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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]研磨膜-CN201580044260.1有效
发明人：田浦歳和;西藤和夫 -专利权人：阪东化学株式会社
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种研磨膜，其具有高磨削力，且不易产生由研磨中的负重条件变动所致的光纤连接器的端面不良。所述研磨膜，其具有基材膜及层叠在所述基材膜的表面侧的研磨层，且所述研磨层含有研磨粒子及其粘合剂，所述研磨层的由泰伯磨耗试验所致的磨耗量为10mg以上且25mg以下。所述研磨层中的所述研磨粒子的含量优选85质量％以上。所述研磨粒子可包含一次粒径为10nm以上且小于50nm的第一研磨粒子及一次粒径为50nm以上且小于250nm的第二研磨粒子。所述研磨层的平均厚度优选4μm以上且15μm以下。所述研磨粒子可为二氧化硅粒子。
研磨

[发明专利]研磨膜-CN201580036615.2有效
发明人：田浦歳和;西藤和夫 -专利权人：阪东化学株式会社
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： B24D11/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种研磨膜，其不仅具有高的研削力，而且可防止研磨后的光纤的引入。本发明为包括基材、以及积层于其表面侧的研磨层的研磨膜，其特征在于：所述研磨层包含树脂粘合剂及分散于该树脂粘合剂中的研磨粒子，相对于所述研磨粒子整体而言的一次粒径为70nm以上的研磨粒子的含量为10质量％以上、50质量％以下，所述研磨层中的所述研磨粒子的含量为84质量％以上，并且所述研磨层的压入硬度为370N/mm²以下。所述研磨粒子宜为二氧化硅粒子。所述研磨层的平均厚度优选为4μm以上、15μm以下。
研磨

[发明专利]研磨方法-CN201410512859.0有效
发明人：高桥太郎;川端庸充 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： B24B49/04 文献下载
摘要：一种研磨方法，使对研磨垫(10)进行支承的研磨台(30)旋转，将表面形成有导电性膜的基板(W)按压到研磨垫上而对导电性膜进行研磨，在对导电性膜的研磨中，通过配置在研磨台(30)内部的涡电流式膜厚传感器(60)获取随所述导电性膜的厚度而变化的膜厚信号，基于膜厚信号确定研磨垫的厚度，确定与研磨垫(10)的厚度对应的导电性膜的研磨速率，算出以该研磨速率对导电性膜研磨了规定研磨时间(Tb)时的预计研磨量，在导电性膜的目标厚度上加上预计研磨量而算出临时的终点膜厚，当从导电性膜的厚度到达临时的终点膜厚的时刻经过了规定研磨时间时，结束对导电性膜的研磨。采用本发明，可将导电性膜更高精度地研磨至目标厚度。
研磨方法

[发明专利]绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件-CN200780003934.9无效
发明人：深泽正人;榎本和宏;山岸智明;小山直之 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO₂膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
绝缘研磨 cmp 研磨剂方法通过半导体电子部件

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置制造系统-CN200410059248.1无效
发明人：镰田泰幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：通过对被研磨膜的研磨率分布和研磨后的被研磨膜的目标膜厚分布进行比较，倒算出研磨前的被研磨膜的膜厚分布，从而能够预先控制形成膜的条件使在研磨后能够获得与目标膜厚分布一样的被研磨膜的膜厚分布。这样一来，即使有可能因研磨在晶片表面产生凹凸的不均匀，也能够使最后所获得的被研磨膜的膜厚分布与目标膜厚分布一样。因此，能够提供减少了特性不同的半导体装置。
半导体装置制造方法系统

[发明专利]铝膜研磨用研磨液及使用其的铝膜研磨方法-CN200680043100.6无效
发明人：小野裕;芦泽寅之助;上方康雄 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种可平滑且高速地研磨于LSI等中所使用的铝膜表面的铝膜研磨用研磨液以及使用此研磨液的铝膜研磨方法。所述铝膜研磨用研磨液含有在25℃时的第一级酸解离指数小于等于3的多元羧酸、胶体二氧化硅以及水，且pH值为2～4。所述铝膜研磨方法方法为使用此研磨液的铝膜研磨方法。
研磨使用方法

[发明专利]研磨装置及研磨方法-CN202210182363.6在审
发明人：佐佐木俊光;八木圭太;盐川阳一 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种可获得所需的膜厚轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨单元(14a)；测量基板(W)的膜厚轮廓的膜厚测量器(8)；及至少控制研磨单元和膜厚测量器的动作的控制装置(30)。控制装置预先存储有考虑随着各压力室(7a～7h)内的压力变化而基板的多个监视区域相互间产生的研磨量的变化制作而成的反应模型。再者，控制装置使用膜厚测量器取得基板研磨前的膜厚轮廓，并以依据研磨前的基板的膜厚轮廓与基板的目标膜厚的差值及反应模型制作而成的最佳研磨方案来研磨基板。下一个基板则以依据下一个基板的目标研磨量与使用最佳研磨方案及前一个基板在研磨前后的膜厚轮廓而修正的反应模型制作而成的新的最佳研磨方案来研磨。
研磨装置方法

[发明专利]化学机械研磨浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法-CN201680027986.9有效
发明人：崔正敏;金泰完;都均奉;姜东宪;金东珍;兪龙植;崔渶楠 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明揭示用于研磨碳含量为约50原子％至约99原子％的有机膜的化学机械研磨(CMP)浆料组合物的用途及用于研磨有机膜的方法。CMP浆料组合物在研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜时提供优良效应，在研磨有机膜时具有比在研磨无机膜时更佳的研磨速率，在研磨有机膜之后在经研磨表面上提供良好平坦性，以及通过容易自研磨停止膜移除残余有机膜材料而使得研磨更均一
化学机械研磨浆料组合用途用于有机方法

[发明专利]研磨方法、研磨装置及记录有程序的计算机可读取记录介质-CN202180018254.4在审
发明人：伊东伴;饭泉健;盖尔·罗耶尔;帕特里克·翁;凯文·范德斯米森;卡蒂亚·迪利伦特 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明关于研磨晶片等基板的研磨方法及研磨装置。此外，本发明关于记录有用于使研磨装置执行研磨方法的程序的计算机可读取记录介质。本方法使研磨台(3)旋转，并将基板(W)按压于研磨面(2a)来研磨基板(W)。研磨基板(W)的工序包含膜厚轮廓调整工序和研磨终点检测工序。膜厚轮廓调整工序包含如下工序：基于多个膜厚来调整基板(W)对研磨面(2a)的按压力，决定膜厚指标值达到膜厚阈值的时间点，该膜厚指标值是根据多个膜厚中的至少一个而决定的。研磨终点检测工序包含如下工序：测定用于使研磨台(3)旋转的转矩，并基于转矩决定研磨终点。
研磨方法装置记录程序计算机读取介质

[发明专利]CMP用研磨液和研磨方法-CN201780048056.6在审
发明人：井上惠介;近藤俊辅;大塚祐哉 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种研磨液，其为用于研磨至少包含阻挡金属、金属膜和二氧化硅膜的基板或至少包含阻挡金属、金属膜、二氧化硅膜和low‑k膜的基板的CMP用研磨液，所述研磨液含有研磨粒子、氧化金属溶解剂、氧化剂、水溶性高分子和碱金属离子，研磨时的所述研磨粒子和所述金属膜的表面电位为相同符号，所述研磨粒子的表面电位(mV)和所述金属膜的表面电位(mV)的乘积为250～10000，所述研磨液的pH为7.0～11.0。
研磨液金属膜表面电位研磨粒子研磨二氧化硅膜阻挡金属基板氧化金属溶解剂水溶性高分子氧化剂碱金属离子

[发明专利]元件间分离层的形成方法-CN201110434910.7有效
发明人：西村英知 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：提供了一种使在半导体衬底上形成的绝缘膜的研磨工序中的控制性提高、形成具有卓越的元件间分离性能的元件间分离层的方法。具有在半导体衬底的表面上依次形成焊盘氧化膜以及氮化膜的工序；形成贯通焊盘氧化膜以及氮化膜、到达半导体衬底内部的沟槽的工序；以填充沟槽并且覆盖氮化膜的方式形成埋入氧化膜的工序；以在氮化膜上残留埋入氧化膜的方式使用第1研磨材料对埋入氧化膜进行研磨的工序；以及使用第2研磨材料来研磨埋入氧化膜，使氮化膜露出，并且使氮化膜以及埋入氧化膜的露出面平坦化的工序，其中该第2研磨材料具备比第1研磨材料的埋入氧化膜相对于氮化膜的研磨选择比大的研磨选择比
元件分离形成方法

[发明专利]清洗系统-CN201510589656.6有效
发明人：辛立明;刘云;谢逢春;张丹丹;魯异;周磊;黄觉伟 -专利权人：泰科电子（上海）有限公司;泰连公司;珠海盈致科技有限公司
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种清洗系统，包括：第一清洗箱；研磨膜承载及移动单元，适于将待清洗的研磨膜移动到所述第一清洗箱中并保持在所述第一清洗箱中；第一清洗液喷头，适于向保持在所述第一清洗箱中的研磨膜喷射清洗液；和滚刷单元，适于在向所述研磨膜喷射清洗液的同时刷洗所述研磨膜。在本发明中，清洗系统实现对研磨膜的自动化清洗，提高了研磨膜的清洗效率，而且提高了研磨膜的清洗效果。
研磨膜清洗箱清洗系统清洗液喷射清洗液喷头自动化清洗清洗效果清洗效率移动单元滚刷清洗承载移动

[发明专利]研磨剂、研磨方法和半导体集成电路装置的制造方法-CN200980144459.6有效
发明人：铃木胜;中泽伯人 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-10-07 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及用于在半导体集成电路装置的制造中对含有多晶硅膜的被研磨面进行研磨的研磨方法，所述多晶硅膜在紧邻所述多晶硅膜的下方具有二氧化硅膜，所述研磨方法包括：第一研磨工序，利用含有二氧化铈粒子、水和酸的第一研磨剂对上述多晶硅膜进行研磨将其平坦化；和第二研磨工序，利用至少含有二氧化铈粒子、水、酸和水溶性多胺或其盐的第二研磨剂对在上述第一研磨工序中平坦化的多晶硅膜进行研磨，并通过所述二氧化硅膜露出而使研磨停止。
研磨剂研磨方法半导体集成电路装置制造

[发明专利]研磨装置及研磨状态监视方法-CN201410330519.6有效
发明人：小林洋一;渡边和英;盐川阳一;八木圭太;木下将毅 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
研磨装置状态监视方法

[发明专利]研磨装置及研磨状态监视方法-CN201810707673.9有效
发明人：小林洋一;渡边和英;盐川阳一;八木圭太;木下将毅 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：一种研磨装置，具有：对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80)；以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39)，从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中，减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚，由此确定补正值，对研磨基板中取得的膜厚加上补正值，由此取得监视膜厚，基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明，研磨装置能实现高精度的精加工性能。
研磨装置状态监视方法

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