|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 1103920个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种监控Ge离子注入质量的方法-CN201710146467.0有效
-
王梦慧;张立;赖朝荣
-
上海华力微电子有限公司
-
2017-03-13
-
2020-08-25
-
H01L21/265
- 本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
- 一种监控ge离子注入质量方法
- [发明专利]离子注入设备及监控方法-CN201610608697.X有效
-
邱裕明;肖天金
-
上海华力微电子有限公司
-
2016-07-29
-
2018-08-24
-
H01J37/317
- 本发明提供一种离子注入设备及其监控方法，包括：工艺腔体和位于工艺腔体内的承载台，所述承载台用于放置监控半导体衬底，还包括：电磁场提供单元，设置在承载台的两侧，用于在承载台两侧形成电磁场，所述电磁场用于在监控离子注入设备时过滤离子束中的二次电子；接地单元，用于在监控离子注入设备时将监控半导体衬底接地；电子计数器，与所述接地单元电连接，用于在监控离子注入设备时计算监控半导体衬底中的掺杂离子的剂量。本发明解决了利用监控半导体衬底进行高能离子注入监控时由于半导体衬底自身差异、退火工艺不稳定、测量机台不稳定等外界干扰，并且，能够检测检测半导体衬底中实际的掺杂离子的剂量。
- 离子注入设备监控方法
- [发明专利]离子注入的监控方法-CN201410289586.8有效
-
田慧
-
京东方科技集团股份有限公司
-
2014-06-25
-
2016-11-02
-
H01L21/66
- 本发明公开了一种离子注入的监控方法，涉及半导体领域，能够准确地监控离子注入的剂量是否达到预定要求，有效避免衬底的本征电阻波动造成监测结果超限的缺陷，提高监测准确性，改善了器件的性能和良品率。所述离子注入的监控方法包括：a、提供监控片，并在监控片上形成部分覆盖的掩膜层；b、进行离子注入制程，对监控片进行预定剂量的杂质离子注入，监控片上未被掩膜层覆盖区域为杂质注入区域，被掩膜层覆盖区域为杂质未注入区域；c、剥离监控片上的掩膜层；d、对监控片进行氧化处理；e、分别测试监控片上杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度，根据杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度比值，监测离子注入的杂质剂量。
- 离子注入监控方法
- [发明专利]离子注入机-CN200710167994.6无效
-
山下贵敏;藤田秀树
-
日新意旺机械股份有限公司
-
2007-10-31
-
2008-05-07
-
H01J37/317
- 一种离子注入机，具有：生成离子束的离子源；电子束源，发射电子束以便在离子源中在Y方向上被扫描；用于这些源的电源；离子束监控器，在注入位置附近，测量离子束的Y方向离子束电流密度分布；以及控制设备。控制设备在根据监控器的测量数据来控制电源的同时，通过增加在对应于其中由监控器所测量的离子束电流密度相对较大的监控点的位置处的电子束的扫描速度，以及降低在对应于其中所测量的离子束电流密度相对较小的监控点的位置处的电子束的扫描速度，具有均匀化由监控器所测量的Y方向离子束电流密度分布的功能。
- 离子注入
- [发明专利]离子布植机-CN201610146352.7有效
-
陈皞;盛天予
-
汉辰科技股份有限公司
-
2016-03-15
-
2019-02-19
-
H01J37/244
- 本发明是有关于离子布植机。所述离子布植机整合了用来夹持工作件的夹盘以及用来监控离子束的监控器。因此，可以在布植模式与监控模式之间来回切换，并且在不同模式间切换所需使用的装置及/或操作可以被简化。详细来说，夹盘与监控装置可以分别放在本体的不同表面，使得通过本体沿着与离子束的路径相交的一轴来旋转，夹盘跟监控器可以分别面向离子束。因此，可以确切地同步地监控在夹盘夹持工作件的位置(也是工作件被离子束布植的同一位置)的离子束的一个或多个特征植。监控器的细节不在此限制，任何可以被配置来测量离子束特征的既有及/或开发中的装置都可用来监控。本发明可改善数据采集的效率、准确度以及可靠度，并且减少颗粒污染的可能来源。
- 离子布植机
|
