“硼硅玻璃”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1003589个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种带有清洁功能的光热发电螺旋高硼硅玻璃管放置架-CN202121816927.4有效
发明人：宦维扬;宦德亮;宦德宏;宦维滨;高星 -专利权人：泰兴市龙腾光热材料科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B65D81/36 文献下载
摘要：一种带有清洁功能的光热发电螺旋高硼硅玻璃管放置架，包括外壳和轴承支板，轴承支板设在壳体内，轴承支板包括外轴圈和内轴圈，外轴圈上圆周设有放置架，放置架包括底座，底座的一侧设有底垫，底座的另一端通过放置杆的一端与外轴圈相连，放置杆上套有螺旋高硼硅玻璃管，放置杆的另一端与封堵通过螺纹相连，封堵与螺旋高硼硅玻璃管之间设有封垫；本实用新型通过设有放置架，实现了螺旋高硼硅玻璃管的放置，且由于设有的放置架不止一个，故可以放置多个螺旋高硼硅玻璃管，由于设置的封堵和底座，可将螺旋高硼硅玻璃管固定放置，可防止滚动。
一种带有清洁功能光热发电螺旋高硼硅玻璃管放置

[实用新型]一种高硼硅玻璃外壳360°发光LED装置-CN201820692138.6有效
发明人：周玉春 -专利权人：东海县飞亚电光源有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： F21K9/232 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高硼硅玻璃外壳360°发光LED装置,包括高硼硅玻璃外壳，所述高硼硅玻璃外壳的两侧外壁均设有固定密封圈，两个所述固定密封圈之间横向设有半导体晶片组，所述半导体晶片组位于高硼硅玻璃外壳的内部，所述固定密封圈的一侧外壁设有玻璃芯柱，所述玻璃芯柱靠近外壳的一端贯穿固定密封圈并延伸至高硼硅玻璃外壳的内部，所述半导体晶片组前侧外壁焊接有电源导引线，本实用新型采用直径为45‑65mm高硼硅玻璃外壳，
高硼硅玻璃固定密封圈半导体晶片本实用新型玻璃芯柱发光LED 灯具使用寿命空气对流散热两侧外壁散热效率位置调整侧外壁导引线大棚光衰减小外壁移动光源焊接电源贯穿延伸

[实用新型]抗菌玻璃器皿-CN201420382708.3有效
发明人：程宝书 -专利权人：程宝书
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： B65D13/02 文献下载
摘要：一种抗菌玻璃器皿；玻璃器皿是高硼硅玻璃器皿，高硼硅玻璃器皿内表面具有渗银层，玻璃内表面通过表面离子扩散法将玻璃内表面的离子与银离子进行离子交换形成渗银层。本实用新型的高硼硅玻璃器皿内表面具有渗银层，通过缓释银离子可发挥持久的抗菌效果。
抗菌玻璃器皿

[发明专利]一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法-CN202111012964.4在审
发明人：王振刚;马擎天;宋楠;郁寅珑;俞超 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层；对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理，再进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层和硼硅玻璃层；根据金属化部分对所述硼硅玻璃层进行开槽；再沉积一掺有硼的非晶硅层，在掺有硼的非晶硅层上生长一层掩膜；去掉非金属化部分的掩膜，接着去除非金属化部分的掺有硼的非晶硅层；最后去除剩余的掩膜和残留的硼硅玻璃层
一种太阳电池扩散选择性发射极制备方法

[发明专利]提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法-CN02159060.5有效
发明人：吴欣昌;蔡正原;方郁文;杨能辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-27 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的
提高玻璃氮化之间粘合强度方法

[发明专利]一种高硼硅玻璃2.0的生产工艺和高硼硅玻璃2.0的应用-CN202110704171.2在审
发明人：高天亮;石玉超;高拓;杨满意 -专利权人：河北明尚德玻璃科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C03B27/012 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃制造技术领域，尤其是涉及一种高硼硅玻璃2.0的生产工艺和高硼硅玻璃2.0的应用。原片通过裁切、钻孔、打槽、磨边、洗涤、干燥、电炉加热、风栅萃冷特定的工艺制备得到的高硼硅玻璃2.0可替代钢化玻璃解决钢化玻璃自爆问题；同时也可以替代微晶玻璃，解决微晶玻璃成本高，不具备韧性的问题。
一种高硼硅玻璃 2.0 生产工艺应用

[实用新型]硼硅玻璃清洗装置-CN201721623508.2有效
发明人：魏云雷 -专利权人：魏云雷
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硼硅玻璃清洗装置，属于硼硅玻璃加工技术领域。包括夹持组件，对应夹持组件，设有火头，夹持组件和火头设于机架上，火头和/或夹持组件与机架之间设有滑动组件。能够有效去除硼硅玻璃表面的杂质，对玻璃表面进行杀菌，提高了生产效率，降低了热能损耗。
夹持组件火头硼硅玻璃清洗装置加工技术领域硼硅玻璃表面本实用新型玻璃表面滑动组件热能损耗生产效率去除杀菌

[发明专利]一种基于浓硼掺杂的MEMS感压薄膜的制备方法-CN202011444277.5在审
发明人：李得天;柯鑫;李刚;成永军;孙雯君;吴成耀;刘珈彤;汪宁;陈会颖 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于浓硼掺杂的MEMS感压薄膜的制备方法，通过采用浓硼掺杂技术中自停止腐蚀工艺可精准控制薄膜厚度，可制备微米级薄膜，从而提高电容测量重复性，有效保证真空计实际生产制备；同时采用硼硅玻璃去除方案，能够有效去除薄膜表面生成的硼硅玻璃，消除硼硅玻璃造成的杂生电容影响，同时，可有力保证薄膜与玻璃的后续键合工艺品质。
一种基于掺杂 mems 薄膜制备方法

[发明专利]在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法-CN200510026205.8无效
发明人：戴旭涵;赵小林;丁桂甫;蔡炳初 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-05-26 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： C03C17/06 文献下载
摘要：一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法，属于先进制造技术领域。本发明采用在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层，经过光刻，形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口；将硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层，分析纯丙酮中超声去胶，采用电镀方法，首先电镀铜掩膜，然后在铜掩膜上再电镀金掩膜，腐蚀，连续刻蚀，从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑的微沟槽阵列。本发明简便易行，基于溅射和无掩膜微电镀工艺来制备湿法腐蚀硼硅玻璃的掩膜，从而达到减小针孔缺陷和钻蚀量的效果。
玻璃表面加工阵列方法

[发明专利]ToPCon电池及其制备方法-CN202310632285.X在审
发明人：毛卫平;叶风;杨阳 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该ToPCon电池的制备方法包括：对基片的正面进行制绒；对制绒后的基片的正面进行硼扩散处理；去除绕镀在基片的背面的硼硅玻璃层；依次在基片的背面沉积隧穿氧化层和多晶硅层；依次去除绕镀在基片的正面的磷硅玻璃层、多晶硅层和隧穿氧化层；通过碱制绒处理去除基片的正面的硼硅玻璃层。采用本申请实施例在通过碱制绒处理去除硼硅玻璃层的过程中，无需考虑碱性溶液损伤基片的正面的第二绒面的问题，从而可解决不能完全去除硼硅玻璃层而降低电池性能的问题，也就是说，采用本申请实施例的制备方法可完全去除硼硅玻璃层
topcon 电池及其制备方法

[发明专利]高硼硅玻璃网片二次深加工制备工艺-CN202210804023.2在审
发明人：周坤 -专利权人：周坤;德化县千舍玻璃制品有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C03B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了高硼硅玻璃网片二次深加工制备工艺，具体包括以下过程：经由燃料机器将高硼硅玻璃棒融化作为网片生产的原坯料备用；接着将原坯料经由钢模压成型机，加工压制成型；压制成型的高硼硅玻璃网片再经由退火炉进行退火处理；处理好的高硼硅玻璃网片粘在铁板上，用平磨机进行研磨；研磨好的高硼硅玻璃网片最后经过超声波清洗，从而完成高硼硅玻璃网片成品；上述(5)完成的高硼硅网片成品可再次加工融化，压制出不同形状的网片成品；成品网片起到过滤网的效果
高硼硅玻璃二次深加工制备工艺

[实用新型]一种基于机电控制的高硼硅玻璃生产用的转移装置-CN201921664598.9有效
发明人：宦德亮 -专利权人：泰兴市龙腾光热材料科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于机电控制的高硼硅玻璃生产用的转移装置，属于高硼硅玻璃生产技术领域。一种基于机电控制的高硼硅玻璃生产用的转移装置，包括水平移动组件和容具夹持组件，容具夹持组件上端与水平移动组件内侧螺纹连接；本实用新型通过设置水平移动组件和容具夹持组件，从而达到安全便捷的转移盛装有高硼硅玻璃的容器，避免现有技术中需要人工手动夹持转移的方式，不仅提高了高硼硅玻璃的生产效率，且安全稳定，降低了工人的劳动强度。
一种基于机电控制高硼硅玻璃生产转移装置

[发明专利]一种N型背结晶体硅电池及其制备方法-CN201510562066.4在审
发明人：张中伟;程鹏飞;李愿杰 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型背结晶体硅电池及其制备方法，该电池包括前表面Ag电极、前表面减反射膜、磷扩散N+前表面场层、N型基底、硼扩散发射极P+层、背面钝化复合膜、背面AgAl电极；其中，PN结位于电池背面，电池背面采用抛光结构；背面钝化复合膜包括硼硅玻璃层和氮化硅层，硼硅玻璃层在硼扩散发射极P+层之上，氮化硅层则沉积在硼硅玻璃层上；利用硼扩散过程中生成的硼硅玻璃层和氮化硅叠层薄膜结构对硼发射极进行钝化，背面采用抛光结构，进一步提升硼发射极的钝化效果；本发明电池的制备工艺较为简单，能够与当前晶体硅电池制造生产线设备兼容，可降低成本，适于大规模工业化生产。
一种结晶体电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池硼硅玻璃钝化方法-CN202110828340.3在审
发明人：张双玉;张满满;乐雄英;陆祥 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池硼硅玻璃钝化方法，S1、对太阳能电池片进行表面处理，形成有效的绒面结构；S2、通过热扩散工艺，在形成绒面结构的所述太阳能电池片上生成一层厚度为80‑120nm的硼硅玻璃层；S3、使用低浓度的氢氟酸腐蚀掉部分所述的硼硅玻璃层，保留厚度为10‑25nm的硼硅玻璃层，即完成钝化。本发明的钝化方法保留了厚度为10‑25nm的硼硅玻璃介质层，这层介质层会有类似于氧化硅的钝化作用，能够很好地提高电池片的效率；常规N型电池在完全去除硼硅玻璃层后，通常采用热氧或湿氧方式，在正面生成一层氧化硅钝化层，本发明的钝化方法取消了这一步骤，直接用扩散形成的硼硅玻璃层进行钝化，在减少工艺步骤的同时，确保电池品的效率，也降低的电池制作成本。
一种太阳能电池玻璃钝化方法

[实用新型]无机厚膜高硼硅玻璃发热基板-CN201420021093.1有效
发明人：居吉富;郭世华;叶军涛;居吉华;唐拥军 -专利权人：泰阳电子（东莞）有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H05B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种无机厚膜高硼硅玻璃发热基板，其包括高硼硅玻璃基板和印刷于玻璃基板上的金属发热膜以及涂覆于金属发热膜表面的无机玻璃釉保护涂层，并于金属发热膜两端分别设置有导电电极。藉此，通过采用高硼硅材质制成玻璃基板，将金属发热膜印刷于玻璃基板上，利用高硼硅材质耐高温、抗冲击性好和热膨胀系数低的优点，使玻璃基板能够适应较高的加热温度以及冷热交替温差变化大的恶劣工作环境，并能够抵抗较大的冲击力，提高玻璃基板的承载能力，提高产品运行稳定性，此外，该发热基板采用的是高温烧结钢化工艺，既节约了能源又通过钢化工艺提高了高硼硅玻璃的冲击强度，同时，降低了成本。
无机厚膜高硼硅玻璃发热