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华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅靶材结构及其制造方法以及硅靶材组件的制造方法-CN201610561654.0在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;章晨 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种硅靶材结构及其制造方法以及硅靶材组件的制造方法，硅靶材结构的制造方法包括，提供硅靶材，所述硅靶材具有焊接面；采用化学镀工艺，在所述硅靶材焊接面上形成铜镀层。本发明利用化学镀工艺，稳定的在硅靶材焊接面上形成铜镀层，所述铜镀层与常用焊料或背板具有很好的浸润性，从而显著的改善硅靶材与其他材料的焊接性能，使得硅靶材可以与背板实现可靠的结合，以满足硅靶材组件长期稳定使用的需求
硅靶材结构及其制造方法以及组件

[发明专利]一种硅靶材组件的钎焊方法-CN201210367293.8无效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅靶材组件的钎焊方法。本发明硅靶材组件的钎焊方法以铟为钎焊材料，在硅靶材和背板的焊接面上涂覆一层铟钎料层，之后将涂覆有铟钎料层的硅靶材和背板的焊接面相贴合，进行钎焊，形成靶材组件。经检验，采用本发明制得的硅靶材组件中，硅靶材和背板的结合率达到95%以上，其完全满足磁控溅射过程中，对于硅靶材和背板高强度结合的要求。
一种硅靶材组件钎焊方法

[发明专利]一种大尺寸溅射硅靶材-CN201510193687.X有效
发明人：周斌 -专利权人：南京帝优新材料科技有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸溅射硅靶材，所述的硅靶材为圆形靶材，直径为300—500毫米，所述的硅靶材由三层结构组成：硅靶层、钼背靶层及位于硅靶层和钼背靶层中间的焊接层，所述的硅靶层的成分为高纯多晶硅或单晶硅，所述的钼背靶层的成分为高纯钼，所述的焊接层的成分为金属铟。本发明具有如下技术效果：1）表面粗糙度低，不超过当前通用产品Ra值的1/2；2）焊接结合率高，大于96.5%，超过95%工业水平；3）采用新型背靶材料，使靶材与背靶的导热系数接近，避免因受热不均导致的靶材变形等问题；4）背靶使用寿命高，比现通用产品使用寿命提高一倍以上；5）靶材的晶粒度控制佳，平均晶粒度可控制在100μm以下，远低于当前200μm的产品标准。
一种尺寸溅射硅靶材

[发明专利]溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯-CN201110322364.8有效
发明人：金子英雄;稻月判臣;吉川博树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。
溅射用靶材含硅膜形成方法光掩模坯

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201210374813.8有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]钼硅靶材及其组合的制造方法-CN201410471140.7有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钼硅靶材及其组合的制造方法，其中钼硅靶材的制造方法包括：提供钼粉和硅粉；使用混合工艺将所述钼粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；使用冷压工艺将所述混合粉末制成钼硅靶材坯料；使用真空热压烧结工艺将所述钼硅靶材坯料制成钼硅靶材1、本发明的钼硅靶材制造工艺是一次大胆尝试，制备工艺步骤少，生产速度快。使用本方案的制造方法能够获得致密度大于等于99％的钼硅靶材，并且获得的钼硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钼硅靶材制造靶材坯料混合粉末硅粉钼粉热等静压工艺真空热压烧结制备工艺步骤高压工艺混合工艺使用性能微观结构制造工艺溅射冷压生产能源

[发明专利]硅靶材表面处理方法-CN201210183787.0无效
发明人：黄建尧;孙明义;余建辉 -专利权人：鑫科材料科技股份有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：一种硅靶材表面处理方法，以多个弹性针状物对一硅靶材进行研磨，使得该多个弹性针状物伸入该硅靶材表面的微孔隙均匀施予研磨切削力，以去除该硅靶材表面的微裂痕，其中该硅靶材去除表面微裂痕后的表面粗度为0.1至0.3由此，可以延缓生成于该硅靶材表面的氧化硅膜产生剥离的现象，以延长该硅靶材的使用寿命，且提升该氧化硅膜溅镀于基材表面的速率及质量。
硅靶材表面处理方法

[发明专利]硅旋转靶材及其制备方法-CN201710580679.X在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;罗明浩;章晨 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种硅旋转靶材及其制备方法，所述制备方法包括：提供基体管；采用第一等离子体喷涂工艺，在所述基体管上喷涂硅层，形成环绕所述基体管的硅靶材层。通过采用等离子体喷涂工艺形成环绕所述基体管的硅靶材层，获得尺寸满足工艺需求、结构致密度较高、无裂纹的硅旋转靶材，且使所述硅旋转靶材的尺寸一体化，所述硅旋转靶材的长度和厚度不受限制，且无需采用多节分段焊接的方式，能够简化所述硅旋转靶材的制备工艺，降低制备成本。
旋转靶材基体管制备等离子体喷涂硅靶材环绕分段焊接工艺需求制备工艺受限制多节硅层喷涂一体化

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201410668721.X在审
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种钨硅靶材的制造方法，包括：提供钨粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钨粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钨硅靶材坯料；将所述钨硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钨硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钨硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钨硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]钼硅靶材的制造方法-CN201410667330.6有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B22F3/12 文献下载
摘要：一种钼硅靶材的制造方法，包括：提供钼粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；将所述钼硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钼硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钼硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。
钼硅靶材制造方法

[发明专利]在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法-CN200510079720.2无效
发明人：刘力锋;陈诺夫;尹志岗;杨霏;柴春林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰－硅薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜，该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。
衬底磁控溅射制备铁磁性薄膜方法

[实用新型]新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶-CN202121742320.6有效
发明人：孙巍泉;鲁旗;朱琳;傅斌 -专利权人：普乐（合肥）光技术有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型给出了一种新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶，包括硅环和金属内筒，硅环通过绑定材料固定在金属内筒外壁上；所述硅环包括至少一组硅环段，所述硅环段包括若干N型硅条，若干N型硅条沿金属内筒外壁呈圆周分布，N型硅条长度方向与金属内筒的轴向方向一致。本新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶提出了组合型N型旋转圆柱靶管的构造概念，用多边型硅材料组合成旋转圆柱靶。本新型磁控溅射旋转圆柱N型硅靶的优点是靶材密度高，纯度高，成本低，易于加工。
新型磁控溅射旋转圆柱型硅靶

[发明专利]一种硅铝靶材及其制备方法-CN202310925167.8在审
发明人：文崇斌;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铝靶材及其制备方法，属于靶材制备技术领域。本发明所述硅铝靶材的制备方法不同于现有技术，先将硅粉和铝粉进行特定预处理得到均匀的硅铝合金，随后再将硅铝合金破碎成粉末进行等离子喷涂最终得到硅铝靶材，该产品的不仅对设备的要求低，可实现规模生产，同时还有效解决了现有等离子喷涂制备硅铝靶材中铝元素损失且分布不均匀的问题，硅铝靶材不同位点的铝元素分布误差最低只有0.2wt％。
一种硅铝靶材及其制备方法

[发明专利]一种硅靶材的机械加工方法-CN202110682915.5在审
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;阮力超 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅靶材的机械加工方法，所述硅靶材的机械加工方法包括如下步骤：(1)按照目标靶材的形状，对硅靶材进行第一次磨削处理，得到粗加工硅靶材；(2)对步骤(1)所得粗加工硅靶材进行第二次磨削处理，得到表面光滑的硅靶材；步骤(1)所述第一次磨削处理与步骤(2)所述第二次磨削处理分别独立地在喷雾冷却的条件下进行。本发明通过对硅靶材分别进行第一次磨削处理以及第二次磨削处理，使得硅靶材在处理过程中不会发生崩角或开裂的现象，达到目标靶材尺寸以及外观的要求。
一种硅靶材机械加工方法

[发明专利]膜层以及膜层的制备方法-CN202310647518.3在审
发明人：贺建强;何朝明;崔基国;柳贵友;班东;王红升;查鑫淼;任广辉;苗凯菲;刘其龙 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种膜层以及膜层的制备方法，膜层的制备方法包括如下步骤：以铬靶和硅靶作为靶材，在基材上溅射形成灰色的颜色层，所述颜色层为膜层的最外层，其中，所述铬靶的电流小于所述硅靶的电流。本发明实施例的膜层的制备方法通过采用铬靶和硅靶作为靶材，并且限定铬靶的电流小于硅靶的电流，能够在未通入反应气体的情况下即能够得到灰色的颜色层，并且灰色系颜色多样。
以及制备方法

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