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[发明专利]低碳硅锰系锚杆用钢化学组成及热处理工艺-CN201210455665.2无效
发明人：华建锋;陈潇;刘亚南;江利 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C22C38/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种低碳硅锰系锚杆用钢化学组成及热处理工艺，包括低碳硅锰系锚杆用钢的化学组成和低碳硅锰系锚杆用钢的热处理工艺。其特征是：该低碳硅锰系锚杆用钢的化学组成按重量百分含量为：碳：0.18～0.22%，硅：1.15～1.45%，锰：1.50～1.65%，磷≤0.015%，硫≤0.020%，其余为铁和不可避免的杂质，各组分百分数之和为100%；该低碳硅锰系锚杆用钢的热处理工艺是：将该低碳硅锰系锚杆用钢，加热至780～800摄氏度后保温50分钟，然后快速淬入温度为370～390摄氏度、溶液为50%氯化钠+50%氯化钾的盐浴炉中，进行等温该低碳硅锰系锚杆用钢化学组成及热处理工艺耗能低，生产效率高，生产成本低，生产工艺简单，且综合力学性能好。
低碳硅锰系锚杆用钢化学组成热处理工艺

[发明专利]一种超低硫低硅低钛灰口球铁用生铁的冶炼方法-CN201010103839.X有效
发明人：白居秉 -专利权人：河北龙凤山铸业有限公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C21B5/02 文献下载
摘要：一种超低硫低硅低钛灰口球铁用生铁的冶炼方法，属钢铁冶炼技术领域，用于解决高炉稳定生产超低硫低硅低钛灰口球墨铸铁用生铁问题。它包括如下步骤：a.高炉原料选用；b.低硅冶炼；c.炉前增硅；d.炉前脱硫处理；e.喷氮搅拌；f.铸铁机孕育处理。本发明采用高炉低硅冶炼、炉前增硅、炉前喷氮搅拌、炉前脱硫处理及铸铁机孕育处理技术，解决了高炉稳定生产超低硫低硅低钛灰口球墨铸铁用生铁的技术难题，其产品既能做到低[Si]、低[Ti]，超低[S]，又能实现灰口
一种超低硫低硅低钛灰口球铁用生铁冶炼方法

[发明专利]低介电常数硅质膜制造用组合物和使用其来制造固化膜和电子器件的方法-CN202080055072.X有效
发明人：会田健介;有马一弥;樱井一成 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：提供一种低介电常数硅质膜制造用组合物，该组合物能够形成具有优异机械性能和稳定电性能并带有分散的孔的低介电常数硅质膜。[解决手段]本发明提供一种低介电常数硅质膜制造用组合物，其包含：聚硅氧烷、造孔材料、缩合催化剂产生剂和溶剂。
介电常数质膜制造组合使用固化电子器件方法

[发明专利]一种高硅超低硫低钛球铁用生铁的冶炼方法-CN200910074305.6无效
发明人：白居秉 -专利权人：河北龙凤山铸业有限公司
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C21B5/00 文献下载
摘要：一种高硅超低硫低钛球铁用生铁冶炼方法，属钢铁冶炼技术领域，用于解决容积为300m³以上高炉稳定生产高硅超低硫低钛球铁用生铁问题。它包括如下步骤：a.高炉原料选用：高炉原料组成为：球铁高碱烧结矿70-90％，球铁球团或块矿10-30％，所述球铁高碱烧结矿的碱度为1.66-1.86；b.低硅冶炼：高炉冶炼[Si]控制0.25-0.45％，R₃控制1.25-1.35；c.炉前增硅；d.炉前喷镁搅拌脱硫处理。本发明采用高炉低硅冶炼技术和炉前增硅喷镁搅拌脱硫工艺生产高硅超低硫低钛球墨铸铁用生铁，解决了300m³级以上高炉稳定生产球墨铸铁用生铁的技术难题，为充分释放高炉产能、实现低成本运行
一种高硅超低硫低钛球铁用生铁冶炼方法

[发明专利]一种提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶强度的瓶体处理工艺-CN202211300291.7在审
发明人：周建栋;周军 -专利权人：南通鑫德医药包装材料有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C03B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶强度的瓶体处理工艺，包括一种提高低硼硅玻璃管制注射剂瓶强度的瓶体处理工艺，原料配比、制备、退火、研磨、抛光、储备。本发明通过将退火后的低硼硅玻璃管制注射剂瓶用磨料和研磨盘对玻璃表面进行机械磨削处理，把低硼硅玻璃管制注射剂瓶表面的微观凸起部分磨去，用氢氟酸和硫酸的腐蚀作用来抛光低硼硅玻璃管制注射剂瓶表面，氢氟酸破坏低硼硅玻璃管制注射剂瓶表层的硅氧结构，使低硼硅玻璃管制注射剂瓶表层剥离而获得新的光洁表面；从而使得制造的低硼硅玻璃管制注射剂瓶的瓶身硬度较高，降低导致低硼硅玻璃管制注射剂瓶的损伤，增加低硼硅玻璃管制注射剂瓶的使用便捷性。
一种提高低硼硅玻璃管制注射强度处理工艺

[发明专利]光波导用组合物及其制造方法、光波导及其制造方法-CN200910177997.7无效
发明人：平山智之;平野敬祐;疋田贵巳 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G02B1/04 文献下载
摘要：提供一种不含卤素原子、且可见～近红外区域不存在吸收带的光波导用组合物及其制造方法，以及使用其的光波导、光波导的制造方法。该光波导用组合物含有在氧化锆微粒的外周面上结合有有机硅低聚物和有机硅低聚物聚合物而成的氧化锆微粒体(A)、和光产酸剂(B)。该光波导用组合物通过如下方式而获得：在氧化锆微粒的水分散液中混合有机硅低聚物，在酸性区域下，发生有机硅低聚物之间的聚合反应、以及有机硅低聚物和有机硅低聚物聚合物对氧化锆微粒表面的结合反应，调制氧化锆微粒体
波导组合及其制造方法

[发明专利]一种硅膜压阻压力传感器的制造方法及其传感器-CN90104145.9无效
发明人：涂相征;李韫言 -专利权人：涂相征;李韫言
申请日： 1990-06-08 - 公布日： 1995-01-25 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤a、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；b、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔硅；c、用腐蚀液腐蚀多孔硅；d、用淀积物填平硅膜两侧腐蚀多孔硅后形成的腔体开口。采用这种方法使器件成本低、性能可靠、易于集成和大批量生产。
一种硅膜压阻压力传感器制造方法及其传感器

[发明专利]一种锂电池电极粘结用硅氧烷低聚物及其制备方法-CN201910089229.X有效
发明人：张群朝;史明慧;孙丽丽;蒋涛;郝同辉 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C08G77/24 文献下载
摘要：本发明公开一种锂电池电极粘结用硅氧烷低聚物及其制备方法，其制备方法包括：先采用溶剂法将硅烷、催化剂和溶剂进行分子级别的相容；再设计运用管式静态混合器将硅氧烷与水接触时均一地定计量反应，制备得到分子量分布窄的硅氧烷低聚物本发明锂电池电极粘结用硅氧烷低聚物制备方法简单，成本低、环境友好、方便工业化。所述制备的锂电池电极粘结用硅氧烷低聚物可提升锂电池的高相容性、耐高低温、稳定的充放电效率和粘结性。
一种锂电池电极粘结用硅氧烷低聚物及其制备方法

[发明专利]一种低碳低硅焊接用钢铸坯及其制备方法和应用-CN202110409776.9在审
发明人：刘春森;梁鹏;万建辉;刘坤;董志才;马晓晨;石德军;刘涛;赵锴鑫 -专利权人：唐山市德龙钢铁有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：本发明属于钢铁冶金技术领域，具体涉及一种低碳低硅焊接用钢铸坯及其制备方法和应用。本发明提供了一种低碳低硅焊接用钢铸坯的制备方法，本发明通过降低转炉冶炼终点温度降低了钢水中游离氧的含量；在脱氧合金化过程中通过添加第一渣料，形成钢包顶渣，减少了合金化轻脱氧钢水与空气的接触面积，从而减少合金化轻脱氧钢水的吸氧量因此，本发明在不大量使用铝进行脱氧的情况下，实现了低碳低硅焊接用钢铸坯中全氧含量的降低。采用本发明提供的方法生产的低碳低硅焊接用钢，拉拔断丝率低，焊接质量高。
一种低碳低硅焊接用钢铸坯及其制备方法应用

[发明专利]一种硅基底的清洗方法-CN201910380788.6有效
发明人：邓飞 -专利权人：深圳烯湾科技有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基底清洗方法，包括如下步骤：提供硅基底，进行超声；对所述超声后的硅基底用HPM试剂处理，再用水漂洗、超声得第一硅基底；对所述第一硅基底用无水乙醇进行擦拭，再超声得第二硅基底；对所述第二硅基底用SPM试剂处理，再用水漂洗、超声、烘干得到可重复使用的硅基底。清洗后硅片表面颜色均匀一致，无斑点、灰印问题；二次碳纳米管生长试验表明CNTs产量仅较新硅片低4.5％，阵列高度较新硅片低2.9％，基本达到目标要求。
一种基底清洗方法

[发明专利]一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法-CN201010581857.9有效
发明人：李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 -专利权人：云南乾元光能产业有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。
一种去除工业硅中硼其它杂质综合利用方法

[发明专利]固态法合成低硅铝比ZSM-48分子筛及临氢异构催化剂和应用-CN202211635858.6在审
发明人：陈锡武;张国安;陈鉴;解委托;田爱玲;陈步宁 -专利权人：南京克米斯璀新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明公开了固态法合成低硅铝比ZSM‑48分子筛及临氢异构催化剂和应用，固态法合成ZSM‑48型分子筛直接成型，成型后的制备催化剂为全分子筛催化剂，活性点位相比用氧化铝挤条成型高，相对活性高；先把硅铝成型，直接在表面合成分子筛，硅铝比低，且用一步法也能合成低硅铝比分子筛。
固态合成低硅铝 zsm 48 分子筛临氢异构催化剂应用

[发明专利]一种低硅铝合金中各元素含量的测试方法-CN202211741952.X在审
发明人：李向禄;刘怡;石素兰;李宏媛;王建权 -专利权人：兰州飞行控制有限责任公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01N1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种低硅铝合金中各元素含量的测试方法，包括以下步骤用浓盐酸、浓硝酸、去离子水配置溶解液；选取最佳测试各元素谱线；制作工作曲线；称取待测低硅铝合金，用溶解液完全溶解并定容后获取待测溶液；将待测溶液输入等离子体发射光谱仪中进行测定，并依据工作曲线获取低硅铝合金中各元素的含量，所述低硅铝合金中元素包括硅元素。
一种铝合金元素含量测试方法

[发明专利]用原煤冶炼硅铁的方法-CN93119508.X无效
发明人：伯闽川 -专利权人：伯闽川
申请日： 1993-10-25 - 公布日： 1999-07-21 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用原煤冶炼硅铁的方法，它是直接用原煤作为还原剂，代替焦碳，兰碳及木炭进行硅铁冶炼，本发明具有生产成本低，产品质量、产量高，能耗低，并减少对环境的污染等优点，可广泛应用于硅铁的冶炼工厂等生产场合
原煤冶炼方法

[发明专利]硅氧烷化合物及其聚合物和用该聚合物制备介电膜的方法-CN200410100231.6无效
发明人：李在俊;宣钟白;郑铉潭;林珍亨;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO₂含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
硅氧烷化合物及其聚合物制备介电膜方法

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