“硒化”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2430746个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种离子硒的生产工艺-CN202110858915.6在审
发明人：高昌胜 -专利权人：硒养生命医学研究（山西）有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C05F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子硒的生产工艺，涉及离子硒生产技术领域，包括有含硒土壤，所述工艺包括以下主要步骤：含硒土壤的测定、含硒土壤的挖取、含硒土壤的加工及离子硒的生成。该离子硒的生产工艺，通过对含硒土壤中的硒化物进行微生物菌落分解操作，散发出气态烷基硒化物，使得气态烷基硒化物能够与化学试剂之间进行充分反应，产生离子硒，整个过程处于密闭空间进行，有效保证离子硒在生产过程中，避免其因密闭性不足，造成氧化现象，出现亚硒酸盐或硒酸盐，难以被植物吸收，需要进行再次提纯的现象。
一种离子生产工艺

[发明专利]一种二硒化钯二维晶态薄膜层的制备方法-CN201810102885.4有效
发明人：李恩;王东飞;范朋;王业亮;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种二硒化钯二维晶态薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤100、准备以碳化硅为基体且在其表面制作有石墨烯层的基座；步骤200、将基座的温度保持在硒和钯的生长温度范围内；步骤300、将纯硒和纯钯按反应比例以蒸发的方式生成硒原子和钯原子后沉积至基座上，硒原子和钯原子在基座上发生反应，形成原子组成的二维有序晶态薄膜层，该薄膜层中，硒原子和钯原子以硒‑钯‑硒的叠加状态分布。本发明通过上述方法解决了现有技术中只能得到二硒化钯块状体的现状，可获取到原子级的二硒化钯薄膜层，为充分利用二硒化钯研究二硒化钯的物性及相关器件提供了便利。
硒化晶态薄膜硒原子钯原子二维制备物性叠加状态器件提供石墨烯层温度保持原子组成薄膜层块状体碳化硅原子级钯薄膜纯硒纯钯沉积蒸发生长便利制作研究

[发明专利]一种具有条纹结构的过渡金属二硫属化合物及其制备方法-CN201910104985.5有效
发明人：刘中流;朱知力;王业亮;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：其中，具有条纹结构的二硒化钒，不仅具有单层二硒化钒固有的硒钒硒三层原子构成的三明治层状结构，并且表面布满由线状硒空位等间距排列所构成的一维条纹。本发明在特定的真空条件下，对单层的二硒化钒进行退火处理，通过控制退火处理的工艺参数使得单层二硒化钒中的硒原子部分脱附产生硒空位，剩余的硒进行晶格重排，从而在单层二硒化钒表面生成有序的周期性的一维条纹纳米结构这种高度有序并可调制的单层二硒化钒面内一维条纹结构材料为实现二维材料功能化提供了新的途径，在低维材料、分子电子学、催化等相关研究与应用方面具有广泛的应用潜力。
一种具有条纹结构过渡金属二硫属化合物及其制备方法

[发明专利]一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法-CN202010686441.7有效
发明人：李煜;郑博方;张晗;李峰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法，其包括步骤：提供具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片以及硒粉；将所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片置于双温区管式炉的载气下游的加热段中，同时，将所述硒粉置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中对所述双温区管式炉的载气上游的加热段进行加热，使所述载气上游的加热段的温度达到第一预设阀值，其后，对所述双温区管式炉的载气下游的加热段进行加热，使所述载气下游的加热段的温度达到第二预设阀值，并进行保温处理，即得到硒空位缺陷修复后的硒化亚锡纳米片本发明通过对硒化亚锡纳米片中的硒空位缺陷进行修复，有效提高了硒化亚锡纳米片的电导率。
一种硒化亚锡纳米片中空位缺陷修复方法

[发明专利]一种硒化葡甘寡糖在预防和治疗糖尿病中的应用-CN202010404332.1在审
发明人：刘启顺;尹恒;唐德剑;许亚丽 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;安康市富硒产品研发中心
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： A61K31/736 文献下载
摘要：本发明涉及硒化寡糖技术领域，具体是硒化葡甘寡糖的新应用。硒化葡甘寡糖为葡甘寡糖亚硒酸酯，可应用于预防和/或治疗糖尿病药物中，也可应用于降血糖药物或降血糖食品中。硒化葡甘寡糖的糖链是β‑D‑葡萄糖和β‑D‑甘露糖通过β‑1,4‑糖苷键为主链，部分β‑1,3‑葡萄糖为支链的寡糖，硒含量为50mg/kg～20g/kg。硒化葡甘寡糖具有较好的降血糖活性，效果优于葡甘寡糖和无机硒亚硒酸，且原料来源于天然多糖，安全无副作用。
一种硒化葡甘寡糖预防治疗糖尿病中的应用

[发明专利]一种硒化锗靶材及其制备方法-CN201910610004.4有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化锗靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒锗合金，再通过球磨得到硒锗粉体，然后运用真空热压法制备得到硒化锗靶材，制备出的硒化锗靶材致密度较高，与理论硒含量相差较小。
一种硒化锗靶材及其制备方法

[发明专利]一种改变硒化锑薄膜电学性质的方法及硒化锑太阳电池-CN201911186536.6在审
发明人：李志强;郭春升;梁晓杨 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种改变硒化锑薄膜电学性质的方法及硒化锑太阳电池，所述方法为通过磁控溅射法或热蒸发镀膜法在衬底上沉积一层金属层，然后利用近空间升华法在所述金属层上进行硒化锑的沉积，在沉积硒化锑时，调控衬底的温度在250~450℃，使金属层中的金属元素向硒化锑层扩散，从而形成硒化锑合金薄膜，实现对硒化锑薄膜电学性质的优化。本发明在薄膜沉积过程中，通过调控衬底温度，来制得结晶情况更优、缺陷密度更小、载流子浓度高的硒化锑合金薄膜，且该工艺方法操作简单，条件可控，其电学性质可调，适宜进一步推广与应用。
一种改变硒化锑薄膜电学性质方法太阳电池

[发明专利]硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料及其制备方法-CN201710202017.9有效
发明人：李亚丰;杭云海 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料及其制备方法。所述硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料由硒化镉量子点和纳米多孔碳复合形成，所述硒化镉量子点原位生长于所述纳米多孔碳的表面，所述纳米多孔碳通过在惰性气体保护下煅烧沸石咪唑酯类配位聚合物得到。本发明的纳米多孔碳具有比表面积大、孔道均匀、孔道尺寸大的优点，在与硒化镉量子点形成复合材料时可提高硒化镉量子点的分散度，控制硒化镉量子点的晶粒尺寸，减少小尺寸的硒化镉量子点的生成，使复合材料的光催化效率以及寿命得到明显改善
硒化镉量子纳米多孔复合材料及其制备方法

[发明专利]应用于畜牧业的基于生长成熟硒含量的水源矿化处理方法-CN201910402752.3在审
发明人：许吉 -专利权人：安徽太行净水设备有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C02F1/68 文献下载
摘要：本发明提出的一种应用于畜牧业的基于生长成熟硒含量的水源矿化处理方法，包括：获取各牲畜不同生长周期和季节所需的饮水硒含量值；在饮水输送网络的主干路径上设置矿化水处理器，矿化水处理器内部设有富含硒的填料；根据饮水输送网络的饮水输送方向计算矿化水处理器的输出水流的目标硒含量值；对矿化水处理器的输出水流进行硒含量检测获取实际硒含量值；根据实际硒含量值与目标硒含量值的对比结果调整矿化水处理器的工作状态，使实际硒含量值趋于目标硒含量值。本发明中，利用牲畜每天必须饮水的特点、对牲畜进行富硒水饮水管理，达到牲畜补硒的目的，有利于提高成熟期牲畜供应的肉、乳、蛋等的硒含量。
矿化水处理器牲畜饮水输送矿化处理饮水畜牧业输出水源对比结果方向计算含量检测生长周期主干路径生长补硒富含富硒成熟应用网络管理

[发明专利]薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法-CN201310620779.2无效
发明人：伍祥武;陈进中;吴伯增;林东东;甘振英 -专利权人：柳州百韧特先进材料有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及CIGS太阳能电池的吸收层，具体说是薄膜太阳能电池CIGS吸收层的硒化方法，其包括制备硒蒸气、通过输送带将吸收层衬底输送至预热区预热、经预热的衬底输送至具有惰性气体保护的硒化区，同时将硒蒸气导入硒化区，向移动的衬底上喷射硒蒸气、喷涂有硒的衬底在硒化区反应、反应完成后，由输送带将衬底输送至冷却区进行冷却，然后将其输出。本发明采用向移动的衬底喷射硒蒸气的方式，不仅喷涂均匀，提高成膜均匀性；硒蒸气通过裂解后，再进行喷涂，提高了硒蒸气的活性，进而提高了成膜质量。
薄膜太阳能电池 cigs 吸收方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺-CN201711079180.7在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。
一种碲化镉薄膜太阳能电池吸收层掺硒工艺

[发明专利]一种硒化锌光学材料的制备方法-CN202111197522.1在审
发明人：张高峰;张荣实;李特;甘硕文;刘孟寅;李霄鹏;荣景颂;周珺;刘华松 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明属于光学材料制备技术领域，具体涉及一种硒化锌光学材料的制备方法。首先通过加热使硒化锌(ZnSe)粉体原料使其气化，然后在合适的环境下凝结生长成硒化锌晶坯，再经热等静压处理完善晶格结构，消除内部微观缺陷，提高致密度，制备成可作为光学透镜材料使用的硒化锌光学材料。该方法制备的硒化锌光学材料的品质达到了现有技术制备的硒化锌光学材料品质，能够广泛用于硒化锌光学透镜材料的应用领域，具有制备工艺简单、安全环保、周期短、品质高的特点。
一种硒化锌光学材料制备方法

[发明专利]一种硒化砷的制备方法-CN201610083120.1有效
发明人：文崇斌;朱刘;胡智向 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化砷的制备方法，包括以下步骤：将硒粉和砷粉在惰性气体条件下进行加热反应，得到硒化砷；所述加热的梯度升温条件为：以1～3℃每分钟加热至200～300℃，保温1～3小时；再以1～3℃每分钟加热至本发明提供的硒化砷的制备方法以硒粉和砷粉为原料，采用特定的升温程序低温合成硒化砷，避免了硒和砷的挥发，因此无需使用真空密闭的反应容器，采用管式炉即可实现制备过程，反应容器可以重复利用。并且制备得到的硒化砷的产率较高。结果表明，本发明提供的硒化砷的得率大于99.5％。
硒化砷制备加热硒粉保温惰性气体条件低温合成加热反应升温程序梯度升温真空密闭制备过程重复利用管式炉挥发产率得率

[发明专利]一种二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料及其制备方法和应用-CN201610628577.6有效
发明人：张治安;李军明;陈晓彬;赖延清;张凯;李劼 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-08-03 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料及其制备方法和应用，本发明将硒粉溶于惰性气体饱和的硼氢化钠溶液中，得到含硒粉溶液；按照制备二硒化锡所需的硒锡摩尔比将含硒粉溶液和锡源水溶液混合，得到混合溶液，向混合溶液中加入聚乙烯亚胺，充分搅拌后进行水热反应；反应得到的产物经过滤、洗涤、干燥后得到二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料。得到的二硒化锡/聚乙烯亚胺复合材料中，聚乙烯亚胺均匀包覆在二硒化锡六方纳米片上；作为钠离子电池负极材料具有优良的电化学性能，且其制备方法简单，成本低廉，具有广阔的工业化应用前景。
聚乙烯亚胺硒化复合材料硒粉制备方法和应用制备硼氢化钠溶液电化学性能工业化应用混合溶液中六方纳米片钠离子电池水溶液混合惰性气体负极材料混合溶液均匀包覆摩尔比热反应锡源洗涤饱和

[发明专利]一种二硒化钯的制备方法-CN202210703529.4有效
发明人：逄金波;李玉芬;孙德辉;周伟家;刘宏 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钯的制备方法，包括以下步骤：(1)在基底表面进行钯金属镀膜，得到基底/钯薄膜；(2)在基底/钯薄膜的表面旋涂含硒分散液，干燥后在保护气氛中，利用等离子体辅助热退火制备得到二硒化钯薄膜所述制备方法还包括：将步骤(2)得到的二硒化钯薄膜转移至目标基底的步骤。本发明利用钯薄膜蒸镀‑硒分子涂覆‑加热反应制备二硒化钯薄膜的方法，不但钯金属膜与硒分子膜固相反应制备方法简单直接、生长速率快，而且利用了钯薄膜前驱体的完整涂覆特点，可以得到完整的二硒化钯薄膜，可获取晶圆级二硒化钯的规模化生产
一种二硒化钯制备方法