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[发明专利]CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法-CN201510408223.6有效
发明人：程翔;徐攀;颜黄苹;郑明;楼卓格;史晓凤 -专利权人：厦门大学
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器，设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖；压变膜设于硅衬底上，压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置，压变电阻设至少2根；所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置，引压腔设于硅衬底背面，所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构，硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔，圆形通孔用于引入压力源；所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下：1)利用CMOS工艺制作压变电阻；2)制作金属引线、焊盘；3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口，制作压变膜；4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合，划片。
cmos 工艺兼容压阻式压力传感器及其制备方法

[发明专利]基于非等值均压配置的高压硅堆的制备方法-CN201010132383.X无效
发明人：傅正财;陆国庆;李锐海;孙伟;张磊 -专利权人：上海交通大学;中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种高电压试验技术领域的基于非等值均压配置的高压硅堆的制备方法，以高压硅堆中每个硅整流管的分压相等为条件分别计算得到硅整流管及其均压元件的参数值，然后以若干个并联均压元件的硅整流管为一组封装成一个高压硅堆子模块，并进一步串联组成高压硅堆，其中：每个高压硅堆子模块内的硅整流管所对应的均压元件均相同，实现分段近似完全均压的高压硅堆非等值均压元件配置。本发明制备得到的高压硅堆能有效提高整个硅堆的耐压水平和电压利用率。
基于等值配置高压制备方法

[实用新型]内含有机硅凝胶的直流发生器倍压整流箱-CN201420260719.4有效
发明人：唐领英;赵万明;靳海军;张勇 -专利权人：国家电网公司;国网山西省电力公司阳泉供电公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及变电站用的直流发生器倍压整流箱，具体为内含有机硅凝胶的直流发生器倍压整流箱。内含有机硅凝胶的直流发生器倍压整流箱，包括倍压筒，倍压筒内放置有相互连接的硅堆及电容器，其特征在于倍压筒内灌封满有机硅凝胶。有机硅凝胶具有优良的绝缘性，且能将倍压筒内的硅堆和电容器部件牢牢固定在倍压筒内，硅堆和电容器部件就不会存在脱落的现象，且如果倍压筒壳体意外出现裂缝或者连接处松动等现状，直流发生器倍压整流箱依然能正常使用，因为倍压筒壳体现裂缝，但倍压筒内部的硅堆和电容器部件依然还是被封装在固化后的有机硅凝胶中，而固化以后的有机硅凝胶本身有一定的韧性，可以很好的保护内部的硅堆和电容器部件。
内含有机硅凝胶直流发生器整流

[发明专利]硅-玻璃-硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备-CN201610293100.7有效
发明人：伞海生;周鹏 -专利权人：厦门纵能电子科技有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G01K11/26 文献下载
摘要：硅‑玻璃‑硅结构声表面波温度和压力集成传感器及制备，涉及传感器。传感器为硅‑玻璃‑硅三明治结构，压力传感器集成在上层的硅基感压薄膜上，温度传感器集成在底部的硅基底上，硅基底与上层通过玻璃框架隔离。制造方法：制备硅基底；制备硅基感压薄膜；硅基底、硅基感压薄膜与玻璃框架键合形成三明治结构空腔；以SOI晶圆片中的掩埋氧化硅层为腐蚀自停止层刻蚀SOI晶圆片的衬底层，留下SOI晶圆片的器件层作为压力传感器的硅基感压薄膜；在硅基感压薄膜上刻蚀四个电极区域，刻蚀区域为温度传感器和压力传感器电极区域的上方，分别以玻璃框架与硅基感压薄膜键合的界面和硅基感压薄膜上的镶嵌电极为刻蚀停止层；阵列器件裂片后得单个器件。
玻璃结构表面波温度压力集成传感器制备

[发明专利]高过载背压式绝压传感器模块及其制造工艺-CN201310642617.9有效
发明人：沈绍群;罗小勇 -专利权人：新会康宇测控仪器仪表工程有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。
过载背压式绝压传感器模块及其制造工艺

[实用新型]高过载背压式绝压传感器模块-CN201320789606.9有效
发明人：沈绍群;罗小勇 -专利权人：新会康宇测控仪器仪表工程有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。
过载背压式绝压传感器模块

[实用新型]可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路-CN00208248.9无效
发明人：徐晓亮 -专利权人：徐晓亮
申请日： 2000-04-19 - 公布日： 2001-09-12 - 主分类号： H02H7/10 文献下载
摘要：本实用新型设在可控硅并联逆变中频电源的防过压触发电路包括脉冲变压器，端压检测电路，脉冲形成电路，脉冲记忆电路及可控硅驱动电路，脉冲记忆电路和端压检测电路输出的逻辑电平信号输入脉冲形成电路，工作时，由端压检测电路随时检测可控硅端压的高低，仅在可控硅端压低于设定值即在安全电压下才允许触发脉冲去触发可控硅，因此可防止高反压关断可控硅，避免了可控硅被高反压击穿，从而可确保可控硅并联逆变中频电源安全可靠运行。
可控硅并联中频电源触发电路

[实用新型]一种多级倍压组件-CN201620315037.8有效
发明人：赵世恒 -专利权人：成都赫伏特电源设备有限责任公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多级倍压组件，包括安装紧固板、倍压电容、倍压硅堆板、均压环、保护部分板和采样部分板，所述安装紧固板的两侧固定安装有两张平行的倍压硅堆板，在两倍压硅堆板之间叠加安装有若干倍压电容，在两倍压硅堆板之间还固定安装有若干均压环，在一倍压硅堆板的外面固定安装有保护部分板，在另一倍压硅堆板的外面固定安装有采样部分板；所述倍压电容与倍压硅堆板之间设有金属连接板；所述倍压硅堆板上装有硅堆，硅堆通过导线分别与保护部分板和采样部分板电连接本实用新型的多级倍压组件，不仅结构紧凑，相对于同电压及功率条件下体积较小，在输出电流在10mA条件下可输出300kV直流高压，而且内置的保护部分板在输出带载出现打火或过流时可保护内部器件不损坏。
一种多级组件

[实用新型]一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器-CN201921886041.X有效
发明人：武安心;刘现中 -专利权人：武汉新辰科技有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G01L15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体、硅差压芯片安装仓和硅差压芯片保护压盖，所述差速传感器本体的顶部安装有硅差压芯片安装仓，所述硅差压芯片安装仓内部的两端皆设置有滑槽，且滑槽通过滑块安装有缓冲板，所述缓冲板的顶部安装有PCB板，且PCB板顶部的中间位置处安装有硅差压芯片。本实用新型安装有第一弧形保护胶圈、第二弧形保护胶圈和橡胶连接柱，第二弧形保护胶圈盖合于高压入口下方，可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓内，装置使用较长时间，第二弧形保护胶圈产生形变后，第一弧形保护胶圈也可有效遮挡住水汽，避免水汽与硅差压芯片接触，对硅差压芯片起到双重保护效果。
一种具有硅差压芯片保护结构传感器

[发明专利]芯体复合式硅压阻压力传感器-CN201910808376.8有效
发明人：朱晓;柏楠;谢耀;韩士超 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种芯体复合式硅压阻压力传感器，以解决现有硅压阻式压力传感器进行压力测量时所存在的全量程精度缺陷问题。该压力传感器包括：多个硅压阻压力传感器芯体，所述硅压阻压力传感器芯体包括硅压阻压力传感器芯片，用于对待测件进行压力采集；多个所述硅压阻压力传感器芯片的量程不同，且多个所述硅压阻压力传感器芯片的量程覆盖使用的全量程；芯体复合外壳，所述芯体复合外壳用于对多个硅压阻压力传感器芯体组件进行封装，并对所述多个硅压阻压力传感器芯体组件提供统一测试压力介质；信息处理电路板，所述信息处理电路板设置在所述芯体复合外壳上，所述信息处理电路板用于控制并实现多个硅压阻压力传感器芯体的协同测量和切换输出
复合式硅压阻压力传感器

[实用新型]四梁结构石英谐振传感器-CN201521092715.0有效
发明人：王显波;王天雄;周禄雄;饶绍兵 -专利权人：四川省三台水晶电子有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本实用新型公开了四梁结构石英谐振传感器，包括玻璃衬底（7）、位于玻璃衬底上表面的硅基支撑（5），硅基支撑开有一个矩形孔洞，在该矩形孔洞中央设置有压块（6），压块（6）通过四个悬臂梁（3）分别与矩形孔洞的四个面连接使得压块悬空设置，压块下方设置有金属电极（8），压块的上端面的面积小于下端面面积，压块的下端面面向金属电极，压块的上端面设置有第二硅凸台（4），压块的上端面平行于硅基支撑的上端面，硅基支撑的上端面设置有第一硅凸台（2），第一硅凸台（2）和第二硅凸台（4）上均设置有石英块（1），两个石英块（1）之间设置有2根平行的谐振梁（9）。
结构石英谐振传感器

[发明专利]硅材料的压差湿处理装置及其处理方法-CN201110033388.1无效
发明人：倪党生;朱伟然 -专利权人：上海思恩电子技术有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅材料的压差湿处理装置，包括：压差容器；在压差容器的内部，通过支架设置有用于安放硅材料的载料构件；在压差容器的顶部设有密封盖；压差容器的壁面上设有超纯水入口，液位接口，排液接口，压缩气体接口和真空接口另外，本发明还提供一种硅材料的压差湿处理方法，将硅材料放入容器内部，密封容器；加入超纯水浸泡硅材料；往容器内通入压缩气体保压一定时间后抽真空，如此多次反复通入压缩气体并抽真空完成对硅材料的湿处理。本发明提供的硅材料的压差湿处理装置及其处理方法能够有效清洗具有深层裂纹的硅材料；从而使得硅材料的质量大大提高，最终提高太阳能电池片的光能转电能效率，延长电池片使用寿命。
材料压差湿处理装置及其方法

[实用新型]一种新型扩散硅式差压膜盒-CN201721554553.7有效
发明人：苏清池;刘文展 -专利权人：雷诺思邦自动化科技（厦门）有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01L15/00 文献下载
摘要：本实用新型提出一种新型扩散硅式差压膜盒，涉及差压变送器技术领域，包括膜盒、压盖及扩散硅差压传感器，所述膜盒内形成有腔体，所述腔体内设有凹槽，所述扩散硅差压传感器安装在所述凹槽内，所述扩散硅差压传感器与所述凹槽紧密配合本实用新型模块化的膜盒设计，扩散硅差压传感器单独放在膜盒内，通过密封圈起到密封效果，整个膜盒内腔体设计会比扩散硅差压传感器长1mm，外部压紧膜盒时不会对扩散硅差压传感器造成影响，提高产品的稳定性，使用模块化设计
扩散硅差压传感器膜盒本实用新型扩散硅压膜盒密封圈差压变送器模块化设计降低生产紧密配合密封效果模块化内腔体腔体压盖压紧体内维修外部升级维护

[发明专利]一种电子封装用铝硅复合材料的制备方法-CN201810776288.X在审
发明人：王日初;蔡志勇 -专利权人：长沙博朗思达新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子封装用铝硅复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：S1：配制纯铝和纯硅，熔炼铝硅合金，得铝硅合金熔体；S2：对铝硅合金熔体进行气雾化制粉，筛分，得铝硅合金粉末；S3：对铝硅合金粉末进行冷压成型，得铝硅合金压坯；S4：对冷压后的铝硅合金粉末压坯进行半固态成型，得铝硅复合材料；S5：对铝硅复合材料进行退火处理。采用本发明方法制备的电子封装用铝硅复合材料，硅相尺寸细小、硅相棱角钝化，均匀分布于铝基体中，具有良好的微观组织特征与综合性能。
铝硅合金复合材料铝硅电子封装制备铝硅合金熔体微观组织特征半固态成型气雾化制粉粉末压坯冷压成型退火处理综合性能铝基体熔炼棱角纯硅纯铝钝化冷压压坯配制

[发明专利]一种烧结法粗液脱硅方法-CN00113390.X无效
发明人：李小斌;宋培凯;彭志宏;李旺兴;刘桂华;江新民;朱显德;吕子剑;张剑辉;常虎成 -专利权人：中南工业大学;中国长城铝业公司
申请日： 2000-04-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： C01F7/04 文献下载
摘要：一种烧结法粗液脱硅方法，包括粗液的一段常压脱硅、一次分离、二段常压脱硅、二次分离。利用本发明对Al₂O₃浓度为110～240g/L的硅液进行常压脱硅，脱硅后一次脱硅液的硅量指数在300左右，一段常压脱硅过程中浆液的稳定性好，沉降性能好，底流压缩液固比较小；采用含钙添加剂对Al₂O₃浓度为90～240g/L的铝酸钠溶液，在90～120℃进行深度脱硅可以获得硅量指数为800以上的二次脱硅液，生成的钙硅渣具有良好的沉降分离性能
一种烧结法粗液脱硅方法

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