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[发明专利]基于PLZST反铁电光子晶体的可调光开关及调控方法-CN202010059452.2有效
发明人：易金桥;朱黎;谭建军;孙先波;黄勇;胡涛 -专利权人：湖北民族大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明属于微纳光电子器件技术领域，公开了一种基于PLZST反铁电光子晶体的可调光开关及调控方法，基于PLZST反铁电光子晶体的可调光开关设置有空气柱型光子晶体；光子晶体的空气柱直径为420nm，空气柱间距为200nm；可调光开关进一步包括光子晶体波导A、光子晶体波导B、波导A和B的耦合器、开关电极、调控电极；光子晶体波导A和B的长度约为50μm，波导A和B的耦合长度约为5μm。本发明利用光子晶体波导之间的耦合特性设计光子晶体光开关，通过电场调控作用调节光波的中心波长，实现中心波长范围宽可调的电光开关，响应速度小于1纳秒，中心波长的调节范围为1100nm～1750nm。
基于 plzst 反铁电光子晶体调光开关调控方法

[实用新型]一种环形腔再生激光放大器-CN202120714488.X有效
发明人：曹宇;林秀玉;游伟琳;林海 -专利权人：福州市纳飞光电科技有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01S3/083 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环形腔再生激光放大器，包括依次相连的第一偏振分光棱镜、电光晶体、第二偏振分光棱镜、第一45度反射镜、增益晶体和第二45度反射镜，种子激光经第一偏振分光棱镜输入，第一次经过电光晶体施加电压后激光偏振方向变为S偏振，再经过第二偏振分光棱镜后90度反射，再被第一45度反射镜反射进入增益晶体，从增益晶体经第二45度反射镜反射回到第一偏振分光棱镜，再经过不施加电压的电光晶体时偏振方向不变，从而在腔体内循环传播放大，放大达到预定能量后电光晶体第二次施加电压使经过的激光偏振方向变为P偏振，从第二偏振分光棱镜输出。
一种环形再生激光放大器

[发明专利]电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器-CN202010865266.8在审
发明人：张秀全;王金翠;刘桂银;李真宇;张涛;杨超 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请提供一种电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜的制备方法包括：准备绝缘体上硅结构，在绝缘体上硅结构的顶层硅上制备保护层前体；用刻蚀法对保护层前体和顶层硅进行刻蚀，凹槽结构的高度等于保护层厚度和硅波导层厚度之和；在凹槽结构内填充包覆隔离层，并对其进行平坦化，直至与保护层齐平；采用腐蚀的方式去除保护层，再沉积包覆隔离层，并对其平坦化；最后在包覆隔离层上制备功能薄膜层，得到电光晶体薄膜
电光晶体薄膜制备方法调制器

[发明专利]基于电光效应的电压方向测量方法、装置、系统及介质-CN202310235464.X在审
发明人：钟远聪;邓定南;罗劲明;陈书汉 -专利权人：嘉应学院
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R19/14 文献下载
摘要：本申请提供了基于电光效应的电压方向测量方法、装置、系统及介质。所述方法包括：当检测到起偏器处于目标位置时，控制激光器向电光晶体发射激光束；获取对应于激光束的线偏振光经过施加外加电压的电光晶体以及四分之一波片后的第一偏振方向；其中，第一偏振方向包括：在空间坐标系的一三象限通过本申请方案的实施，在得到从电光晶体出射的偏振光的偏振方向后，根据该偏振光的偏振方向即可判断出施加在电光晶体上的外加电压的电压方向，从而解决光学电压互感器只能测量电压大小的问题，并扩展了光学电压互感器的测量功能
基于电光效应电压方向测量方法装置系统介质

[实用新型]电光调制实验仪-CN200620097109.2无效
发明人：邓标华;乔清明;艾锋;程勇 -专利权人：湖北众友科技实业股份有限公司
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电光调制实验仪，包括光路部分和电路部分，其光路部分由激光器、起偏器、电光晶体、检偏器、光电探测器通过各自的支架依次放在光学导轨上，各支架底部与光学导轨滑动配合，电路部分包括与激光器连接的激光器电源，与电光晶体连接的控制信号源，光电探测器的输出接输出放大器，输出放大器的输出端作为仪器的一组输出端。起偏器、检偏器、光电探测器、电光晶体的支架都是可调的，底座是与滑轨匹配的滑块。当控制信号源输出没有直流高压叠加到正弦波电信号上时，电光晶体与检偏器之间加入1/4λ波片。
电光调制实验

[发明专利]一种低半波电压的电光开关-CN200810072381.9无效
发明人：江枫;吴少凡;庄松岩;郑熠 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种低半波电压的电光开关，包括绝缘壳体(201)，电光晶体(202)，在晶体一对侧面镀有金属导电层(203)；所述金属导电层外贴有铟箔(204)；所述铟箔外紧贴着内部金属电极(205)；所述内部金属电极外留有外接金属电极孔本发明的电极设计使晶体在长度一定的条件下不会因为电极间距离过近而导致工作时在晶体通光面上打火，影响开关使用及对晶体通光面造成的损坏。此设计有效地降低了电光开关的半波电压，增加了其使用寿命及减小了对开关驱动电源的苛刻要求。
一种低半波电压电光开关

[发明专利]一种多块晶体电光Q开关器件-CN200410023702.8无效
发明人：张少军;尹鑫;蒋民华;王青圃;张怀金;王继扬 -专利权人：山东大学
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01S3/127 文献下载
摘要：一种多块晶体电光Q开关器件，属于旋光性电光晶体材料在光电技术领域中的应用。SUB>O₁₄，La₃Ga_5.5Ta_0.5O₁₄按照一定的设计切型和设计晶轴取向制成的一种晶体电光Q开关器件，用于Ho:YAG脉冲激光器及其它近红外和可见脉冲激光器作电光调Q使用。它解决了现有技术存在的半波电压高，消光比低，电场偏压影响晶体的旋光性，Q开关器件的消光比受晶体生长应力影响大，对晶体质量要求苛刻等缺点。本发明的晶体电光Q开关器件具有半波电压低，消光比高，基本上消除电场偏压对晶体旋光性的影响，使晶体生长应力的影响降低，稳定性好，降低制作成本等优点。
一种晶体电光开关器件

[发明专利]相位-偏振联合调制钛酸钡晶体薄膜波导强度电光调制器-CN202210156823.8在审
发明人：孙德贵;孙娜 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：相位‑偏振联合调制钛酸钡晶体薄膜波导强度电光调制器涉及光通信技术领域，解决了当前电光调制器所面临的光调制输出信号宽度与带宽之间矛盾的问题。本发明MZI型强度电光调制器，这种调制器的波导和电极是通过两次刻蚀到不同的平面上，可使其电光场作用积分值达到0.7‑0.8。利用二阶平方型电光调制理论模型，借助于偏振‑相位驱动，可使强度电光调制器的干涉输出峰值变窄，调制带宽增强。本发明相位‑偏振联合调制钛酸钡晶体薄膜波导强度电光调制器的静态半波电压可以设计在5V以下，动态电光调制时的等效半波电压可以5V左右，器件的核心性能指标：(1)电光调制电压与电光作用长度乘积器在0.2‑0.5V
相位偏振联合调制钛酸钡晶体薄膜波导强度电光调制器

[发明专利]一种用于电光调制器温度漂移抑制的晶体散热结构及制作方法-CN201910976611.2在审
发明人：仝杰;雷煜卿;李英峰;张来豫;李许安;李美成 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;华北电力大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电光调制器温度漂移抑制的晶体散热结构及制作方法，利用碳纳米管优异的轴向导热性能，改善电光调制器散热，同时利用石墨烯优异的透光率和电导率，使用多层石墨烯薄膜通过导电胶传导电荷抑制电光调制器晶体的热释电效应，极大地改善了电光调制器热效应引起的温度漂移，极大地减少了设备装置使用维护成本和频率，提高器件长期工作稳定性。
电光调制器温度漂移热效应长期工作稳定性晶体散热结构电导率多层石墨烯热释电效应电荷抑制设备装置碳纳米管导电胶晶体的热性能石墨烯透光率散热传导薄膜制作维护

[发明专利]一种自参考太赫兹电光取样光谱干涉仪及测量系统-CN201710385861.X有效
发明人：徐世祥;郑水钦;刘俊敏;蔡懿;曾选科;上官煌城 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01J3/45 文献下载
摘要：本发明适用于太赫兹测量技术领域，尤其涉及一种自参考太赫兹电光取样光谱干涉仪及测量系统。本发明所提供的自参考太赫兹电光取样光谱干涉仪包括脉冲展宽器、宽带半波片、透镜、太赫兹电光晶体、双折射晶体、线偏振器以及光谱仪。上述光学元件通过巧妙的自参考干涉结构设计，在基于电光采样及光谱干涉原理的基础上，采用啁啾脉冲为探针实现了对高强度太赫兹脉冲时域光谱的单次测量。
一种参考赫兹电光取样光谱干涉仪测量系统

[发明专利]一种BGO晶体电光系数温度相关性的自补偿装置和方法-CN201410334825.7有效
发明人：李传生;张朝阳;孙海江;温海燕 -专利权人：国家电网公司;国网智能电网研究院
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G01R1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种BGO晶体电光系数温度相关性的自补偿装置和方法，装置包括法拉第准直旋光器、石英管、增透膜、反射膜、BGO晶体和基座；法拉第准直旋光器包括准直透镜和法拉第旋光器，准直透镜和法拉第旋光器封装在石英管内部，BGO晶体的两端分别镀有增透膜和反射膜，石英管和BGO晶体均安装在基座上。本发明提供的BGO晶体电光系数温度相关性的自补偿装置和方法，它利用法拉第(Faraday)旋光器旋光角的温度特性及其对光学电压互感器变比的影响在线自动补偿BGO晶体电光系数随温度变化造成的测量误差。
一种 bgo 晶体电光系数温度相关性补偿装置方法

[发明专利]一种低电压独立加压式电光Q开关-CN202110783349.7有效
发明人：商继芳;孙军;杨金凤;周娅玲;郝好山 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种低电压独立加压式电光Q开关，属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由铌酸锂或者钽酸锂晶体按照一定的设计切型制成的一种电光Q开关器件，用于YAG激光器及其他激光器中作电光调Q使用。本发明的电光Q开关能够独立进行加压式电光调Q，既规避了传统加压式电光调Q需要额外使用偏振元件，进而导致的插入损耗大、激光器结构不够紧凑稳定的弊端，又保留了加压式工作对调Q驱动源要求低、Q开关寿命长等优点同时，本发明的电光Q开关半波电压得到有效降低，器件更加容易制备。
一种电压独立加压电光开关

[发明专利]一种降低剩余振幅调制的装置-CN201710173451.9有效
发明人：郑耀辉;孙小聪;王雅君;彭堃墀 -专利权人：山西大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：该装置包括一个三晶串联的电光调制装置，所述三个晶体分别为第一立方晶体、中间晶体和第二立方晶体；所述中间晶体为电光调制晶体，所述的中间晶体与所述高频信号源模块相连，所述中间晶体规格为Xmm×Ymm×dmm；所述第一立方晶体和第二立方晶体串联在中间晶体的X轴方向两端，所述第一立方晶体和第二立方晶体的相对介电常数与中间晶体的相对介电常数相等，所述第一立方晶体和第二立方晶体规格为d/2mm×Ymm×dmm。
一种降低剩余振幅调制装置

[发明专利]一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法-CN202011160742.2在审
发明人：郭清仪;葛士军 -专利权人：南京南辉智能光学感控研究院有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本发明将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块，由于调光过程中不需要分子转动，因此具有更高的响应速度，且铌酸锂材料本身具有更高的折射率，这均有利于器件的进一步优化。
一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法

[发明专利]一种低半波电压的温控式谐振电光相位调制器-CN202310557375.7在审
发明人：郑耀辉;张晓莉;田龙;王雅君;李卫;史少平;陈力荣 -专利权人：山西大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种低半波电压的温控式谐振电光相位调制器，属于激光调制技术领域。针对电光位相调制中存在剩余振幅调制影响调制性能且现有电光位相调制器半波电压高、调制深度低、调制频率不可调以及直接对晶体控温将引入电磁干扰等问题，本发明温控式谐振电光相位调制器包括聚砜保温外壳、调制器空壳本体本发明先将电光晶体和整个驱动电路装配在屏蔽壳中，在外部放置TEC，将TEC与楔形晶体分离，最后对整体调制器进行控温的方式，不仅保护了电光相位调制器内部各组成部分，还可实现对外部电磁干扰信号的隔离，减小额外噪声信号的引入
一种低半波电压温控谐振电光相位调制器