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[实用新型]电容浸液槽-CN201520047261.9有效
发明人：屈发练;屈长松;张皓 -专利权人：重庆市图达电子科技有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01G13/04 文献下载
摘要：一种电容浸液槽，包括槽体，所述槽体内放置有含浸板，该含浸板上分布有条形通孔，该条形通孔为上部开口大，下部小的漏斗形。将含浸槽中加上含浸板好处是：一减少了含浸槽中液体的存量，使得废弃量大大减少，另外，抽真空时气体从氧化剂中逸出的气泡受到含浸板的阻档，不会形成太高，因而不会污染胶盖或导针。同时还有一大好处是：芯包含浸完成后脱离液面时，由于受到含浸板槽的边的摩擦作用，不会有过大的液滴存留于芯包。
电容浸液

[实用新型]电容滚槽装置-CN202220411463.7有效
发明人：王文超 -专利权人：上海嘉磐电气有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01G9/145 文献下载
摘要：本实用新型公开了电容滚槽装置，包括底座，所述底座上设置有传送机构，所述传送机构一侧设置有滚槽机构，所述滚槽机构包括安装架、一号电机、加工座，所述安装架内侧安装有所述一号电机，所述安装架上端面安装有所述加工座本实用新型结构简单，设计合理，生产成本低，极大的提高了对电容滚槽的加工效率，节省人力，同时保证了滚槽的效果，实用性高。
电容装置

[发明专利]自对准形成孔槽、电容的方法及孔槽、电容-CN201410360940.1有效
发明人：赵利川;李昱东;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准形成孔槽的方法，包括步骤提供待刻蚀层；刻蚀待刻蚀层，以形成第一孔槽；进行叠层的淀积，所述叠层至少包括三层材料层，且至少有一层材料层至少相对于其相邻的一材料层具有刻蚀选择性；进行平坦化，直至第一孔槽两侧的待刻蚀层之上的叠层被移除；根据刻蚀选择性，在第一孔槽的深度方向上去除至少一材料层，以形成第二孔槽。本发明可以灵活调节孔槽的尺寸，易于刻蚀、质量高且成本低。
对准形成电容方法

[实用新型]电容器清洗槽-CN200920064277.5无效
发明人：廖勇军;何社霞;陈赛兰 -专利权人：益阳市和天电子有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种劳动强度小的电容器清洗槽，它包括清洗槽[3]，其特征是在清洗槽[3]底部设有气管[2]，气管[2]上开有出气孔[4]，气管[2]一端与进气口[1]相连，本实用新型结构简单，通过在清洗槽底部安装开有出气孔的气管
电容器清洗

[外观设计]电容器防爆槽-CN202130437841.X有效
发明人：程智 -专利权人：宁国拓天电器有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电容器防爆槽。2.本外观设计产品的用途：用于电容器安装与保护。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电容器防爆

[实用新型]一种高集成电容组件结构-CN202320199001.8有效
发明人：周诗君;陈登峰;张安冉 -专利权人：上海汽车电驱动有限公司;上海电驱动股份有限公司;上海汽车电驱动工程技术研究中心有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高集成电容组件结构，结构包括集成式电容支座，集成式电容支座的一端设有三阶电容槽，三阶电容槽的一端紧贴支撑电容的一端，支撑电容的另一端连接电感固定槽的一端，电感固定槽的另一端连接电容槽组合以及磁环槽，正负铜排安装位置的两侧对称设置有一阶电容槽，正负铜排安装位置的顶部设有二阶电容槽，一阶电容槽和支撑电容之间设有圆形的电感固定槽，二阶电容槽的边缘处设有接地槽，磁环槽内装有磁环，三阶电容槽内装有第一Y电容，电感固定槽内装有电感器，一阶电容槽内装有第二Y电容，二阶电容槽内装有第三Y电容。
一种集成电容组件结构

[实用新型]一种发电机用滤波电容的固定及保护结构-CN202122729495.X有效
发明人：张璐瑶 -专利权人：江苏云意电气股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01G2/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发电机用滤波电容的固定及保护结构，包括板体，所述板体上设有电容槽和溢胶槽，所述溢胶槽的底部设有沉孔，所述溢胶槽的顶部设有阶梯部，所述溢胶槽的两侧通过沉孔安装有焊片，所述电容槽远离溢胶槽的一侧设有卡扣，滤波电容安装的电容槽中设计一处楔形卡扣，楔形卡扣与电容槽壁存在间隙，电容器由上至下安装至电容槽后，由楔形卡扣将电容固定住，便于安装及电容器的固定；电容槽底部根据电容器本体高度设置一处竖直限位部，对电容器进行进一步限位，便于电容器引线的焊接并减少焊接过程的固定工装的使用。
一种发电机滤波电容固定保护结构

[发明专利]电容加载的半槽天线-CN201610216977.6在审
发明人：殷晓星;史俊;赵洪新 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01Q13/10 文献下载
摘要：电容加载的半槽天线涉及一种缝隙天线，该天线包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4)；金属地(2)上有辐射槽缝(3)；辐射槽缝(3)的一端短路，另一端(6)开路；在辐射槽缝(3)除去与微带馈线(4)相交叉的部分(8)的其它部分(9)，有数个电容(7)并联跨接在其边缘；微带馈线(4)一端是天线端口(10)，微带馈线(4)另一端开路并跨过辐射槽缝(3)并伸展一段长度
电容加载天线

[发明专利]电容加载的槽缝天线-CN201610218484.6在审
发明人：殷晓星;陈飞;赵洪新 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01Q13/10 文献下载
摘要：电容加载的槽缝天线涉及一种缝隙天线，该天线包括介质基板(1)、介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、微带馈线(4)；金属地(2)上有辐射槽缝(3)；辐射槽缝(3)的两端(6)短路；在辐射槽缝(3)除去与微带馈线(4)相交叉的部分(8)的其它部分(9)，有数个电容(7)并联跨接在其边缘；微带馈线(4)一端是天线端口(10)，微带馈线(4)另一端开路并跨过辐射槽缝(3)并伸展一段长度。
电容加载天线

[实用新型]电容枕电缆槽成形器-CN201320501907.7有效
发明人：王玉春;李熹熙;刘石城;孙旭亮 -专利权人：乐昌市安捷铁路轨枕有限公司
申请日： 2013-08-17 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： B60M1/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容枕电缆槽成形器，它具有电容槽，在电容槽的两端分别设有橡胶模具，在橡胶模具内装有螺母。在橡胶模具内预埋安装定位螺纹，通过安装螺纹，把成形器安装在钢模内，由于橡胶的弹性好，安装在轨枕模具内能达到密贴的效果，因此在混凝土振动时，橡胶与轨枕模具之间不会有混凝土砂浆流入，在脱模时，能轻易的把电缆槽成形器取出
电容电缆成形

[实用新型]一种电容清洗槽-CN202020656793.3有效
发明人：王宁;范笑峰 -专利权人：江阴中威电子有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容清洗槽，包括支架，清洗槽，泄放阀，上料台，滤水台、吊钩组件及PLC控制系统；支架固定在清洗槽的上方，支架的下部外侧设有电机及传动轴，传动轴上均布有若干个绞盘，绞盘上设置有传动部件，传动部件通过导向轮连接到吊钩组件上；清洗槽为矩形中空结构，一端设置有上料台，另一端设置有滤水台，清洗槽分为均等的五个清洗池，底部设有斜坡状的集污板；吊钩组件包括与传动部件相连接的吊钩平台、导轨、吊钩、长行程气缸及短行程气缸
一种电容清洗

[发明专利]半导体电容器及其制作方法-CN201910470042.4有效
发明人：肖德元;尹晓明;马强;何学缅 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电容器及其制作方法，电容器包括：导电基底，所述导电基底中形成有电容槽，所述电容槽包括主沟槽及多个横向凹入所述导电基底内的弧形凹槽；电容介质层，形成于所述导电基底表面及所述电容槽表面；上电极，形成于所述电容介质表面。本发明通过在钝化层中添加刻蚀剂对导电基底侧壁进一步刻蚀，使得电容槽侧壁具有多个具有一定尺寸大小的横向凹入导电基底中的弧形凹槽，该弧形凹槽可有效增加电容的实际面积，从而可以在增加电容槽深度的情况下，有效提高电容值，本发明的半导体电容器与现有的具有相同深度电容槽的电容器相比，电容值可增加1.5倍以上。
半导体电容器及其制作方法

[发明专利]基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法-CN201310719075.0有效
发明人：薛恺;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，其包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底掺杂区域内设有电容槽，电容槽穿过所述掺杂区域，且电容槽的槽口从第一主面指向第二主面的方向延伸，所述掺杂区域包裹在电容槽上部侧壁的周围；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。
基于 tsv 工艺转接板深槽电容及其制造方法

[实用新型]一种马达电容的组装结构-CN201220496036.X有效
发明人：袁银菊;蒋勇;张惠智;江玲玲;冯豪士 -专利权人：余姚市爱优特电机有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02K11/02 文献下载
摘要：一种马达电容的组装结构，属于马达部件技术领域，为塑料端盖组件，所述塑料端盖组件包括塑料端盖、碳刷架组件、电容和铆钉；所述塑料端盖包括端子槽、电容放置槽、电容脚放置台阶、电容脚放置槽，所述电容脚放置台阶和电容脚放置槽设置在塑料端盖的内面；所述电容包括电容脚A和电容脚B，电容设置在电容放置槽内，电容和碳刷架组件通过铆钉固定在塑料端盖上；所述电容脚A在电容脚放置台阶上，电容脚A的端部与端子下端铆接连接；所述电容脚B在电容脚放置槽内；所述塑料端盖还包括电容脚插孔A、B，电容放置槽设置在塑料端盖的外端面、电容脚插孔A、B之间。
一种马达电容组装结构

[发明专利]一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法-CN201310718949.0有效
发明人：薛恺;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于TSV工艺的转接板深槽电容，包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底的掺杂区域内设有电容槽，电容槽的槽底位于所述掺杂区域内；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。
一种基于 tsv 工艺转接板深槽电容及其制造方法

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