专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能电池CIGS材的制备方法-CN201310740633.1有效
  • 陈进中;莫经耀;吴伯增;林东东;甘振英 - 柳州百韧特先进材料有限公司
  • 2013-12-27 - 2014-04-02 - C23C14/34
  • 本发明涉及太阳能电池的CIGS吸收层,具体说是太阳能电池CIGS材的制备方法,其包括制取铜铟镓粉末;将铜铟镓粉末与粉得到铜铟镓混合料;将混合料置于钢模中加压制成体;点燃体反应生成烧结体;将其球磨粉碎,得到CIGS粉末;对粉末进行酸洗、干燥;将干燥后的粉末压制成CIGS材。本发明采用先制备铜铟镓粉末,再与粉混合的方式,不仅解决与镓或铟直接混合可能产生剧毒或爆炸的问题,而且制得的粉末粒径均匀,为生产高质量的材提供强有力的物质基础。本发明采用点燃体的方式烧结,不仅无需持续的外部热源,能耗低,设备较简单;而且可蒸发掉挥发性杂质,产物的纯度较高。
  • 太阳能电池cigs制备方法
  • [发明专利]铜铟镓材的制作方法-CN201010132083.1无效
  • 锺润文 - 慧濠光电科技股份有限公司
  • 2010-03-25 - 2011-09-28 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种铜铟镓材的制作方法,包含铜铟镓化合物制作步骤、铜铟镓粉末制作步骤、材初制作步骤、烧结步骤以及整型步骤,主要是依照原子比例,将铜、铟、镓的金属粉末或其合金粉末以及粉以有机溶剂均匀混合,再以高温反应合成为铜铟镓化合物,再将铜铟镓化合物形成粒径小于5μm的粉末,然后制作为铜铟镓材。藉由本发明铜铟镓材制作铜铟镓薄膜,可以省略化步骤,以确保制程的安全性,同时能够缩减制程时间、减少耗能、增加材料的利用率,进一步改善薄膜的均匀度及晶相,更提升太阳能电池的转换效率。
  • 铜铟镓硒靶材制作方法
  • [发明专利]一种制备铜铟溅射靶材的工艺-CN200810116717.7无效
  • 张弓;庄大明;元金石;李春雷;张宁;宋军 - 清华大学
  • 2008-07-16 - 2008-12-31 - C23C14/34
  • 本发明属于光电材料新能源技术领域,特别涉及一种制备铜铟溅射靶材的工艺。SUB>2Se3粉末,混合后在行星式球磨机中球磨,而后冷压成型,制得Cu2Se和In2Se3混合材料素,将此素置于密闭的真空烧结炉中,在H2保护气氛中,烧结,冷却后脱模,即得到铜铟材。所制得的材具有均一的铜铟相,相对密度达到95%以上。本发明具有工艺简便,效率高,成本低,稳定性好等优点,为制备铜铟吸收层薄膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。
  • 一种制备铜铟硒溅射工艺
  • [发明专利]一种陶瓷材及其制备方法-CN201910536983.3有效
  • 沈文兴;朱刘;童培云;白平平 - 先导薄膜材料(广东)有限公司
  • 2019-06-20 - 2021-11-19 - C04B35/547
  • 本发明涉及溅射靶材技术领域,尤其涉及一种陶瓷材及其制备方法。所述制备方法包括:A)将所述铜锌锡粉体与氟化铷粉体进行均质混合,所述均质混合后的粉体经预压后,得到体;B)在真空的条件下,将所述体加热至200~400℃,进行保温;C)然后加热至600~700℃,保温后在25~50MPa下进行热压烧结,降温、减压后,得到;D)对所述进行机械加工,得到陶瓷材。采用本发明提供的制备方法制得的陶瓷材的纯度和密度均较高,组分均匀。为制备高性能掺杂材提供一定的理论参考。结果表明,本发明制备的陶瓷材的纯度99.99%,密度为5.53~5.58g/cm3,相对密度为94~95%。
  • 一种陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]铜铟镓薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
  • 杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 - 深圳先进技术研究院;香港中文大学
  • 2013-07-03 - 2013-10-09 - C23C14/35
  • 一种铜铟镓薄膜制备方法,包括以下步骤:通过采用铜、铟及镓材的磁控溅射,在衬底上制备铜铟镓预制层,所述镓由三化二镓材料制成;所述镓晚于所述铟开始磁控溅射,并且所述镓晚于所述铟停止磁控溅射;对所述铜铟镓预置层进行化及退火,制得铜铟镓薄膜。在上述铜铟镓薄膜制备方法中,通过在磁控溅射过程中,镓晚于铟开始磁控溅射,且镓晚于铟停止磁控溅射,从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓薄膜的底部富集,增加镓组分在铜铟镓薄膜顶部的含量,达到提升开路电压的目的,此外,使用该铜铟镓薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
  • 铜铟镓硒薄膜制备方法
  • [发明专利]铜铟镓硫五元材的制作方法-CN201010542692.4无效
  • 钟润文 - 慧濠光电科技股份有限公司
  • 2010-11-05 - 2012-05-23 - B22F3/16
  • 一种铜铟镓硫五元材的制作方法,包含铜铟镓硫化合物制作步骤、铜铟镓粉末制作步骤、材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤,主要是依照原子比例,将铜、铟、镓、、硫的元素粉末以合成溶剂混合,再反应合成为铜铟镓硫化合物,再制作为铜铟镓材,或将作为五元材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合,经过高压烧结而完成,以本发明铜铟镓硫五元材制作铜铟镓薄膜,可省略化、硫化步骤,以确保制程安全性,且该材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀,能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硫薄膜。
  • 铜铟镓硒硫五元靶材制作方法
  • [发明专利]铜铟镓材及其制备方法和太阳能电池-CN202310173503.8有效
  • 王海北;李拓夫;牛犁;郑朝振;马浩;张学友 - 矿冶科技集团有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-05-16 - C04B35/547
  • 本申请提供一种铜铟镓材及其制备方法和太阳能电池,涉及材料领域。铜铟镓材的制备方法,包括:采用气雾化法制备CuInGa三元合金粉,将所述CuInGa三元合金粉与Se粉混合,然后依次进行低温烧结和高温烧结得到铜铟镓粉末,将所述铜铟镓粉末采用热等静压法制备得到铜铟镓材铜铟镓材,使用所述的铜铟镓材的制备方法制得。太阳能电池,其原料包括所述的铜铟镓材。该制备方法得到的CIGS材致密度好、能够避免大范围的偏析、成分配比精准;可以一步溅射直接得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层,省略溅射后的化步骤,缩短了工艺流程、节省了成本,提升了CIGS吸收层的质量。
  • 铜铟镓硒靶材及其制备方法太阳能电池

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