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[发明专利]高耐压的双叠接放大器-CN201810751825.5在审
发明人：王柏之;陈家源;周昱廷 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明揭露了一种高耐压的双叠接放大器，其一实施例包含一输入电晶体、一第一叠接电晶体、一耐压增强电路与一输出端。该输入电晶体耦接一低电压供应端，并依据输入电压决定输出电流。该第一叠接电晶体耦接该输入电晶体，并依据第一偏压导通以传递该输出电流。该耐压增强电路包含一第二叠接电晶体，将第二叠接电晶体置于该第一叠接电晶体与一高电压供应端之间，并依据第二偏压导通以传递该输出电流。该输出端耦接该第二叠接电晶体与该高电压供应端，并依据该输出电流输出一输出电压，其中该输入电晶体与该第一叠接电晶体叠接以及该第一叠接电晶体与该第二叠接电晶体叠接，以形成一双叠接架构具有一高耐压的特性。
叠接电晶体输入电晶体输出电流耦接高电压供应增强电路高耐压输出端导通耐压放大器输出电压输入电压低电压供应端传递架构输出

[发明专利]运算放大器-CN202110120416.7在审
发明人：刘隽宇;陈禀亮 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种运算放大器，包含第一输出电晶体与第二输出电晶体，串联于二电源节点之间，第二输出电晶体的半导体类型相反于第一输出电晶体，第一输出电晶体与第二输出电晶体电性耦接至输出节点，且第一输出电晶体的栅极与第二输出电晶体的栅极分别连接至第一驱动节点与第二驱动节点
运算放大器

[发明专利]具有波宽补偿的画素电路及其操作方法-CN202211344595.3在审
发明人：陈得富;陈伯纶;陈俊达;黄达人;刘柏村;郑光廷;易庭翊 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：脉冲宽度调变电路包含P型波宽补偿电晶体以及第一P型控制电晶体，第一P型控制电晶体电性连接P型波宽补偿电晶体。脉冲振幅调变电路包含第二P型控制电晶体、第一电容器、P型驱动电晶体以及发光组件，第二P型控制电晶体电性连接第一P型控制电晶体，第一电容器电性连接第二P型控制电晶体，P型驱动电晶体电性连接第一电容器，发光组件电性连接P型驱动电晶体。全P型电晶体能达到省成本等优势之外也可以避免因为尺寸过大造成驱动能力不足的问题。
具有补偿电路及其操作方法

[发明专利]一种压电晶体的距离传感器-CN202211329998.0在审
发明人：王怡 -专利权人：王怡
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本文提出了一种压电晶体的距离传感器，所述的距离传感器包括振荡电路、压电晶体、计数器和电源模具，所述的振荡电路与电源模组相连，振荡电路的两端与压电晶体两端相连，所述的计数器与荡电路和压电晶体相连，应用接近效应原理得传感器，可以用压电晶体作为感知元件，压电晶体表面受到压力时，压电晶体会因其本身得压缩和伸张产生电荷得变化，在压电晶体两侧镀上电极，就能测得电位差，这就是压电效应，同样，如在该压电晶体两侧电极施加电位差，压电晶体产生压缩与伸张，这就是逆压电效应，基于这种可逆性，当一电位差被施加到压电晶体得两侧电极时，压电晶体将形成规律频率得振荡。
一种压电晶体距离传感器

[发明专利]包括纠缠像素的图像传感器-CN202010277632.8在审
发明人：陈暎究;金永燦;郑泰燮;权容铉;林茂燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
包括纠缠像素图像传感器

[实用新型]可调整式双输出迟滞闩锁电路-CN99200302.4无效
发明人：郭圭伟 -专利权人：育升半导体股份有限公司
申请日： 1999-01-11 - 公布日： 2000-01-12 - 主分类号： H03L7/00 文献下载
摘要：一种可调整式双输出迟滞闩锁电路,包括具有第一与第二电晶体的差动放大器、具有第三与第四电晶体的第一电流镜与具有第五与第六电晶体的第二电流镜。第一电晶体的集极连接第三与第四电晶体的共同基极及第五电晶体的集极。第二电晶体的集极连接第四电晶体的集极与第五、第六电晶体的基极。第三与第六电晶体的集极作为两输出电流端。
可调整式输出迟滞电路

[发明专利]一种铁电晶体矫顽场强的测量装置及方法-CN202010604829.8有效
发明人：乔辽;李飞;徐卓;夏颂;高翔宇;刘杨彬;宋克鑫;郭海生 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01R29/22 文献下载
摘要：本发明提供的一种铁电晶体矫顽场强的测量装置及方法，包括以下步骤：步骤一，获取已极化的未加压的铁电晶体的五参数；步骤二，向步骤一中涉及的铁电晶体施加交流电压，之后获取施加电压后的铁电晶体的加压后的五参数；步骤三，将步骤一中得到的未加压的铁电晶体的参数与步骤二中的加压后的铁电晶体的参数进行比对，进而判断铁电晶体是否发生退极化；步骤四，若铁电晶体发生退极化，则将步骤二中施加的交流电对应的场强作为铁电晶体的退极化场强；反之，则重复步骤二、步骤三直至铁电晶体发生退极化；步骤五，根据步骤四得到的退极化场强计算铁电晶体的矫顽场强；本发明测样操作方便易控，安全性高，且能够完成铁电晶体的退极化场强和矫顽场强测试工作。
一种电晶体场强测量装置方法

[发明专利]荧幕下指纹辨识电路及其层叠结构、显示面板与指纹撷取方法-CN202210162315.0在审
发明人：纪佑旻;翁瑞兴 -专利权人：业泓科技（成都）有限公司;业泓科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G06V40/13 文献下载
摘要：一种荧幕下指纹辨识电路及层叠结构、显示面板与指纹撷取方法，荧幕下指纹辨识电路包括第一电晶体的汲极连接到显示资料接收端，显示驱动讯号输出端、启动指纹辨识端共同连接第一电晶体的闸极，第一电晶体的源极连接光学指纹感测器，从光学指纹感测器连接公共接地端，第二电晶体的闸极连接第一电晶体，第二电晶体的源极连接第三电晶体，第二电晶体的汲极连接工作电压端，第三电晶体的闸极连接指纹辨识选择端，第三电晶体的源极连接辨识输出端，第一电容与第二电容并联到光学指纹感测器，使得第一电晶体接收显示驱动讯号或重置指纹辨识讯号，可输出显示驱动讯号或进行指纹辨识，还包括依照此荧幕下指纹辨识电路所设计的层叠结构、显示面板及指纹撷取方法。
荧幕指纹辨识电路及其层叠结构显示面板撷取方法

[发明专利]改善噪声特性的差分式光电晶体管器件结构及使用方法-CN202310803390.5在审
发明人：周磊簜;范婷婷 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善噪声特性的差分式光电晶体管器件结构及使用方法，包括反向串联的第一光电晶体管和第二光电晶体管，所述第一光电晶体管和第二光电晶体管结构相同，且对称设置，所述第一光电晶体管和第二光电晶体管均包括依次设置的发射区、基区和集电区；所述第一光电晶体管的发射区和第二光电晶体管的发射区均通过本征层连接至衬底层，所述第一光电晶体管的集电区的自由面设置第一电极，所述第二光电晶体管的集电区的自由面设置第二电极。
改善噪声特性分式光电晶体管器件结构使用方法

[发明专利]一种铁电晶体的化学反应式薄膜剥离方法-CN202111500773.2在审
发明人：王智勇;黄瑞;兰天 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电晶体的化学反应式薄膜剥离方法，包括：在硅衬底A表面制备一层SiO2层；在铁电晶体衬底B表面制备一层钝化层，向铁电晶体衬底B中注入两种可发生化学反应且注入深度一致的元素离子，在铁电晶体衬底B形成离子注入层；去除铁电晶体衬底B表面的钝化层，并对硅衬底A和铁电晶体衬底B进行抛光、活化以及晶圆键合；对复合晶圆加热，使铁电晶体衬底B内部的两种元素离子发生化学反应，使铁电晶体衬底B在离子注入层处发生分离；对保留的铁电晶体薄膜进行抛光，完成薄膜剥离。本发明通过向铁电晶体材料中分别注入两种不同元素，利用这两种元素在晶体材料内部相互之间发生化学反应生成气体的方式，使得铁电晶体材料发生剥离。
一种电晶体化学反应式薄膜剥离方法

[实用新型]一种具有铆合固定防松脱的高效散热可靠性装置-CN202020483522.2有效
发明人：杨必礼 -专利权人：厦门科司特电子工业有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有铆合固定防松脱的高效散热可靠性装置，包括散热片、铆钉和电晶体，该散热片上形成冲孔，电晶体上形成固定孔，铆钉穿过电晶体的固定孔及散热片的冲孔，将电晶体铆合固定在散热片上。该装置提升了散热传导效果，具有防止过电晶体温度过高的可靠性，同时具备良好散热效果，以及防止电晶体热胀冷缩时防卡电晶体松动及松脱现象。
一种具有固定防松脱高效散热可靠性装置

[发明专利]逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管器件及其制备方法-CN202210133665.4在审
发明人：李秀妍;司梦维 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管器件，包括控制晶体管和铁电晶体管，所述控制晶体管和铁电晶体管连接；通过调整所述控晶体管，进行所述铁电晶体管的逻辑功能和存储功能的重构。本发明的一种逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管，通过设置输铁电晶体管栅极状态和存储状态，可实现输出状态在或非门和反相器之间的重构。
逻辑存储功能可重构晶体管器件及其制备方法

[发明专利]电力开关及其半导体装置-CN201710659990.3有效
发明人：吴佳龙 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：电力开关包括第一电晶体晶胞、第二电晶体晶胞、基极区域及导电层。第一电晶体晶胞包括第一电极。第二电晶体晶胞包括第二电极。基极区域位于第一电晶体晶胞与第二电晶体晶胞之间。
电力开关及其半导体装置

[发明专利]交流转直流电压稳压器-CN200610109715.6有效
发明人：杨大勇;黄伟轩 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明是有关于一种高效率的电压稳压器，其包含有一输入电晶体，输入电晶体耦接一电压源以提供一供应电压；一侦测电路，其耦接于电压源与供应电压，以依据电压源的电压准位与供应电压的电压准位产生一控制讯号与一致能讯号；一充电泵电路，其耦接于侦测电路与输入电晶体，以依据控制讯号导通输入电晶体；一控制电晶体，其耦接于侦测电路与输入电晶体，以依据控制讯号截止输入电晶体。
流转直流电压稳压器

[实用新型]交流转直流电压稳压器-CN200620123123.5无效
发明人：杨大勇;黄伟轩 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种高效率的电压稳压器，其包含有一输入电晶体，输入电晶体耦接一电压源以提供一供应电压；一侦测电路，其耦接于电压源与供应电压，以依据电压源的电压准位与供应电压的电压准位产生一控制讯号与一致能讯号；一充电泵电路，其耦接于侦测电路与输入电晶体，以依据控制讯号导通输入电晶体；一控制电晶体，其耦接于侦测电路与输入电晶体，以依据控制讯号截止输入电晶体。
流转直流电压稳压器