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[发明专利]一种亚稳态二氧化钒薄膜的制备方法-CN201310541130.1有效
发明人：顾正彬;张善涛;卢明辉;陈延峰 -专利权人：无锡英普林纳米科技有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：包括以下步骤：（1）准备金属钒靶、氩气和氧气气体；磁控溅射仪至少包括样品准备腔和生长腔这两个真空腔室，生长腔室抽真空至4.5×10-4Pa以下；（2）只通入Ar气体，设定溅射功率，清洗金属钒靶表面的氧化部分和一些污染物杂质；（3）衬底加热并保温10分钟左右；（4）通入氩气和氧气气体，其比率为10：1，调节真空室压强在1Pa，启动射频溅射工作源，溅射功率为40W，开始溅射；（5）薄膜生长至要求厚度后，关闭加热电源，使样品自然冷却，在此过程，打开真空阀，分子泵保持打开状态。
一种亚稳态氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种微纳结构硅材料的制备系统与制备方法-CN201010146042.8无效
发明人：朱亦鸣;彭滟;温雅;阮邵崧;许丽兰;张大伟;陈麟;曹剑炜;倪争技;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种微纳结构硅材料的制备系统，特点是：反射镜、连续可调衰减片、光快门、透镜和三维调整台固定在光学平台上，不锈钢长腔真空室安装在三维调整台上，不锈钢长腔真空室前端有窗片，其内部的后表面粘贴有硅片，外部与真空室充气管道连接通过连续可调衰减片调节入射激光功率，配合使用脉冲计数器准确控制蚀刻的脉冲数量，并利用微调阀门调节真空室内气体压强，最终实现各种不同形貌的微纳结构硅材料的形成。
一种结构材料制备系统方法

[实用新型]一种用于制备微纳结构硅的系统-CN201120124845.3有效
发明人：吴文威;朱亦鸣;彭滟;温雅;陈麟;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种用于制备微纳结构硅的系统，特点是：反射镜、连续可调衰减片、光快门、透镜和三维调整台固定在光学平台上，不锈钢长腔真空室安装在三维调整台上，不锈钢长腔真空室前端有窗片，其内部的后表面粘贴有硅片，外部与真空室充气管道连接，所述管道上设置有两个微调阀，光快门通过导线与脉冲计数器连接。通过连续可调衰减片调节入射激光功率，配合使用脉冲计数器准确控制蚀刻的脉冲数量，并利用微调阀门调节真空室内气体压强，最终实现各种不同形貌的微纳结构硅材料的形成。
一种用于制备结构系统

[实用新型]一种磁悬浮分子泵大气突入测试系统-CN202020863526.3有效
发明人：王文建;洪申平;沙宏磊;俞天野;项海铭;李鲁楠;赵明杨;沈虹 -专利权人：天津飞旋科技有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： F04D27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磁悬浮分子泵大气突入测试系统，包括磁悬浮分子泵和真空腔室，所述磁悬浮分子泵的进气端通过开关阀与真空腔室连通，所述磁悬浮分子泵的抽真空端口处连接有第一前级泵，所述真空腔室一侧连接有第二前级泵本实用新型有益效果：通过测试磁悬浮分子泵内部转子叶片对突入不同压强下的大气承受能力，得到相关的测试数据，为优化转子叶片提供科学依据，以便得到更优的耐大气冲击的磁悬浮分子泵产品，提成产品的竞争力。
一种磁悬浮分子大气突入测试系统

[实用新型]一种具有弹性缓冲功能的真空灭弧室-CN201821727334.9有效
发明人：余旭光 -专利权人：安光电气有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01H33/668 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有弹性缓冲功能的真空灭弧室，包括隔热层、陶瓷外壳、壳体、动导电杆和橡胶层，所述陶瓷外壳的内壁上涂抹有隔热层，所述动导电杆一侧的隔热层底部固定有气压检测仪，动导电杆远离气压检测仪一侧的隔热层内壁上安装有单片机本实用新型不仅实现了真空灭弧室的内部压强报警功能，避免了真空灭弧室发生钢性碰撞的事件，而且延长了真空灭弧室使用寿命。
真空灭弧室动导电杆陶瓷外壳隔热层槽体弹性缓冲功能本实用新型气压检测仪拐角位置弹簧壳体绝缘层隔热层内壁报警器报警功能槽体内部内部压强使用寿命单片机缓冲板静触头橡胶层钢性内壁外壁涂抹配合

[实用新型]真空伏辊清阻装置-CN202120679590.0有效
发明人：何斌 -专利权人：江西省顺丰纸业有限责任公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： D21F3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了真空伏辊清阻装置，包括辊体，设置在辊体右侧的操作箱，设置在辊体内部的内框，所述辊体内腔的内侧固定连接有连接板，所述连接板的内侧固定连接有压强风扇，所述辊体的外侧连通有出渣管，所述连接板内侧的两侧均固定连接有遮挡块，所述操作箱正面的底部固定连接有托板，所述托板的顶部固定连接有压强风机，所述压强风机的输出端连通有压强风管，所述压强风管的左侧贯穿至辊体的内部，所述压强风机的输入端连通有进风管。本实用新型解决了现有的真空伏辊在线运行时内部会产生细小纤维，及细小颗粒在真空伏辊真空腔体内积聚，导致真空度降低，经常需要更换真空伏辊后进行清洗，很大程度耽误了生产效率的问题。
真空伏辊清阻装置

[发明专利]氮离子束辅助电弧离子镀沉积TiAlN膜层新工艺-CN200710011574.9无效
发明人：吕树国;张罡;李玉海 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：氮离子束辅助电弧离子镀沉积TiAlN膜层新工艺，采用的设备是氮气离子镀深积，包括将工件用乙醇溶液清洗后放入该机真空室内的转盘上，对真空室抽真空至10^－2～10^－3Pa，启动旋转机构，使转盘转动，向真空室和气体离子源室充氮气，对工件施加负偏压－550V，对进入气体离子源室的氮气施加电压12KV，电流强度6mA，对工件表面氮离子轰击15min。再向真空室内通入压强为3×10²Pa氮气，进行12min的氮气保护等工艺步骤。
离子束辅助电弧离子镀沉积 tialn 新工艺

[发明专利]空气能量液体发动机-CN01118064.1无效
发明人：孙风珍 -专利权人：孙风珍
申请日： 2001-05-17 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： F03C1/02 文献下载
摘要：本发动机通过空气转换运动,因为动力机运动时要受压强的阻力,采用气体与真空两个方向运行的原理,和液压的形式,使两侧活塞不受阻力运动,减少阻力。(图2)因发动机真空液体室设有通气管在管上有通气孔,当气体从通气孔进入空气时,空气向真空液体上运行,使活塞向上运动活塞向上时参通气口封闭,使通气管形成真空通气管没有液体占据,液体回到通气管,活塞向下运动
空气能量液体发动机

[发明专利]一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置-CN201611229216.0有效
发明人：吴宜灿;王文;季翔;王永峰;刘超 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G21G4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置，包括加速器接口和反应气体腔室，还包括真空差分系统，包括二级差分室、一级差分室、小孔径长管道、以及小孔径法兰；束流约束装置，用于对小孔径长管道中的氘束流进行聚焦，使得束流包络小于小孔径长管道与小孔径法兰的内径；以及反应气体循环回收装置，通过真空泵与一级差分室和二级差分室连接，用于将真空泵排出的气体经过分离提纯后通过节流阀进入反应气体腔室，其中，自加速器接口离开的氘束流经过真空差分系统、实现加速器末端10‑5Pa量级至反应气体腔室103Pa量级的压强跨越后，与反应气体腔室内的氚气或氘气发生聚变反应，产生高能聚变中子，并对氚气或氘气在线提纯、回收、循环。
一种适用于超高流强氘氚聚变中子源高压气态装置

[实用新型]一种防腐蚀的晶圆预对准装置-CN202222112677.7有效
发明人：杨琦 -专利权人：上海广川科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防腐蚀的晶圆预对准装置，包括：腔室，所述腔室内部为中空结构，所述腔室内部设置有预对准模组和晶圆吸附模组；所述腔室包括进气口和出气口；所述晶圆吸附模组包括真空管道，所述真空管道连接晶圆支撑座，所述晶圆支撑座位于腔室外侧上表面；位于腔室进气口处的进气插头和进气管道；位于腔室出气口处的出气插头和出气管道，所述出气管道连通真空管道。本实用新型提供的一种防腐蚀的晶圆预对准装置，通过对腔室内部吹气使得腔室内部压强大于外部，防止腐蚀气体进入腔室内部，确保晶圆预对准装置在腐蚀气氛中能够正常运行。
一种腐蚀晶圆预对准装置

[实用新型]一种耐电压测试装置-CN201120357272.9有效
发明人：周志明;陈元芳;胡建军;胡洋;肖志佩;魏炳伟 -专利权人：重庆理工大学
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐电压测试装置，包括熔炼炉、电极移动位移测量机构以及充放电系统；紫铜电极穿过密封盖伸入真空室内，纯W电极设在紫铜电极的底端部；电极移动位移测量机构包括电机、螺纹杆、电极移动螺母块和数显游标卡尺或百分表该耐电压测试装置通过结构设计与优化，实现了真空非自耗电弧熔炼与耐电压强度测试等技术的结合，通过共用真空非自耗电弧熔炼炉的真空系统、真空室和移动系统实现耐电压强度真空系统和移动测试功能，从而可以大大节省制造成本
一种电压测试装置

[发明专利]一种3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺-CN201911133009.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：昆山市恒鼎新材料有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种3C铝制件表面处理的PVD真空镀膜工艺，包含以下步骤：将铝制件清洗后放入真空室内加热烘干，随后向真空室内通入氩气，对铝制件进行离子清洗；离子清洗后，关闭氩气、辅助偏压，调整真空室的真空度；向真空室内通入氩气使真空度维持在10‑1 Pa数量级的动态平衡压强；依次为铝制件镀上Cr基层镀层、CrN第一过渡层、CrSiN第二过渡层和Cr第三过渡层；完成铝制件表面处理，此时铝制件的颜色为银色；换真空室，采用中频电源作为溅射电源，以多弧离子镀或真空平面磁控溅射镀工艺为铝制件镀上颜色层。
一种铝制表面处理 pvd 真空镀膜工艺

[发明专利]淀积碳的微波增强化学气相淀积方法-CN88101061.8无效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1988-02-24 - 公布日： 1997-10-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：将基片放入反应室，经抽真空，然后输入含碳的生产气体和含氮的添加气体到反应室中，并在0.1-300乇的压强下，在反应室加上能产生适宜的微波能量和磁场强度，就可在基片上淀积一层金刚石或金刚石状碳(DLC)薄膜
淀积碳微波增强化学气相淀积方法

[发明专利]实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法-CN02136110.X无效
发明人：黄靖云;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2002-07-17 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的实时掺氮生长p型ZnO晶体薄膜的方法是采用磁控溅射法，先将衬底表面清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽到至少10－3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为200～600℃，以高纯氨气NH3和高纯氧气O2为溅射气体，该二种气体分别由流量计控制输入装置的缓冲室，在缓冲室充分混合后引入真空反应室，在1～10Pa压强下，以高纯Zn为靶材，进行溅射生长，其中氨气与氧气的分压比根据掺杂浓度调节
实时生长 zno 晶体薄膜方法

[发明专利]一种压强调控晶体生长反应釜-CN201610963655.8有效
发明人：李成明;巫永鹏;王琦;陈蛟;胡耀华;徐永钊;郑小平;卢洪;李顺峰;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
一种压强调控晶体生长反应