专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备碲化薄膜太阳电池组件的方法-CN200910058316.5无效
  • 张静全;冯良桓;雷智;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 - 四川尚德太阳能电力有限公司
  • 2009-02-12 - 2010-08-18 - H01L31/18
  • 碲化薄膜太阳电池组件,属于新能源材料与器件领域。本发明首先在未经激光刻划的透明导电薄膜玻璃上,沉积硫化薄膜、碲化薄膜,获得“玻璃/透明导电薄膜/硫化/碲化”结构,对其进行热处理,然后进行激光刻划,刻掉“透明导电薄膜/硫化/碲化”,然后进行化学腐蚀,然后在“透明导电薄膜/硫化/碲化”刻线位置填注低温固化聚酰亚胺,然后沉积背接触层并进行后处理,然后使用激光刻划掉在“透明导电薄膜/硫化/碲化”刻痕附近刻划掉“硫化/碲化/背接触层”,沉积金属背电极层,然后使用激光刻划掉“透明导电薄膜/硫化/碲化”刻痕和“硫化/碲化/背接触层”刻痕附近的“硫化/碲化/背接触层/金属背电极”,获得串联集成的碲化薄膜太阳电池组件。该方法保证了全干法制备碲化薄膜太阳电池组件的工艺中,沉积硫化、碲化薄膜时可获得质量均匀一致的薄膜,保证了后续含氯化气氛中热处理均匀性,同时又不影响单元电池的形成及其串联集成的实现,从而提高了组件的转换效率
  • 一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件方法
  • [发明专利]碲化/硫化太阳能电池-CN201210166397.2在审
  • 刘生忠;李灿 - 陕西师范大学;中国科学院大连化学物理研究所
  • 2012-05-25 - 2012-10-24 - H01L31/0296
  • 一种碲化/硫化太阳能电池,在基底上表面设背电极,背电极上表面设电池结,电池结的上表面设电极。上述的电池结包括碲化薄膜,在碲化薄膜的上表面设硫化薄膜硫化薄膜、或硫化-硫化锌合金薄膜硫化-硫化锌合金薄膜用通式CdxZn1-xS表示的材料组成,式中0≤x<1。采用硫化-硫化锌合金薄膜、或硫化硫化薄膜,替代现有硫化薄膜硫化锌比硫化稳定且更透明,电流密度和电池稳定性显著提高;采用厚度不超过0.15mm不锈钢薄片或厚度不超过2mm的表面镀有金属薄膜的高分子材料基底
  • 碲化镉硫化太阳能电池
  • [发明专利]一种新型硫化薄膜及其生长方法-CN201310549852.1无效
  • 靖新宇 - 成都昊地科技有限责任公司
  • 2013-11-07 - 2014-03-12 - H01L33/28
  • 发明公开了一种新型硫化薄膜,其薄膜本体包括N型硫化层、P型硫化层和有源层,N型硫化层和P型硫化层均为包括主面和C面的硫化单晶,其主面和C面之间的夹角为30-60°,薄膜本体由正“V”形本体和倒本发明还公开了一种新型硫化薄膜的生长方法,采用双加热温梯炉进行生长,双加热温梯炉的坩埚槽为正“V”形和倒“V”形相间排列结构的坩埚槽。本发明所述硫化薄膜采用“V”形凹凸结构,硫化薄膜与基底之间产生的较大应力能利用“V”形空间分散释放,所以不会破裂或断裂;采用本发明所述方法生长硫化薄膜,其韧性更好。
  • 一种新型硫化薄膜及其生长方法
  • [发明专利]一种硫化陶瓷靶材及其制备方法-CN201410537517.4有效
  • 吴任平;董雪振 - 福州大学
  • 2014-10-13 - 2015-01-07 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种硫化(CdS)陶瓷靶材及其制备方法,属于太阳能光电材料领域。硫化薄膜是太阳能薄膜电池中的一种重要薄膜材料,硫化陶瓷靶材则是磁控溅射法制备薄膜时的前驱体材料。本发明以氯化作为助熔剂,经混料、成型、烧结制得所述硫化陶瓷靶材,其具有致密度高、电阻率低、稳定性好、结晶完整、晶粒形貌形状大小均匀的优良特性,且本发明方法工序简单、操作便捷,为制备优质的太阳能电池用硫化薄膜创造良好的条件
  • 一种硫化陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]掺杂包覆纳米硫化-金属薄膜及其制备方法和应用-CN201210012842.X无效
  • 许培源;李昊 - 许培源;李昊
  • 2012-01-16 - 2012-07-18 - C09K11/56
  • 掺杂包覆纳米硫化-金属薄膜及其制备方法和应用,它涉及薄膜及其制备方法和应用,本发明要解决现有的影院防偷拍及炼油厂阀门监控成本高、对车牌无有效监控方法的技术问题。本发明的掺杂包覆纳米硫化-金属薄膜是将硫化包覆的纳米金属的颗粒分散到聚乙烯醇中而制成的薄膜;制备方法:将硫化钠、纳米金属粉、聚乙烯吡咯烷酮和柠檬酸钠加入水中,得到硫化钠溶液;再将硝酸溶液逐滴加入到硫化钠溶液中,超声震荡,得到硫化包覆金属颗粒;再将硫化包覆金属颗粒加入到聚乙烯醇溶液中混合均匀,然后涂于平面介质上,烘干,得到薄膜。该薄膜在523纳米激光激发下能够释放出850纳米红外线,可用于影院、炼油厂及车牌监控。
  • 掺杂纳米硫化金属薄膜及其制备方法应用
  • [发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法-CN202110332164.4有效
  • 梁广兴;于紫轩;陈名东;陈烁;郑壮豪 - 深圳大学
  • 2021-03-29 - 2022-08-05 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法,包括:在沉积于衬底的钼薄膜层上溅射锑金属,得到金属前驱膜;将硒源和金属前驱膜放置于双温区管式炉中,通过硒源对金属前驱膜进行硒化退火,得到沉积于钼薄膜层上的硒化锑薄膜层;在硒化锑薄膜层上沉积硫化薄膜层,得到沉积于钼薄膜层上的硫化/硒化锑异质结;对硫化/硒化锑异质结进行热处理后,在硫化薄膜层上沉积透明导电层以及在透明导电层和所述钼薄膜层上沉积背电极,得到硒化锑薄膜太阳电池本发明通过对硫化/硒化锑异质结进行热处理,使得硫化中的Cd2+和S2‑扩散至硒化锑进行有效掺杂,降低了电池开路电压亏损,提高了薄膜太阳电池的开路电压。
  • 一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法

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