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[发明专利]硅基光波导结构及其制作方法-CN201710340735.2有效
发明人：盛振;武爱民;仇超;赵瑛璇;高腾;甘甫烷;王曦 -专利权人：上海新微科技服务有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光波导结构及其制作方法，包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层以及顶层硅；于所述顶层硅表面形成间隔排列的两个带状金属层；于所述顶层硅及所述两个带状金属层上形成上包层，且所述上包层的折射率小于所述顶层硅的折射率。本发明在纵向上，高折射率的顶层硅夹于低折射率的埋氧层与上包层之间，形成纵向的光场限制；在横向上，带状金属层区域具有强烈的光吸收，其等效折射率低于两个带状金属层之间的区域，形成横向的光场限制，最终实现纵向及横向上的光场限制，形成硅基光波导结构，可有效提高光波导的性能。本发明不需要对顶层硅材料进行干法刻蚀，大大降低了工艺难度，有利于设备及工艺成本的降低。
硅基光波导结构及其制作方法

[发明专利]一种光模块-CN202010524474.1在审
发明人：陈思涛;隋少帅;尹延龙;赵其圣 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种光模块，包括电路板、光源与硅光芯片，硅光芯片包括硅光调制器，硅光调制器包括弯曲设置的行波电极与弯曲设置的硅光波导，硅光波导在行波电极的投影位于地线与信号线之间；行波电极包括第一段行波电极、弯曲段行波电极与第二段行波电极，第一段、第二段行波电极对称设置；硅光波导包括第一段PN结硅光波导、弯曲段硅光波导与第二段PN结硅光波导，第一段PN结硅光波导与第一段行波电极的第一地线、信号线电连接，第二段PN结硅光波导与第二段行波电极的信号线、第二地线电连接。本申请通过弯曲型行波电极与硅光波导的交叉设置，实现了一种等效的对称PN结负载，有效抑制了高阶射频模式的产生，改善了信号传输质量。
一种模块

[实用新型]一种易封装的硅光芯片耦合结构及硅基晶圆-CN202122043620.1有效
发明人：孙旭;林天营;李操 -专利权人：苏州海光芯创光电科技股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种易封装的硅光芯片耦合结构及硅基晶圆，硅基晶圆上设有多个具有该耦合结构的硅光芯片，硅光芯片包括功能区以及设置在功能区外围的耦合区，功能区上设有硅光波导，耦合区上设有至少一个用于放置功能元件的功能元件刻槽，硅光波导与功能元件刻槽之间的耦合区上设有透镜阵列刻槽或透镜刻槽，透镜阵列刻槽内设有硅透镜阵列，透镜刻槽内设有硅透镜，通过硅透镜或硅透镜阵列实现硅光波导与功能元件的耦合。该耦合结构应用于硅光芯片与单模光纤或者激光光源芯片之间的耦合，将小尺寸硅透镜或者硅透镜阵列自动化贴装至硅光芯片特殊的透镜刻槽中，来实现与单模光纤或者激光器芯片的高效率的自动化对准封装，具有高效率、低成本的特点
一种封装芯片耦合结构硅基晶圆

[发明专利]一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法-CN202010912633.5在审
发明人：杨林;杨尚霖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法，其自下往上包括：第一衬底，其为绝缘体上硅晶圆的最下层，材料组分为硅或二氧化硅；第一埋氧层，其为绝缘体上硅晶圆的第二层，材料组分为二氧化硅；第二埋氧层，其为绝缘体上硅晶圆的第三层，材料组分为二氧化硅；第二衬底，其为绝缘体上硅晶圆的最上层，材料组分为硅。该新型绝缘体上硅晶元可作为硅基光子器件和PLC光波导器件的集成材料，兼具高折射率、高光场限制的特性，使得硅基光子器件和PLC光波导器件能够进行单片集成，并且提高芯片和光纤的耦合效率。所述新型绝缘体上硅晶圆避免了硅基光子器件和PLC光波导器件分立使用时体积大、集成度低、耦合效率低、使用不方便的弊端。
一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法

[发明专利]光波导路由构造及其方法-CN202010082325.4有效
发明人： D·马格雷夫特;罗英;林世运;李金铉 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：光波导可包括硅部分和位于硅部分上方的氮化硅部分。硅部分可包括减小硅部分的宽度的锥部。光波导可包括在加载单模或多模波导到单模波导之间的过渡。氮化硅部分可将行进通过光波导的光信号限制在硅部分中。
波导路由构造及其方法

[发明专利]光波导掺杂结构、其制作方法及硅基电光调制器-CN202110586101.1在审
发明人：宋若谷;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，光波导掺杂结构包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区本发明利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用
波导掺杂结构制作方法电光调制器

[发明专利]一种硅基光电子芯片及电子设备-CN202310017831.9有效
发明人：王震;唐伟杰;张瑾;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统，将其中一个光子系统作为第一光子系统，将另一个光子系统作为第二光子系统，第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接，第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端，空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端，第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接，以使第一光子系统输出的光束，经过第一光子系统对应的光波导，通过空间折射结构，进入第二光子系统对应的光波导本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。
一种光电子芯片电子设备

[实用新型]一种光波导模斑转换器-CN201921054744.6有效
发明人：张仙;陈朋鑫;刘柳;胡金耀;叶国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光波导模斑转换器，包括波导模斑转换器、低折射率匹配液、石英盖板、光纤阵列；所述低折射率匹配液固定设置在波导模斑转换器与石英盖板之间；所述波导模斑转换器内固定设有SU‑8光刻胶波导和硅波导，所述硅波导位于SOI芯片上，所述SOI芯片设置在波导模斑转换器上，所述SU‑8光刻胶波导固定设置在SOI芯片上并包裹所述硅波导，所述光纤阵列与波导模斑转换器固定连接。本实用新型可以实现光纤阵列和硅基光子芯片的低损耗端面互联，不仅有利于硅基光子芯片的集成度提高，且可实现光纤阵列与硅基光子芯片的高效率互联。
一种波导转换器

[发明专利]三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法-CN201410042670.X有效
发明人：刘丰满;戴风伟;于大全;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法，其中光电同传器件包括硅基板，硅基板上设置有铜层、水平波导层以及上包层；所述硅基板上设置有垂直硅通孔和垂直光通孔，铜层上布设有布线图案，水平波导层上设置有光电互连孔和倒三角形反射镜制作方法包括光刻垂直光通孔、垂直硅通孔，制作介质层，制作垂直波导芯层和水平波导层，形成金属RDL层的互连等步骤。本发明能够在硅基板上完成水平光波导和垂直光波导的同时制造，在同一封装体内实现了光波导的水平光互连和垂直互连、垂直方向和水平方向的电互连以及光电之间相互传导的目的，制作工艺简单，成本低廉。
三维垂直互连光电器件及其制作方法

[实用新型]一种硅基电镀金属反射镜光栅耦合器-CN201520835610.3有效
发明人：郑志强 -专利权人：宁波屹诺电子科技有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种硅基电镀金属反射镜光栅耦合器，涉及光纤耦合技术以及光电集成领域，绝缘体上硅芯片通过三个制作步骤后制成硅衬底上设置有中间镂空的掩埋绝缘体，硅衬底处于掩埋绝缘体镂空处的一面设置有金属反射镜，金属反射镜上方设置有悬浮硅光波导，悬浮硅光波导上设置有耦合光栅的硅基电镀金属反射镜光栅耦合器。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型产品通过在波导光栅耦合器下方增加金属反射镜的方式实现耦合效率的提升，极大的保证了耦合的稳定性，增加了耦合的效率。
一种电镀金属反射光栅耦合器

[发明专利]一种级联式相控阵光学扫描系统-CN202310167407.2在审
发明人：刘建辉;李光伟;赵渊明;朱永文;张立东;贾军帅;李静;孟博超;周文 -专利权人：中国人民解放军93209部队
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明通过硅基光波导相控阵和液晶空间光调制器级联实现二维扫描，其中，一级扫描为硅基光波导相控阵，二级扫描液晶空间光调制器。
一种级联相控阵光学扫描系统

[发明专利]一种基于BCB键合工艺的混合集成激光器及其制作方法-CN201210418410.9有效
发明人：盛振;王智琪;甘甫烷;武爱民;王曦;邹世昌 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司;中科院南通光电工程中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。
一种基于 bcb 工艺混合集成激光器及其制作方法

[发明专利]三维集成玻璃基光波导器件及其制造方法-CN201110384032.2有效
发明人：高阳;孔祥君;吴传杰;焦俊涛;付勇 -专利权人：深圳市中兴新地通信器材有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了三维集成玻璃基光波导器件及其制造方法，其中三维集成玻璃基光波导器件包括玻璃基体和位于玻璃基体内部的至少两层光波导，所述两层光波导包括上层光波导和位于所述玻璃基体内部的下层光波导，所述上层光波导与所述下层光波导之间设置中间过渡光波导，所述中间过渡光波导由上层光波导逐渐延伸至所述下层光波导。本发明的三维集成玻璃基光波导器件在玻璃平台上制作的，可形成的三维波导具有比较高的可靠性，集成度高。
三维集成玻璃波导器件及其制造方法

[发明专利]双层热调谐光学器件-CN201080019595.5有效
发明人：李国良;J·E·坎宁安;A·V·克里什纳莫西;I·舒彬;郑学哲 -专利权人：甲骨文美国公司
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：光学器件是利用两个半导体层(比如硅)实现的，所述两个半导体层之一包括加热器(710)，另一个包括可热调谐光波导(415)。空间上分离光学器件中的这两种功能导致相对于现有硅基光学器件来说，加热器和光波导之间的热传递更高效，对周围环境的热传递减小，和光波导中的光损失降低。
双层调谐光学器件

[发明专利]基于硅基光波导模式匹配的模式复用解复用器-CN201610890646.0有效
发明人：乐燕思;王智;李智勇;李强;孙翀灰;宋晓佳 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：一种基于硅基光波导模式匹配的模式复用解复用器，当该模式复用解复用器用作复用器时，包括：n个宽度不同的条形波导为输入光波导，其中，第0输入光波导(10)为单模光波导，末端依次连接有锥形光波导(20)、多模光波导(30)、复用器输出端(40)，第n输入光波导(1n)末端依次连接有一个S形弯曲光波导结构(2n)、耦合区光波导(3n)、另一个S形弯曲光波导结构(4n)、一小段直波导(5n)、锥形波导(6n)，n>0
基于硅基光波导模式匹配复用解复用器