“硫族元素”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果372200个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种合成氮杂环硫族卡宾化合物的方法-CN200610011397.X无效
发明人：王小芳;李鹏;王树东;原晓华;余俊学;陆世维 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C07D233/84 文献下载
摘要：一种合成咪唑类氮杂环硫族卡宾化合物的方法，在溶剂中，碱存在下，离子液体和硫族元素如硫或硒混和在60－70℃进行反应，反应溶剂不需要进行干燥处理，反应过程不需要用惰性气体保护。当反应至没有硒或硫时或设定的时间后，终止反应，冷却后，过滤除去盐，母液浓缩进行柱层析分离得到纯产品，产品经过核磁和质谱鉴定。本方法避免了从不稳定的卡宾或叶立德出发制非金属卡宾化合物。
一种合成氮杂环硫族卡宾化合物方法

[发明专利]一种硫化型加氢催化剂的制备方法-CN200610046940.X有效
发明人： (要求不公开所有发明人姓名) -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： B01J37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于烃油加氢处理的硫化型催化剂制备方法，该种制备方法是，先担载一定分量的含有元素周期表中Ⅵ族和Ⅷ族金属的前身化合物，然后引入元素硫，然后在动态加热设备中进行处理，最后再加入剩余量的含Ⅵ族和Ⅷ族金属的前身化合物，并干燥处理。
一种硫化加氢催化剂制备方法

[发明专利]一种硫化型加氢催化剂的制备方法-CN200510046431.2有效
发明人： (发明人要求不公开姓名) -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2005-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： B01J37/20 文献下载
摘要：本发明及一种用于烃油加氢处理的硫化型催化剂制备方法，该种制备方法是，先担载一定分量的含有元素周期表中Ⅵ族和Ⅷ族金属的前身化合物，然后引入元素硫，经过一定热处理后再加入剩余量的含Ⅵ族和Ⅷ族金属的前身化合物
一种硫化加氢催化剂制备方法

[发明专利]一种阻燃性半芳香族聚酰胺及其制备方法-CN201210162498.2在审
发明人：李晓琳 -专利权人：上海杰事杰新材料（集团）股份有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C08G69/42 文献下载
摘要：本发明涉及聚酰胺技术领域，特别涉及一种阻燃性半芳香族聚酰胺及其制备方法。本发明的阻燃性半芳香族聚酰胺，由包含芳香族二元酸、脂肪族二元胺、含硫阻燃剂、封端剂、催化剂和去离子水的原料制成。与现有技术相比，本发明的阻燃性半芳香族聚酰胺在半芳香族聚酰胺的主链上引入了阻燃元素S，提高了聚合物的阻燃性，且该阻燃性半芳香族聚酰胺燃烧时不产生有害气体，阻燃组分添加量少，当阻燃性半芳香族聚酰胺中硫的质量百分比达1%时就可以获得较佳的阻燃效果，其LOI值可以达到30，同时不会破坏半芳香族聚酰胺的力学性能和化学稳定性，适用于各种高温环境及特殊化学环境。
一种阻燃芳香族聚酰胺及其制备方法

[发明专利]非易失性可调电阻器件和可编程存储单元的制造-CN02817020.2有效
发明人： K·A·坎贝尔;J·T·穆尔 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2002-08-28 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：在其上形成含硫族化物材料(22)。该硫族化物材料包括A_xSe_y，A优选的是Ge和Si。在该硫族化物材料上形成含银层(24)。照射银以有效断开在含银层和硫族化物材料的界面处的硫族化物材料的硫族化物键，并且将至少一些银扩散进入该硫族化物材料。在该照射之后，将该硫族化物材料外表面暴露于含碘的流体以有效降低在该暴露之前的硫族化物材料外表面的粗糙度。在该暴露之后，在该硫族化物材料上淀积第二导电电极材料(26)，其连续并且至少完全覆盖在硫族化物材料上，将该第二导电电极材料形成为该器件的电极。
非易失性可调电阻器件可编程存储单元制造

[发明专利]从电解质中沉积铜-锡合金和铜-锡-锌合金-CN201480068447.0有效
发明人： K·布龙德尔;S·伯格尔;B·维姆勒;U·曼兹 -专利权人：优美科电镀技术有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C25D3/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含磷酸盐和脂族或芳族硫代化合物的不含氰化物的电解质，并且还涉及一种对元素铜和锡及任选的锌的合金进行电解沉积的方法。所述电解质和所述方法的特征在于锡酸根离子和铜离子及任选的锌(II)离子以及脂族和/或芳族硫代化合物存在于所用的所述电解质中。所述电解质可任选地额外包含羧酸、润湿剂和/或增白剂。
电解质沉积合金锌合金

[发明专利]不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法-CN201010111161.X无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明是有关一种不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法，是混合含有IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末，形成原始混合粉末，再添加额外的VIA族元素粉末以形成最后混合粉末，接着加热再经搅拌以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的混合浆料，该混合浆料包含铜、铟、镓及硒，或包含铜、铟、镓、硒及硫，不仅利用额外的硒粉末取代界面活性剂及接着剂而对钼层形成稳定的接着力，而且不需使用溶剂，进而可直接涂布在铜铟镓硒太阳能电池的钼层上以形成光电转换用的吸收层
界面活性剂溶剂铜铟镓硒浆料调配方法

[发明专利]不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法-CN201010116750.7无效
发明人：陈文仁 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法，混合含有IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末，形成原始混合粉末，再添加额外的VIA族元素粉末以形成最后混合粉末，接着加热再经搅拌以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的混合浆料，该混合浆料包含铜、铟、镓及硒，或包含铜、铟、镓、硒及硫，不仅利用额外的硒粉末取代界面活性剂及接着剂而对钼层形成稳定的接着力，而且不需使用溶剂，进而可直接涂布在铜铟镓硒太阳电池的钼层上以形成光电转换用的吸收层
界面活性剂溶剂铜铟镓硒浆料调配方法

[发明专利]光电转换元件和包含该光电转换元件的太阳能电池-CN201180033502.9无效
发明人：河野哲夫;山本麻由 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明的光电转换元件是下述的光电转换元件(1)，其包含基板(10)，在基板(10)上按照下述顺序层积有下述层：下部电极层(20)；光电转换半导体层(30)，所述光电转换半导体层(30)包含由Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素形成的至少一种具有黄铜矿结构的化合物半导体作为主要成分；缓冲层(40)；和透光性导电层(50)，其中，所述缓冲层(40)包含无镉金属、氧和硫的三元化合物，并且在面向所述透光性导电层
光电转换元件包含太阳能电池

[发明专利]墨水、薄膜、电致发光二极管及制备方法、显示器件-CN202010314886.2在审
发明人：罗健;庄锦勇 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C09D11/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米金属硫族化合物墨水、纳米金属硫族化合物薄膜、电致发光二极管及制备方法、显示器件，该纳米金属硫族化合物墨水包括金属硫族化合物纳米材料和溶剂，金属硫族化合物纳米材料分散于溶剂中。该金属硫族化合物纳米材料包括金属硫族化合物纳米颗粒和金属硫族化合物纳米片。由该纳米金属硫族化合物墨水去除溶剂并经退火处理后可形成纳米金属硫族化合物薄膜，该薄膜作为电致发光二极管器件的电子传输层可有效减少漏电现象的发生，进而显著提升电致发光二极管器件的量子效率和发光效率。
墨水薄膜电致发光二极管制备方法显示器件

[发明专利]具有非化学计量金属硫化物层的CIGS基光伏电池及制造该光伏电池的方法和装置-CN201810082938.0在审
发明人：鲁因·法尔希;乔迪·扎帕拉克;蒂莫西·内格尔 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造光伏器件的方法，包括：在衬底上形成包括铜、铟、镓和硫族元素的p型化合物半导体材料层；以及通过使用至少一个含金属和硫的溅射靶的溅射过程，在所述p型化合物半导体材料层上形成n型金属硫化物层，所述溅射靶具有非化学计量的成分，其中金属与硫原子比率大于1。
非化学计量材料层溅射靶金属硫化物层金属方法和装置光伏电池光伏器件硫化物层硫族元素硫原子衬底基光溅射制造电池

[发明专利]一种宽电压范围复合正极活性材料-CN202310691957.4在审
发明人：辛森;王雅慧;王文鹏;郭玉国 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽电压范围复合正极活性材料，是含硫族元素正极材料和含锂金属氧化物正极材料通过高能球磨复合而成。与常规的单一嵌入、转化储能机制正极材料相比，所述过渡金属氧化物和硫元素及其衍生物复合电极可以在1.7‑4.0V的宽电压区间内发挥多储能机制耦合的优势，有效地改善转化型硫元素及其衍生物复合正极的动力学和电化学稳定性
一种电压范围复合正极活性材料

[发明专利]球焊用贵金属被覆银线及其制造方法、及使用球焊用贵金属被覆银线的半导体装置及其制造方法-CN201880072388.2在审
发明人：千叶淳;安德优希;川野将太 -专利权人：田中电子工业株式会社
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的球焊用的贵金属被覆银线，是在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线，其特征为：线材包含至少1种硫族元素，贵金属被覆层的至少1层为钯层，钯相对于线材整体的含量为0.01质量％以上5.0质量％以下，且硫族元素相对于线材整体的含量为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。
球焊贵金属被覆及其制造方法使用半导体装置

[发明专利]一种铁硫族超导薄膜及其制备方法和应用-CN202310739293.4在审
发明人：张亚林;朱云瑞;刘胜利;刘金祥 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明属于超导材料制备技术领域，公开了一种铁硫族Fe(Se,Te)超导薄膜的制备方法，该方法包括步骤：通过固相反应法制备FeTe块材；紫外脉冲激光沉积技术在钛酸锶或氧化镁衬底上制备FeTe前驱薄膜；根据Fe(Se,Te)的化学组分配置元素单质原料混合，通过固相反应法制备Fe(Se,Te)块材；将所述FeTe前驱薄膜与所述Fe(Se,Te)块材封装于真空石英管内进行热处理完成离子交换过程，最终制备获得Fe本发明提供铁硫族Fe(Se,Te)超导薄膜的制备方法借助离子交换准确控制薄膜的化学组分，以解决元素分布的不均匀性，有效提高薄膜的生长质量和超导性质。
一种铁硫族超导薄膜及其制备方法应用

[发明专利]半导体纳米颗粒、其制造方法、复合物、装置和显示装置-CN202310281440.8在审
发明人：元那渊;金泰坤;金旻淏;杨承林;田信爱;郑睿彬;曺雅罗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：该半导体纳米颗粒包括银、13族金属和硫属元素，其中，半导体纳米颗粒发射第一光，13族金属包括镓，并且任选地还包括铟、铝或其组合，硫属元素包括硫，并且任选地还包括硒，第一光具有大于或等于约5纳米(nm)至小于或等于约70nm的半峰全宽，第一光具有大于或等于约500nm至小于或等于约600nm的最大发射波长，半导体纳米颗粒具有大于或等于约50％的量子产率，镓与硫的摩尔比大于或等于约0.1:1至小于或等于约1:1，并且由这里的等式
半导体纳米颗粒制造方法复合物装置显示装置

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top