|
钻瓜专利网为您找到相关结果 5449266个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
-
侯珏
-
北京北方华创微电子装备有限公司
-
2013-12-31
-
2020-04-28
-
H01L21/768
- 本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺,用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率,工作步骤如下:步骤A1,向磁控溅射设备中通入工艺气体;步骤A2,用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积;步骤A3,用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积,重复步骤A2和A3,直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀,且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺,工艺设计简单合理,通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积,提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率,可以完美的支持后续的电镀工艺,提高产能。
- 硅通孔深孔填充工艺
- [发明专利]一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法-CN201510138166.4有效
-
方孺牛;缪旻;金玉丰
-
北京大学
-
2015-03-26
-
2017-10-10
-
H01L23/52
- 本发明公开了一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法,该半导体结构包括衬底,信号通孔和地通孔,其中衬底为P型背景掺杂;所述通孔是由多晶硅填充的通孔;所述信号通孔为N型掺杂;所述地通孔为P型掺杂。本方法为1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔;2)在衬底第一表面上粘附一干膜层,图形化干膜层,使干膜层在一部分深孔上形成开口;3)向干膜层上有开口的深孔填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅,去掉干膜;4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅对于高速/高频系统,采用该结构将不需要对原先硅通孔布局布线和版图进行调整,即能获得信号完整性和电源完整性的提升。同时本发明具有工艺简单,成本低,效果好的优势。
- 一种包含硅通孔半导体结构及其制造方法
|