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池包括碲化镉吸收层和掺硒碲化镉吸收层本申请通过引入掺硒碲化镉吸收层修复碲化镉吸收层的晶格缺陷，减少光生载流子被缺陷散射，促进光生载流子的定向传输，提高载流子的寿命，优化了碲化镉吸收层，提升了碲化镉/掺硒碲化镉子电池的光电转化效率；以及通过设置含螯合剂的聚合物薄膜作为铅离子吸收层
一种钙钛矿碲化镉掺硒碲化镉叠层太阳能电池

[发明专利]一种导电性碲化锌靶材的制备方法-CN202110445521.8在审
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;胡智向;曾成亮 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电性碲化锌靶材的制备方法。本发明导电性碲化锌靶材的制备方法包括以下步骤：将碲化锌粉末和碲化亚铜粉末混合均匀后进行热压烧结，得到导电性碲化锌靶材；其中热压烧结过程中，在500～900℃下加压至45～70MPa，再保温保压。本发明通过在碲化锌中掺杂碲化亚铜，使所得碲化锌靶材具有非常好的导电性；采用碲化锌粉末和碲化亚铜粉末作为原料，并在较低温度下进行热压烧结，避免烧结过程出现偏析，确保所得碲化锌靶材具有良好的均匀性；同时在烧结过程中施压，使所得碲化锌靶材具有较高的密度。
一种导电性碲化锌靶材制备方法

[发明专利]成长碲及碲化物纳米线阵列于导电基材上的方法和碲及碲化物纳米线热电装置-CN201610539817.5在审
发明人：林宗宏;周庭楙;李璎纯;饶允婷 -专利权人：林宗宏
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明是提供成长碲及碲化物纳米线阵列的方法及碲及碲化物纳米线热电装置。碲及碲化物纳米线可表现出n‑型或p‑型热电特性。碲及碲化物纳米线热电装置包含有第一电极、于第一电极上所形成具热电特性的多个碲及碲化物纳米线阵列以及第二电极。另于碲及碲化物纳米线阵列及第二电极间可包含导电聚合物。借此，透过碲及碲化物纳米线热电材料的纳米尺度特性，可大幅提高热电转换效率。再者，此种热电装置不受大小规模限制，且具有轻薄体积以及可挠特性，具备在衣物、汽车、工厂废热等广大的应用性。
成长碲化物纳米阵列导电基材方法热电装置

[发明专利]一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置-CN201210197215.8无效
发明人：刘志强;蒋猛 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种碲化镉薄膜制备方法及其使用的装置，包括将单质碲加热气化后形成碲蒸汽、以及将单质镉加热气化后形成镉蒸汽；用携带气体分别运载所述碲蒸汽和所述镉蒸汽并将所述碲蒸汽和镉蒸汽混合均匀得到碲镉混合蒸汽；所述携带气体再将所述碲镉混合蒸汽携带至衬底本发明以碲、镉单质作为原料，采用碲、镉单质独立蒸发源，通过气相分子混合方法制备碲化镉薄膜的方法。这样不仅降低了碲化镉太阳电池的生产成本，而且也把高纯碲化镉原料制备和碲化镉薄膜制备工艺有机的结合到了一起。
一种碲化镉薄膜制备方法及其使用装置

[发明专利]一种具有光热协同致电的碲化镉/碲化铋一体化纳米结构材料及其制法-CN201310362759.X有效
发明人：邓元;罗柄威;史永明;祝薇;叶慧红;崔长伟 -专利权人：南京清航新材料科技有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种具有光热协同致电的碲化镉/碲化铋一体化纳米结构材料，它是在导电玻璃基板的导电面上沉积一层碲化镉纳米棒层，在碲化镉纳米棒层表面再沉积有碲掺杂的碲化铋层，构成碲化镉/碲化铋一体化纳米结构材料。
一种具有光热协同致电碲化镉碲化铋一体化纳米结构材料及其制法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910209307.1在审
发明人：司红磊;林道勇;王文斌;刘月平;李青海;李林松 -专利权人：润峰电力有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法。其结构为：它包括带有导电层衬底，在衬底上依次沉积硫化镉层、碲化镉层、富碲层、背接触层和背电极。由于采用处理过低毒性的化合物镉为镉源，采用处理过的碲或碲化物为碲源，制备碲化镉薄膜太阳能电池。镉源与碲源按照一定摩尔比进行化学反应，制备粒径均一的碲化镉颗粒。然后提纯碲化镉颗粒，把碲化镉与含有聚偏氟乙烯的低沸点溶剂混合制成溶胶，用涂布的方法制备碲化镉薄膜。这种方法避免了人身接触高毒性的镉单质和镉蒸汽，同时也避免了环境污染。
一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种碲化亚铜渣短流程处理制备高纯碲的方法-CN201610683868.5在审
发明人：陈杭;王俊娥;吴健辉;衷水平;张焕然;林泓富;苏秀珠;熊家春 -专利权人：紫金矿业集团股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化亚铜渣短流程处理制备高纯碲的方法，先将碲化亚铜渣与浓硫酸混合均匀后进行流态化焙烧，焙烧所得焙砂用水浸脱铜进行预处理脱杂；再把水浸渣用NaOH浸出得到含碲浸出液；最后将含碲浸出液旋流电积提碲，即可直接得到高纯碲产品。该碲化亚铜渣短流程处理制备高纯碲的方法具有工艺流程短、投资少生产成本低、无环境污染、碲纯度及回收率高的特点，实现了碲化亚铜渣的短流程处理及高纯碲产品的高值、高效回收。
一种碲化亚铜渣短流程处理制备高纯方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种锂离子电池碲化钼阳极材料及其制备方法-CN201711023497.9有效
发明人：邓飞;马宁;蔡芳昌;江泰槿 -专利权人：长江大学;湖北常泰欣业科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池碲化钼阳极材料，其包含1T’型二碲化钼晶体和包覆在所述1T’型二碲化钼晶体外表面的导电材料，且所述导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比为5％‑15％。若导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比小于5％，会造成1T’型二碲化钼晶体的团聚；导电材料在碲化钼阳极材料中的质量百分比大于15％，1T’型二碲化钼晶体不能充分发挥其优异的电化学性质；导电材料包覆1T’型二碲化钼晶体，且导电材料在碲化钼阳极材料中的质量比为5％‑15％可以使该锂离子电池碲化钼阳极材料具有优异的倍率性能和良好的循环性能。本发明还提供了一种锂离子电池碲化钼阳极材料的制备方法，工艺简单，环保高效。
一种锂离子电池碲化钼阳极材料及其制备方法

[发明专利]碲化镉晶体的生长方法-CN202111266820.1在审
发明人：狄聚青;李康;苏湛 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本公开提供一种碲化镉晶体的生长方法，包括以下步骤：步骤一，将碲化镉籽晶置于坩埚底部，碲‑镉混合料置于籽晶之上，密封坩埚；步骤二，将坩埚放入生长炉内，设置加热器温度T，使碲‑镉混合料熔化；步骤三，碲逐渐蒸发，并在坩埚顶部封泡位置凝固；步骤四，随着碲在混合原料中含量的降低，碲化镉析出，并在籽晶上结晶生长，直至碲完全蒸发，晶体生长完成。本公开的碲化镉晶体的生长方法制备的碲化镉晶体，具有单晶率高、位错密度低等优点。
碲化镉晶体生长方法

[发明专利]一种制备碲化银锑热电材料的方法-CN201510266185.5有效
发明人：杜保立;宿太超;胡保付;乔文涛;陈亮;蔡红新 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于包括如下步骤1)配料以碲化银、碲化锑为主要原料，微量单质碲为热电性能调节成分，按照摩尔比(0.9‑1.1)(0.9‑1.1)x称取碲化银、碲化锑和单质碲作为反应原料，其中x为0～0.04；2)高能球磨将步骤1)所述反应原料在惰性气体保护气氛下进行高能球磨，得单相碲化银锑粉体；3)放电等离子烧结将步骤2)所得单相碲化银锑粉末进行放电等离子烧结，即得致密碲化银锑热电材料本发明所用原料在空气中稳定，不易氧化，整体工艺简单可控、制备成本低，重复性好，且所制备的碲化银锑块体材料致密度高，物相纯，热电性能优异。
一种制备碲化银锑热电材料方法

[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法-CN201110365464.9有效
发明人：吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量
生产碲化镉碲锌镉单晶体方法

[发明专利]碲锌镉靶材、其制备方法及应用-CN201610836897.0有效
发明人：文崇斌;朱刘;胡智向;曾成亮;余明 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C04B35/515 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲锌镉靶材的制备方法，包括以下步骤：A)将碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体混合均匀，得到混合粉体；B)将所述混合粉体进行真空热压烧结，得到碲锌镉靶材。本发明采用碲化镉粉体、碲化锌粉体和碲化亚铜粉体作为制备碲锌镉靶材的原料，通过真空热压法制得碲锌镉靶材，制备方法简单易行，易于产业化生产，由这种方法制得的碲锌镉靶材致密度较高，机械性能较好。此外，本发明制得的碲锌镉靶材可以应用于太阳能薄膜电池中。实验结果表明，本发明制备的碲锌镉靶材的密度均超过了理论密度的99％，致密度较高；同时，抗弯强度均在12MPa以上。
碲锌镉靶材制备方法应用

[发明专利]一种碲化镉太阳能电池的制备方法及碲化镉太阳能电池-CN201010548963.7无效
发明人：邓瑞;周勇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化镉太阳能电池的制备方法及碲化镉太阳能电池。该碲化镉太阳能电池的制备方法包括：a、预备具有玻璃衬底/透明导电膜/硫化镉/碲化镉结构的前体；b、对前体上的碲化镉层进行腐蚀处理；所述腐蚀处理包括：将碲化镉层与含有溴和无水乙醇的第一溶液接触，清洗，然后与含有乳酸和乙二醇的第二溶液接触，再次清洗，干燥；c、在腐蚀处理后的碲化镉层上形成碲层；d、在碲层上形成过渡层和背电极。通过上述方法制备得到的碲化镉太阳能电池的光电转换效率高。
一种碲化镉太阳能电池制备方法

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