专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氮化钛薄膜的制作方法-CN202310187145.6在审
  • 刘井坤;管鹏飞;周鹏程;王斌 - 江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
  • 2023-03-02 - 2023-05-12 - C23C14/06
  • 本发明公开了一种氮化钛薄膜的制作方法,涉及磁控溅射领域,旨在解决在陶瓷基板上制备氮化钛薄膜的技术问题,其技术方案要点是:将陶瓷基板放入磁控溅射镀膜机的真空室内,打开磁控溅射镀膜机的机械泵→分子泵→罗茨泵,对真空室进行抽真空,并进行加热;通入氩气将真空室调至启辉压力5.0×10‑1Pa左右,待钛靶启辉后通入氮气做反应气体,通过调整氩气注入量将真空室的压力从5.0×10‑1Pa左右梯度调至镀膜压力2.0×10‑1Pa左右,将磁控溅射电源功率调至11~13KW;然后关闭磁控溅射镀膜机罗茨泵→分子泵→机械泵,待压力平衡后、真空室温度降至100℃以下将基板取出。
  • 一种氮化薄膜制作方法
  • [发明专利]非晶态钨薄膜的制备方法-CN201110121213.6无效
  • 王雯;张勇;刘方舒;朱开贵 - 北京航空航天大学
  • 2011-05-11 - 2011-09-28 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种磁控溅射法制备非晶态钨薄膜的方法,包括以下步骤:(1)靶材选取,选取99.95%的块状钨作为磁控溅射的靶材,将把才放入磁控溅射室;(2)衬底处理,对衬底依次用丙酮、酒精和去离子水超声清洗后放入磁控溅射室;(3)制备非晶态钨薄膜,磁控溅射室的真空度小于等于2×10-5Pa,工作气体是氩气,调节溅射气压、溅射电流、溅射时间和靶材到衬底的距离,经过一顶时间溅射制备薄膜。
  • 晶态薄膜制备方法
  • [发明专利]一种垂直磁记录材料的制备方法-CN201210247115.1有效
  • 王建军;刘春明 - 东北大学
  • 2012-07-17 - 2012-12-26 - G11B5/851
  • 首先选取MgO(111)单晶作为基板,将经充分清洁后的MgO(111)基板放至磁控溅射设备真空腔内,然后向磁控溅射设备真空腔内充入氩气,调整氩气流量,得到以RuCr作为下底层的MgO(111)单晶基板;在CoW复合靶材上粘贴纯Pt金属片,制成CoWPt复合靶材,然后将溅射得到的以RuCr作为下底层的MgO(111)单晶基板移至CoWPt复合靶材处,在磁控溅射设备中通入氩气,得到最终产品CoWPt/RuCr
  • 一种垂直记录材料制备方法
  • [发明专利]一种单斜相二氧化钒薄膜及制备方法-CN202111068660.X有效
  • 平依瑶;顾德恩;周鑫;王涛;高靖 - 电子科技大学
  • 2021-09-13 - 2022-09-09 - C23C14/08
  • 本发明提供一种单斜相二氧化钒薄膜及制备方法,包括步骤:(1)预先通过反应磁控溅射在基片上沉积非晶氧化钒薄膜;(2)再次利用反应磁控溅射在步骤(1)的非晶氧化钒薄膜上沉积氧化铪薄膜得到双层薄膜;(3)将步骤本发明的反应磁控溅射法,易于通过现有的溅射设备实现,对设备工艺要求不高。本发明的快速退火过程,不需要提供真空以及其他气氛环境,直接在空气气氛中快速退火,相比传统的真空纯种气氛环境退火,本发明的退火方式可以节约大量时间以及设备使用成本。
  • 一种单斜氧化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种可翻转的磁控溅射镀膜机-CN202310688543.6在审
  • 贾纪;袁磊;寇洋 - 齐鲁中科光物理与工程技术研究院
  • 2023-06-12 - 2023-10-10 - C23C14/35
  • 本发明涉及磁控溅射设备技术领域,尤其公开了一种可翻转的磁控溅射镀膜机,包括底座,所述底座中部设有真空腔体,底座的顶部耳座,所述耳座位于真空腔体的两侧,所述耳座内设有转轴,所述真空腔体通过转轴可相对底座在竖直平面内旋转,所述真空腔体的两端设有连接口,所述连接口处转动连接有用于封堵连接口的密封板,真空腔体的一端设有真空泵装置,真空泵装置通过定制法兰与连接口连通,真空腔体底部安装有溅射靶枪,与传统技术相比,本技术方案实现了多方向溅射
  • 一种翻转磁控溅射镀膜
  • [发明专利]一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备-CN202111205635.1在审
  • 王世宽;宋永辉;史鹏 - 无锡尚积半导体科技有限公司
  • 2021-10-15 - 2022-01-14 - C23C14/08
  • 本发明公开了一种全遮挡屏蔽式氧化钒磁控溅射方法及其设备,针对的问题,提供了以下技术方案,设备包括密封腔体,用于抽取真空,作为进行磁控溅射的环境;载片台,设置于密封腔体内;遮挡屏蔽件,设置于载片台和磁控溅射组件之间;移动部,与遮挡屏蔽件固定连接;控制器,与移动部电性连接;电压传感器,与磁控溅射组件和控制器电性连接。方法包括电压传感器检测磁控溅射组件的溅射电压,当溅射电压与设定电压一致时,电压传感器发送电信号至控制器,由控制器控制移动部带动遮挡屏蔽件移动,遮挡射向基片的靶材物质;当溅射电压与设定电压一致时,取消遮挡射向基片的靶材物质
  • 一种遮挡屏蔽氧化磁控溅射方法及其设备
  • [发明专利]一种磁控溅射镀膜系统-CN201210502288.3无效
  • 李惠 - 上海子创镀膜技术有限公司
  • 2012-11-30 - 2013-02-20 - C23C14/35
  • 本发明涉及到一种镀膜系统,尤其涉及到一种可连续生产的镀膜系统,采用的技术方案是,包括:磁控溅射镀膜生产室,设置在磁控溅射镀膜生产室前端的放卷室,设置在磁控溅射镀膜生产室后端的收卷室,设置在放卷室和生产室之间的放卷室多级狭缝抽气段,设置在收卷室和生产室之间的收卷室多级狭缝抽气段,其中,磁控溅射镀膜生产室与真空抽气机组相连,真空抽气机组被用来抽取磁控溅射镀膜生产室的空气,放卷室内还设有换卷机构,本系统的优点磁控溅射镀膜生产室与大气层的压差可达到
  • 一种磁控溅射镀膜系统
  • [发明专利]通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺-CN200710093216.7有效
  • 冀庆康;吴文俊;张永红 - 重庆跃进机械厂
  • 2007-12-27 - 2008-07-09 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺,包括溅前处理、轴瓦装入夹具、抽真空溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观,其关键在于:在所述溅射舱抽真空后、轴瓦溅前负偏压清洗,该轴瓦溅前负偏压清洗与PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之间增设磁控溅射第一扩散层;所述溅射镍栅层(Ni)之后,溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层;本发明对PVD轴瓦内表面的进行负偏压清洗,提高PVD轴瓦溅射膜层与基体之间的附着强度。在溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法,通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构,提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。
  • 通过溅射轴瓦溅前负偏压清洗pvd磁控溅射工艺

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