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[发明专利]一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法-CN201910473109.X在审
发明人：陈达明;陈奕峰;王尧;刘成法;何宇;邹杨;夏锐;林文杰;袁玲;龚剑 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，包括以下步骤：在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；采用激光辐照多晶硅薄膜。对于原位掺杂的多晶硅薄膜，采用激光辐照多晶硅薄膜，以激活掺杂原子。若对于需外部引入掺杂源的多晶硅薄膜，采用激光辐照，将掺杂剂推入多晶硅薄膜以实现掺杂。本发明可以实现多晶硅薄膜掺杂的低温化，本发明可以实现多晶硅薄膜的局域掺杂。
一种用于多晶薄膜激光掺杂方法

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法-CN201310112345.1有效
发明人：花国然;王强;朱海峰 -专利权人：南通大学
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种硅基埋栅薄膜太阳能电池的制作方法，包括：制备底电极；在底电极上淀积P+硅薄膜层；在P+硅薄膜层上淀积P-硅薄膜层；在P-硅薄膜层上淀积N-型硅薄膜层；在电极窗口处的N-型硅薄膜上进行N型杂质的重掺杂，在电极窗口处的N-型硅薄膜层上形成N+型硅薄膜；制备顶电极；淀积包围顶电极的N-型硅薄膜层；激光刻蚀P型硅薄膜通槽，在上述N型硅薄膜层两侧用激光刻蚀出连通所述P-硅薄膜层的通槽；对上述通槽继续进行硅薄膜淀积，形成包围N型硅薄膜的P-硅薄膜层。本发明提高了太阳能电池的受光面积，从而提高了电池的光电转换效率；且制备工艺与现有薄膜电池生产工艺兼容，可利用现有设备进行生产。
一种硅基埋栅薄膜太阳能电池制作方法

[发明专利]多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法-CN201410203194.5在审
发明人：刘政 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法，涉及显示技术领域，可使多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高，从而使得薄膜晶体管的电学性能得到提升。该多晶硅薄膜的制备方法包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理，使非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜；进一步的在形成非晶硅薄膜之后，采用准分子激光退火方法对非晶硅薄膜进行处理之前，所述方法还包括：对非晶硅薄膜的表面进行镍盐溶液处理，使镍盐溶液均匀涂于非晶硅薄膜的表面。用于需要提高多晶硅结晶均匀，并增大晶粒尺寸，使结晶质量提高的多晶硅薄膜、低温多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备。
多晶薄膜薄膜晶体管阵列制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜-CN201410631331.5在审
发明人：张隆贤;余威 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜的制备装置及低温多晶硅薄膜。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：提供一基板；形成一层非晶硅薄膜；用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜的制备装置制备出的低温多晶硅薄膜具有较大的晶粒及较高的电子迁移率。
低温多晶薄膜制备方法设备

[发明专利]温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110295345.0无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
温度制作高效率基材薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、N型氢化微晶硅薄膜、第二透明导电层与金属背电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法及薄膜晶体管制造方法-CN201410499658.1在审
发明人：呂明仁;钟尚骅;吴建宏;彭思君 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种形成多晶硅薄膜的方法及应用该形成多晶硅薄膜的方法的薄膜晶体管制造方法。形成多晶硅薄膜的方法包括：步骤10：在基板上沉积第一非晶硅薄膜；步骤20：进行激光退火工艺，使用激光照射所述第一非晶硅薄膜，将所述第一非晶硅薄膜加热熔化生成第一多晶硅薄膜；步骤30：用氩离子轰击生成的所述第一多晶硅薄膜的表面，生成第二非晶硅薄膜；以及步骤40：进行激光活化步骤，使所述第二非晶硅薄膜的晶格重置，形成第二多晶硅薄膜。
形成多晶薄膜方法薄膜晶体管制造

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置-CN201310455936.9有效
发明人：王磊;田雪雁;任章淳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管和显示装置，涉及显示器领域，可以提高低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸及均匀性，并能充分利用入射激光的能量，有利于降低低温多晶硅薄膜的生产成本，提高了低温多晶硅薄膜晶体管的性能低温多晶硅薄膜的制备方法包括：在基板上沉积非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上覆盖光学增透薄膜；对光学增透薄膜进行光刻，使光学增透薄膜表面具有阵列排布的聚光结构；对覆盖有光学增透薄膜的非晶硅薄膜进行激光照射，使所述非晶硅薄膜转化为低温多晶硅薄膜；用低温多晶硅薄膜构建薄膜晶体管，并将其用于显示装置。
低温多晶薄膜制备方法薄膜晶体管显示装置

[发明专利]一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置-CN201710499560.X有效
发明人：郭小伟;王大帅;杨承;李绍荣;邹渝 -专利权人：南京新创力光电科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开的一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置，包括：提供衬底，在所述衬底上设置非晶硅薄膜，在所述非晶硅薄膜上设置单晶硅薄膜，利用激光束透过所述衬底对所述非晶硅薄膜进行扫描，所述激光束到达所述非晶硅薄膜时，所述非晶硅薄膜上与所述单晶硅薄膜相接触的部位最先被所述激光束扫描到，以所述单晶硅薄膜作为籽晶层，所述非晶硅薄膜在所述激光束的作用下熔融再结晶，形成多晶硅薄膜；本发明制备出的多晶硅的质量趋近于单晶硅，适用于半导体材料制造领域
一种质量多晶薄膜制备方法装置

[发明专利]多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板-CN201710601161.X有效
发明人：李海旭;曹占锋;姚琪;张锋;党宁;高斐 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板。多晶硅薄膜的制作方法包括：在基板上沉积非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜；使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变，使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能；对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理，使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中，受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。本发明的方案能够消除多晶硅薄膜中晶粒与晶界所存在的缺陷，在应用于薄膜晶体管的有源层时，可降低薄膜晶体管的漏电流，以保证显示画面的稳定驱动。
多晶薄膜薄膜晶体管制作方法设备显示

[发明专利]叠层布线和利用该叠层布线的半导体器件及其制造方法-CN200710088746.2有效
发明人：田中淳;加纳博司 -专利权人：日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：提供一种由微晶硅薄膜和金属薄膜构成的叠层布线，该叠层布线能够抑制微晶硅薄膜和金属薄膜之间的过多硅化物生成反应，由此防止发生薄膜脱落。在利用叠层布线的多晶硅TFT(薄膜晶体管)中，微晶硅薄膜被构造，使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的60％或更大的晶粒，总计为晶粒总数的15％或更少；或者使得微晶硅薄膜中的、在微晶硅薄膜的膜厚度方向上的长度为微晶硅薄膜的膜厚度的50％或更小的晶粒，总计为构成微晶硅薄膜的晶粒总数的85％或更多。
布线利用半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种硅基埋栅薄膜太阳能电池-CN201110219044.X无效
发明人：王强;朱海峰;花国然;章国安;陆健 -专利权人：南通大学
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池，包括一顶电极、一与衬底连接的底电极、P型硅薄膜和N型硅薄膜，其中所述顶电极被N型硅薄膜所包裹，所述P型硅薄膜包裹在N型硅薄膜的周围，在P型硅薄膜与N型硅薄膜的结合面上形成闭合环状的PN结，所述底电极与N型硅薄膜连接。其制作步骤是：1）制备底电极；2）第一次淀积P型硅薄膜；3）第二次淀积P型硅薄膜；4）第一次淀积N型硅薄膜；5）形成欧姆接触区；6）制备顶电极；7）第二次淀积N型硅薄膜；8）激光刻蚀P型硅薄膜通槽；9）第三次淀积P型硅薄膜。
一种硅基埋栅薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110285754.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
结合氢化氦化硅制作基材薄膜太阳能电池

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管阵列基板的制备方法-CN201710587277.2在审
发明人：董磊磊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，其包括应用半导体沉积工艺制备形成第一非晶硅薄膜；应用准分子激光退火工艺使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；应用半导体沉积工艺在所述多晶硅薄膜的第一表面上制备形成第二非晶硅薄膜；应用干法刻蚀工艺，从所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蚀直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。本发明还公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其包括制备有源层的步骤根据前述的多晶硅薄膜的制备方法制备形成一层多晶硅薄膜；应用光刻工艺将所述多晶硅薄膜刻蚀形成图案化的有源层。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管阵列

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