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[发明专利]一种利用铜镍合金生产羟基镍的方法-CN200710303801.5无效
发明人：张强林;肖冬明;李朝平;刘旺生;罗世铭;王大窝 -专利权人：金川集团有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明涉及了一种利用铜镍合金生产羟基镍的方法，其特征在于首先将合成羟基镍有铜镍合金原料熔化后，加入硒粉作为催化剂活化原料中的镍，然后将铜镍合金的熔体水淬成合金颗粒，再将合金颗粒用氢气还原活化后进行羟化合成生产镍基镍本发明的方法，在铜镍一次合金的熔体中加入硒粉等有利于羰化反应的非金属元素，单质硒与合金中的Ni₂S₃发生电子迁移产生新的金属中心，使镍原子的活性得到提高，在通氢还原原料活化过程中改变了镍的存在形式，使其从镍氧化物和硫化物的存在形式转变为有利于羰化反应的单质形式存在；从而加快了合成反应速率降低了反应所需要压力。
一种利用镍合金生产羟基方法

[发明专利]一种酸浸泡含镉、硒废酸液直接回收利用方法-CN201510285894.8有效
发明人：丁伯平 -专利权人：醴陵市科兴实业有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：一种酸浸泡含镉、硒废酸液直接回收利用方法，将酸浸泡含镉、硒废酸液利用化学反应的方法进行综合处理后，直接用于制取生产硅酸锆微晶包裹硫硒化镉色料。利用氯氧化锆、氢氧化钠和硫化钠对酸浸泡含镉、硒废酸液进行处理；将氯氧化锆加入到酸浸泡含镉、硒废酸液中、氢氧化钠和硫化钠按照所需量加水配制成混合溶液后，通过搅拌合成反应后，进行压滤洗涤，干燥，再与矿化剂，白炭黑，硒粉混合均匀，再高温煅烧，并将煅烧产物经过酸化、球磨、压滤、水洗、碱煮、压滤、水洗工序，烘干后得到硅酸锆包裹硫硒化镉包裹色料产品。
一种浸泡硒废酸液直接回收利用方法

[发明专利]一种自支撑碳布负载硒化钴镍纳米线制备方法与应用-CN201910462689.2有效
发明人：彭新文;黄平权;杜帆 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑碳布负载硒化钴镍纳米线制备方法与应用；以导电碳布为基底材料，将钴镍双金属盐与亲水碳布通过低温水热反应，得到在碳布均匀生长的钴镍纳米线，经过进一步高温硒化得到在碳布上均匀负载的硒化钴镍纳米线
碳布钴镍硒化电解水纳米线自支撑催化低温水热反应纳米催化材料纳米线结构纳米线制备导电碳布电催化剂电极材料电极制备非贵金属基底材料均匀负载双金属盐析氧反应制备工艺双金属粘结剂基双亲水析氢制备合成生长应用

[发明专利]一种制备硫包覆硒的中空纳米管的方法-CN201810419960.X在审
发明人：杨金虎;郝天姿;茹佳佳;贺婷;陈炳杰 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备硫包覆硒的中空纳米管的方法，将硒粉与亚硫酸钠溶于水中，控温搅拌形成均匀的硒代亚硫酸钠溶液，然后加入到含有非离子型表面活性剂的溶液中，超声，陈化后，通过离心洗涤的方式得到六方晶系的硒纳米管，将硒纳米管溶于稀盐酸中超声处理，将升华硫溶于乙二胺中形成硫胺溶液，缓慢滴入上述溶液，在密闭条件下剧烈搅拌，过滤，用水和乙醇清洗后转移至干燥箱干燥，即为产品。与现有技术相比，本发明制备得硫包覆硒的中空纳米管直径约为500纳米左右，长度约为5‑10微米，晶化良好，重复性好，可应用于锂硫电池等储能方面，是一种优良的储能材料。
中空纳米包覆制备硒纳米管非离子型表面活性剂硒代亚硫酸钠超声处理储能材料剧烈搅拌离心洗涤六方晶系密闭条件亚硫酸钠乙醇清洗锂硫电池干燥箱升华硫稀盐酸乙二胺超声陈化储能滴入晶化控温硫胺水中硒粉过滤应用

[发明专利]一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法-CN201510151213.9在审
发明人：侯惟仁;陈梓斌;李升翰;郭峻江 -专利权人：新能光电科技股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法。该方法包含：利用沉积技术，在铜铟镓硒层上沉积硫单质层；以及进行退火程序，在所述铜铟镓硒层表面上形成硫化处理层。利用沉积技术，较容易控制硫单质层的膜厚，也较容易控制硫单质层的均匀性，而且不需要现有技术工艺中气体的混合及均匀化过程，故工艺的稳定性也相对较高。使用硫单质作为制造材料，提高了工艺的安全性。该工艺方法使铜铟镓硒层的表面转化为铜铟镓硫硒(CIGS_xSe_1-x)，以提升铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发电效率与性能。
一种铜铟镓硒表面硫化工艺方法

[发明专利]核壳状硒化铜@镍铁类水滑石电催化剂及其制备方法和电解水应用-CN202010756889.1有效
发明人：詹天荣;臧昊;张朋;温永红;陈璐瑶;王泽琨;王磊 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2020-08-08 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：先以泡沫铜为基底，在碱性介质中通过化学氧化法在其表面原位生长Cu(OH)2纳米线，再在管式炉中用硒粉硒化转变成硒化铜纳米线，最后采用电沉积法在其表面生长镍铁类水滑石纳米片，采用气相硒化和电沉积两步法制备了核壳状硒化铜@镍铁水滑石纳米片电催化剂。所得核壳状硒化铜@镍铁水滑石纳米片催化剂呈纳米线形状，其直径为150～250nm；以Cu2Se为核，以NiFe‑LDH薄片为壳，NiFe‑LDH薄片厚度小于10nm；其在1mol/L KOH电解质溶液中的析氧反应、析氢反应以及全解水催化活性高于其他传统方法制备的镍铁类水滑石纳米片及其复合材料。
核壳状硒化铜镍铁类水滑石催化剂及其制备方法电解水应用

[发明专利]一种镍锰硒化物异质结电催化剂及其制备方法与应用-CN202210032249.5有效
发明人：彭祥;李荣;赖思帆;徐炎武;赵贵明 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍锰硒化物异质结电催化剂及其制备方法与应用，所述电催化剂制备方法如下：1)将镍盐和锰盐溶于去离子水中，加入过硫酸钾，将表面清洁的碳布浸入所得混合液中，滴入弱碱性溶液，在碳布上生长得到层状镍锰氢氧化物纳米片；2)将碳布进行第一次煅烧，得到前驱体镍锰氧化物；3)将碳布置于管式炉的下游，硒粉置于管式炉上游，进行第二次煅烧得到镍锰硒化物异质结电催化剂。本发明提供的镍锰硒化物异质结电催化剂具有优异的电化学活性，HER达到10mA cm‑2的电流密度仅需要158mV的过电位，OER达到50mAcm
一种镍锰硒化物异质结电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法-CN201710330199.8在审
发明人：王笑;朱小莉;蓝文安;潘安练;刘建哲;徐良 -专利权人：黄山博蓝特光电技术有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于S含量梯度变化的类硫硒化镉纳米带的波长选择性光探测器及其构建方法，属于低维半导体材料光电应用技术领域。本发明所设计的选择性光探测器由n个电极和类硫硒化镉纳米带构成；所述n大于等于3；所述类硫硒化镉纳米带的化学式为CdSxSe1‑x；所述类硫硒化镉纳米带上，S的含量呈梯度变化；所述x小于1。
一种基于含量梯度变化类硫硒化镉纳米波长选择性探测器及其构建方法

[发明专利]一种双结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811573631.7有效
发明人：许吉林;乔秀梅;刘琦;梁鹏;王权;辛智渊;童翔 -专利权人：紫石能源有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及一种双结叠层太阳能电池及其制备方法，所述电池包括层叠设置的晶硅电池和硫硒化锑电池，所述硫硒化锑电池中设有硫硒化锑吸光层和缓冲层；制备所述硫硒化锑吸光层的材料Sb2
一种双结叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种钠离子电池二硒化铁/硫掺杂石墨烯负极复合材料及其制备方法-CN201510717165.5在审
发明人：张治安;史晓东 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种钠离子电池二硒化铁/硫掺杂石墨烯负极复合材料及其制备方法。制备方法是将硫源，含硒无机物，含铁无机盐以及柠檬酸或柠檬酸钠溶解于氧化石墨烯溶液，逐滴加入水合肼形成淡黑色溶液后，将其加入水热反应釜中进行反应，反应完成后自然冷却，将反应沉淀物用蒸馏水和无水乙醇反复洗涤、抽滤、干燥后即得到二硒化铁/硫掺杂石墨烯复合材料。该方法制备的二硒化铁/硫掺杂石墨烯复合材料，二硒化铁纳米颗粒均匀分布于硫掺杂石墨烯表面，作为钠离子电池负极材料具有优良的电化学性能；本发明采用简单的水热法制备，实现了硫掺杂，氧化石墨烯还原以及其与二硒化铁复合的同步进行，该制备工艺简单，成本低廉，具有广阔的工业化应用前景。
一种钠离子电池二硒化铁掺杂石墨负极复合材料及其制备方法

[发明专利]一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用-CN202110559391.0在审
发明人：王振兴;姚雨雨;何军 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自插层钒基二维纳米片及其制备方法和应用，所述制备方法包括：以五氧化二钒、硫粉和硒粉为原料，进行化学气相沉积反应，制备所述自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片；所述五氧化二钒、所述硫粉和所述硒粉的质量比为本发明的制备方法工艺简单、反应速度快且成本低，制备得到的自插层钒基十五硫硒化八钒V8(S1‑xSex)15纳米片面积大、纯度高，结晶性好，而且化学性质稳定，制得的自插层钒基十五硫硒化八钒纳米片能应用在场效应晶体管或者自旋电子器件等方面。
一种插层钒基二维纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法-CN201711441687.2在审
发明人：陈广福;黎永涛;胡亦渊;牟中飞;李京波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫硒化锡单晶半导体材料的制备方法，包括以下步骤：a)分别将二硫化锡粉末、硒粉和硫粉置于化学气相沉积管式炉的石英管内，所述硒粉和硫粉置于所述石英管的进气端，所述二硫化锡粉末置于所述石英管的中部；b)在惰性气体条件下，将管式炉升温至620～750℃，保温3～30分钟，生成二硫硒化锡单晶半导体材料。本发明以二硫化锡粉末、硒粉和硫粉为原料，利用化学气相沉积法在特定的环境和工艺条件下，沉积生成二硫硒化锡单晶半导体材料；所得半导体材料为二维超薄单晶材料，边长大小仅在几微米到几百微米，厚度仅为几纳米到几百纳米
单晶半导体材料硫硒硫化锡粉末石英管硫粉硒粉化学气相沉积管式炉制备半导体材料惰性气体条件微纳电子器件超薄单晶工艺条件块体单晶进气端边长二维沉积保温应用

[发明专利]黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法-CN200910110998.X无效
发明人：吴坚;廖志宏;骆建璋 -专利权人：泉州创辉光伏太阳能有限公司
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，涉及一种半导体薄膜材料。提供一种黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法。衬底上分步沉积Cu、In、Ga金属预制层；将N₂与H₂，或Ar与H₂混合，得混合气体；将混合气体通入气固反应室，反应室分成两个区域，固态硒(硫)升华区保证H₂/N₂(或H₂/Ar)气体与硒(硫)蒸气混合；热丝催化气固反应区使H₂与硒(硫)蒸气反应，生成气态H₂Se/Se(或H₂S/S)的混合气氛，再与Cu、In、Ga金属预制层进行热反应硒化或/和硫化。
黄铜矿类铜铟镓硒化物硫化物半导体薄膜材料制备方法

[发明专利]一种具有高性能的硒化钒-氮/硫共掺杂碳复合物钾离子电池负极材料的制备方法和应用-CN201910415750.8有效
发明人：曾令兴;何晓彤;方益兴;陈庆华;钱庆荣;许丽洪;黄宝铨;肖荔人;罗永晋 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-05-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种具有高性能的硒化钒‑氮/硫共掺杂碳复合物钾离子电池负极材料的制备方法和应用，该材料中硒化钒‑氮/硫共掺杂碳复合物具有分等级微球结构；所述的角蛋白粉为废弃物高值化利用产品，并且具有丰富的N原子和技术方案如下：首先将钒源、角蛋白加入到去离子水中，按顺序超声、搅拌、烘干；而后通H2/Ar煅烧硒化制得硒化钒‑氮/硫共掺杂碳复合物。
一种具有性能硒化钒掺杂复合物离子电池负极材料制备方法应用

[实用新型]一种硫代碳酸镍从含镍溶液中深度除铜的装置-CN201220327191.9有效
发明人：陈星宇;何利华;赵中伟;陈爱良;陈自江;刘旭恒;赵重;刘冬莉 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C22B3/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硫代碳酸镍从含镍溶液中深度除铜的装置。包括硫代碳酸镍浆料槽、硫代碳酸镍浆料进料泵、含镍溶液进料泵、管道反应器和管道混合装置；硫代碳酸镍进料泵置于含镍溶液进料泵前面，先通过泵将硫代碳酸镍注入含镍溶液主管道，然后经由含镍溶液进料泵将硫代碳酸镍与含镍溶液混合一起注入管道反应器；在管道反应器连接处安装网状栅格，用于加强除铜剂与含镍溶液混合。该装置能在连续工作的条件下实现含镍溶液中的铜深度除去，同时获得具有高铜镍比的除铜渣，操控简单，易于实现工业自动化。
一种碳酸溶液深度装置