专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]CMOS图像传感器-CN200510132948.3无效
  • 金凡植 - 东部亚南半导体株式会社
  • 2005-12-29 - 2006-07-26 - H04N5/335
  • 一种CMOS图像传感器包括能够执行光感测和有源放大的光电晶体管。所述光电晶体管被安装以在维持现有像素操作的同时改进低照明特性。所述CMOS图像传感器还包括:重置晶体管,其连接到所述光电晶体管并且适于执行重置功能;驱动晶体管,用于响应于来自光电晶体管的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器;以及开关晶体管,其连接到所述驱动晶体管并且适于执行寻址功能
  • cmos图像传感器
  • [发明专利]单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置-CN202310128233.9在审
  • 任天令;王震泽;鄢诏译;刘厚方;杨轶 - 清华大学
  • 2023-02-07 - 2023-06-09 - G11C11/22
  • 本申请涉及铁电存储技术领域,特别涉及一种单畴铁电晶体管三态存储的操作方法及装置,其中,方法包括:判断单畴铁电晶体管是否满足实施三态存储的条件;若单畴铁电晶体管满足实施三态存储的条件,则确定单畴铁电晶体管的三态操作手续种类和目标状态;基于目标三态操作手续对单畴铁电晶体管进行操作,使得单畴铁电晶体管进入目标状态,以在目标状态完成存储动作。由此,解决了相关技术中对于单个铁电畴的利用均局限于上下两个态的问题,拓展了传统操作模式只涵盖铁电畴的上下两态的技术限制,使单畴铁电晶体管能够实现三态存储,提高了数据存储密度,提高存算一体电路集成度。
  • 单畴铁电晶体管三态存储操作方法装置
  • [发明专利]一种增大气体压电传感器透射系数的方法-CN202211356968.9在审
  • 袁晓光;郝超钰;高泽峰;蒋庆刚;申雷;蒋泉 - 南通大学
  • 2022-11-01 - 2023-03-07 - G06F17/11
  • 解决了气体与压电晶体之间透射系数较小的问题。其技术方案为:步骤一、计算压电晶体的波阻抗对投射系数的影响;步骤二、计算压电体旋转引起的科式力;步骤三、将科式力方程带入运动方程;步骤四、计算压电晶体的波速;步骤五、将步骤四中所求得波速带入步骤一中的声波阻抗公式,得到压电晶体的声波阻抗;步骤六、将步骤五中的压电晶体的声波阻抗带入步骤一中的投射系数的公式,得出压电晶体的投射系数。本发明的有益效果为:当增加旋转速度时,压电晶体的透射系数也随之增大,能有效增强气体传感器监测气体性质的能力。
  • 一种增大气体压电传感器透射系数方法
  • [发明专利]PMOS功率电晶体线性降压稳压电路-CN201610250013.3有效
  • 王士伟;张志健;杨翔安 - 瑞昱半导体股份有限公司
  • 2016-04-21 - 2018-10-23 - G05F1/56
  • 本发明的实施例提供了一种PMOS功率电晶体线性降压稳压电路,包含有一PMOS功率电晶体、一回授网路、一误差放大器、以及一主动抑制电源涟波杂讯单元。PMOS功率电晶体,其第一端耦接一输入电压,其第二端耦接一负载。回授网路耦接PMOS电晶体的第二端;误差放大器接收回授网路产生的回授讯号,比较回授讯号与一参考电压产生一差值,将差值放大产生一误差讯号。主动抑制电源涟波杂讯单元,一端耦接PMOS功率电晶体的第一端,另一端耦接PMOS功率电晶体的控制端与误差放大器;侦测PMOS功率电晶体的该第一端的输入电压,依据输入电压的变化对应调整控制端的电压以稳定控制端与第一端之间的电压
  • pmos功率电晶体线性降压稳压电路
  • [发明专利]一种终端SAW滤波器制作方法-CN202010441898.1有效
  • 王阳;陆彬 - 北京超材信息科技有限公司
  • 2020-05-22 - 2023-06-06 - H03H3/08
  • 本发明实施例公开了一种终端SAW滤波器制作方法,制作方法包括,选择基板和压电晶体,在基板上刻印安装电路,并划分安装压电晶体的安装区,在安装区形成焊接槽,并在焊接槽内填充焊锡,在基板安装区外形成保护层,并通过保护层将压电晶体固定在基板上,加热并挤压压电晶体,使其通过焊锡与基板进行连接,在压电晶体上方固定盖板形成密封空腔,并在安装区填充密封胶对盖板进行二次固定,在基板上焊接与安装电路相连接的引脚,完成滤波器制作,使用时通过在焊接槽内填充焊锡,并在焊接时通过膨胀块的热胀冷缩将焊锡顶出焊接槽,并由溢流槽来回收多余的焊锡,在实现对压电晶体的稳定连接的同时,还可有效的控制压电晶体的安装角度。
  • 一种终端saw滤波器制作方法
  • [实用新型]一种道路压电式充电装置-CN201120562818.4有效
  • 卜旻晴;史新辉 - 河北省科学技术情报研究院
  • 2011-12-29 - 2012-08-22 - H02J7/32
  • 一种道路压电式充电装置,属于充电设备技术领域,目的是利用过路的车辆对压电晶体片进行碾压产生电流,其技术方案是:它由底板、弹性板、压电晶体片和电流转换盒组成,底板为钢板,弹性板为耐磨的硬质弹性材料制作的长方形薄板,弹性板固定在底板上、压电晶体片为多个,压电晶体片均匀嵌装在弹性板体内,有导线将压电晶体片相连接,导线与电流转换盒相连接。本实用新型的弹性板内镶嵌多个压电晶体片,过路的车辆对弹性板进行碾压,压电晶体片受压产生电流,电流汇集到电流转换盒向蓄电池进行充电,底板和弹性板可以整体移动,便于维修,使用时与道路铺设为一体,不会对行车产生任何不便
  • 一种道路压电充电装置
  • [实用新型]一种用于深孔与难加工材料的振动钻头-CN02290929.X无效
  • -
  • 2002-12-13 - 2003-11-05 - B23B41/00
  • 一种用于深孔与难加工材料的振动钻头,包括钻头,其特征在于它是由外壳、压电晶体、压电晶体控制器、弹簧垫片、不锈钢保护罩及固定螺钉所构成,所说的压电晶体置于不锈钢保护罩内构成一振动体,不锈钢保护罩与钻头座间有弹簧垫片,外壳依固定螺钉与不锈钢保护罩相连接,所说的连接钻头的钻头座上有锥台状钻头固定孔;所说的压电晶体控制器依导线连接压电晶体。本实用新型的优越性在于:适用于难加工的特殊工程结构的材料、纤维材料等的钻孔,能得到较高的加工精度;能够用于深孔钻削与高精度钻削,提高了加工质量和效率;弹簧垫片保护压电晶体,减小安装误差对压电晶体的损伤;
  • 一种用于加工材料振动钻头
  • [发明专利]可减少切换损失的充电泵控制系统及方法-CN201310683770.6在审
  • 简峯伟;简宏仁 - 旭曜科技股份有限公司
  • 2013-12-12 - 2015-06-17 - H02M3/07
  • 该充电泵具有一输入端、一输出端及一切换电晶体群。一电流检测电路检测该充电泵的该输入端及该输出端的负载,从而产生对应该负载的一检测信号。一状态判断电路依据该检测信号,以产生一判断信号。一控制单元依据一输入控制信号及该判断信号,产生一第一至一第四组切换信号,以控制该充电泵的该切换电晶体群的导通与关闭,当该输出端的负载大时,该切换电晶体群中有较多的切换电晶体被使用,以及当该输出端的负载小时,该切换电晶体群中有较少的切换电晶体被使用。
  • 减少切换损失充电控制系统方法
  • [发明专利]一种超声波传感器-CN201911368324.X在审
  • 袁燕飞 - 寿光市飞田电子有限公司
  • 2019-12-26 - 2020-04-24 - G01F1/66
  • 本发明公开了一种超声波传感器,包括橡胶套、声楔、压电晶体芯片和不锈钢帽,不锈钢帽安装在橡胶套内,声楔嵌入在橡胶套顶端,压电晶体芯片设置在不锈钢帽内,压电晶体芯片和不锈钢帽上分别焊接有一根引线;所述压电晶体芯片上均匀设有若干横向分割槽和径向分割槽,压电晶体芯片被横向分割槽和径向分割槽均匀分隔成若干方块振子。具有以下优点:压电晶体芯片分割成小振子后实现多点共振,有利于带宽的增加,有利于多点共振,有利于起振速度增快,有利于中心频率的一致性。
  • 一种超声波传感器

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