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[实用新型]乔木护根的铺设构造-CN201420804504.4有效
发明人：王恩来;王一凡 -专利权人：康莱德国际环保植被(北京)有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： A01G13/02 文献下载
摘要：本实用新型的铺设构造可有效阻止杂草生长，保护树木根部，涵养水分，减少病虫害，为树木创造一个无污染的生长条件。
乔木铺设构造

[发明专利]一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法-CN201210124792.4有效
发明人：李盼盼;李鸿渐;张逸韵;李志聪;梁萌;李璟;王国宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多量子阱；在InGaN/GaN多量子阱上重复生长多个InGaN/GaN多量子阱；在该多个InGaN/GaN多量子阱上生长GaN基LED所需的pAlGaN和pGaN。本发明选用金属有机物化学气相沉积法，利用在切换量子阱和垒生长条件过程中保持GaN生长，即进行量子阱无间断生长，缩短了多量子阱生长所需的时间，大大提高了生产效率，同时获取高质量InGaN/GaN多量子阱的
一种间断生长质量 ingan gan 多量方法

[发明专利]一种浮游植物环境条件模拟培养方法及装置-CN202110153075.3在审
发明人：李静;沈浩;李锡东;田雯;韩阳春;刘冰莉;郭静凤;牛磊 -专利权人：江阴海关综合技术服务中心
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种浮游植物环境条件模拟培养装置和方法，装置包括玻璃容器、托板、第一同步轮、同步带、第二同步轮、支架、步进电机、温度探头、盐度检测仪、第一上水位探针加水装置、第二上水位探针加水装置和下水位探针抽水装置培养方法步骤包括采集该种浮游植物生长的环境条件包括光照、温度、盐度等；用多条件控制智能软件分制或合成的光照－温度－盐度三个条件，得到环境条件变化频率及范围，对浮游植物进行培养。本发明可以通过一次实验就能分析判断浮游植物对光照、温度、盐度的适应性和最适生长条件，从而筛选出浮游植物的最适环境条件，有利于浮游植物进行相关生理实验和赤潮爆发机制的快速展开，节省了大量人力物力。
一种浮游植物环境条件模拟培养方法装置

[发明专利]在芽孢杆菌中表达重组蛋白的发酵工艺-CN00119866.1有效
发明人：杨晟;黄鹤;袁中一 -专利权人：中国科学院上海生物化学研究所
申请日： 2000-09-01 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C12P21/00 文献下载
摘要：带有重组蛋白基因的枯草芽孢杆菌基因工程菌株生长条件和表达条件在优化条件下，重组蛋白的生产率可以比未优化条件下提高8.5-9.3倍。且培养基成本低廉，发酵工艺简单易行，将之应用于工业生产，具有广阔前景。
芽孢杆菌表达重组蛋白发酵工艺

[发明专利]一种环节状的铜微纳米周期结构材料的制备方法-CN201811484587.2在审
发明人：姚彬彬;徐永生 -专利权人：陕西理工大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种环节状的铜微纳米周期结构材料的制备方法，在封闭的反应室内进行制备，反应室与循环水域相连，通过水域控制生长室温度，生长电源控制沉积速度与结构；选取一片硅片作为衬底放入生长室中；以铜作为阴极和阳极，将所述阴极和阳极彼此平行拉开一定距离放置在所述沉积衬底上，且将所述阴极和阳极与外加电势相连；在所述沉积衬底上滴入硫酸铜溶液，然后盖上盖玻片；密封所述生长室的盖子以隔绝外界温度。本申请在恒温水浴控制下的密封腔内利用电化学沉积方法制备具有环节状结构的铜微纳米结构；实验方法简单易于操作，实验条件易于满足，重复性好，便于规模化生产；可以通过外加生长条件实现精确调控铜微纳结构。
制备阴极阳极环节状生长室衬底沉积周期结构材料微纳米水域电化学沉积规模化生产硫酸铜溶液微纳米结构彼此平行电源控制恒温水浴精确调控生长条件实验条件微纳结构反应室密封腔盖子硅片玻片滴入电势放入上盖申请密封室内生长封闭

[发明专利]一种野生裸果木引种驯化及繁育的方法-CN202011119347.X在审
发明人：张文旭;陈静;郭露露;刘乾;王鹏;马国富;雷自强;彭辉 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： A01G17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种野生裸果木引种驯化及繁育的方法，包括以下步骤：步骤一，采种；步骤二，育苗；步骤三，移苗；步骤四，筛选和推广；其中在上述步骤一中，7月中下旬，在安西极旱荒漠国家级自然保护区附近生长旺盛、无病虫害、花萼较大较多的裸果木，待花萼自然脱落后，和沙土一起收集；该发明，利用模拟其土壤、温度、光照条件等的生长环境进行驯化育苗，有利于探索出最佳的生长条件，生长环境以及栽培技术进行繁育推广，促进珍稀濒危国家一级保护植物裸果木人工繁育，为裸果木保护繁育提供人工苗木的一种方法，同时该发明在进行繁育的过程中，充分的模拟了自然生长环境，提高了裸果木的存活率，便于大规模推广。
一种野生果木引种驯化繁育方法

[发明专利]一种环控设备快速调节集成方法-CN202310955569.2在审
发明人：张志强 -专利权人：张志强
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G05D27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种环控设备快速调节集成方法，涉及环境控制和调节技术领域，该方法在温室大棚中实现了高效优化植物生长环境的优势。通过集成传感器组实时监测大棚内外环境参数，并通过预处理和计算获得室内影响评估系数Yx和室外气象系数Sw，系统能够自动调节环境参数，为植物提供最适宜的生长条件。此外，利用深度学习模型进行植物生长阶段的自动识别，根据生长阶段系数Sj匹配标准环境需求阈值YZ，系统实现了智能化、个性化的环境调节，满足不同植物生长阶段的需求，进一步优化种植环境。综合考虑内外环境因素，通过隔离度Is的评估和调节浮动系数Fd的计算，提高植物对外部气象条件的适应性，增强温室大棚内部环境的稳定性和可靠性。
一种设备快速调节集成方法

[发明专利]金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法-CN200710040427.4无效
发明人：林辉;周圣明;顾书林;张荣;杨卫桥 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ－LiAlO₂单晶衬底置于低压—金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作为氧源，高纯氩气作为锌源饱和蒸汽的载气和稀释气体，ZnO薄膜的生长条件如下：二乙基锌起泡器的条件维持在760托，14℃，锌源流量：15～25sccm，O₂气流量：100～150sccm，Ar气流量：80～120sccm，O和Zn的摩尔比为80～200，真空室反应气压：80～120Pa，生长温度为400～750℃，生长时间为20～60分钟。本发明可以生长高质量的非极性ZnO薄膜，具有很好的产业应用价值。
金属有机化学沉积生长 zno 薄膜方法

[发明专利]一种沉水植物在黑臭底泥水体中生长的方法-CN201910991015.1在审
发明人：孙健;刘向荣;蔡世颜;贺珊珊;刘琪 -专利权人：中国市政工程中南设计研究总院有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： A01G33/00 文献下载
摘要：本发明属于沉水植物生长环境技术领域，提供了一种沉水植物在黑臭底泥水体中生长的方法，将沸石、页岩陶粒和未污染底泥按一定质量分数制成沉水植物的生长载体，将生长载体装入无纺布袋中，并将沉水植物根部种入生长载体后封住袋口本发明中，组成沉水植物生长载体的沸石与页岩陶粒，能为沉水植物提高良好的生长环境，并且对水体具有一定的净化作用，能够改善沉水植物的生长条件，解决黑臭底泥水体中沉水植物难以存活的问题。
一种植物黑臭底泥水生长方法

[发明专利]一种提高嗜盐四联球菌在极端条件下存活率的方法-CN202010709220.7在审
发明人：吴重德;杨欢;金垚;黄钧;周荣清 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C12N1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高嗜盐四联球菌在极端条件下存活率的方法，涉及微生物技术领域。该方法通过对接种前的嗜盐四联球菌进行热预适应处理，利用微生物的应激保护方式，使菌体细胞在介于最适生长条件和致死生长环境中进行培养时，产生一种适应性反应所诱导的保护作用，从而可以保护细胞抵御更为恶劣的极端环境，进而显著提高嗜盐四联球菌在极端条件下的存活率；且本发明方法简单、可靠，适用性好，成本低廉，适合大规模推广应用。
一种提高嗜盐四联球菌极端条件下存活率方法

[发明专利]ZmbHLH148蛋白及其编码基因在调控植物抗旱性中的应用-CN202010143364.0有效
发明人：陈丽梅;武维华;王瑞芳;李希东;郝杰;王喜庆 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C07K14/415 文献下载
摘要：本发明发现，ZmbHLH148基因过表达后，干旱处理条件下转基因植株生长明显好于野生型，且干旱条件下转基因植株叶片相对含水量显著高于对照，正常生长条件下的转基因株系离体叶片失水速率明显低于对照，说明该基因过表达后能够显著提高植物抗旱性
zmbhlh148 蛋白及其编码基因调控植物抗旱性中的应用

[发明专利]一种高产大葱的种植方法-CN201711367166.7在审
发明人：王军红 -专利权人：南京苏五道信息科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： A01G22/35 文献下载
摘要：一种高产大葱的种植方法，通过对育苗、育苗播种、定植、采收等环节进行条件控制。本发明的种植方法涉及大葱种植的育苗、定植到采收，整个过程科学、合理，能够有效把控大葱每个阶段所需的生长条件，将其控制在最合理的范围内，大大提高了大葱的产量。
大葱种植育苗高产采收定植农业种植领域过程科学生长条件条件控制播种环节

[发明专利]一种利用人防设施周年栽培茶树菇的方法-CN200910263130.3无效
发明人：朱忠贵;董亚萍 -专利权人：镇江市食用菌研究所
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： A01G1/04 文献下载
摘要：本发明属于食用菌生产技术领域，公开一种利用人防设施周年栽培茶树菇的方法，其特征在于：利用人防设施冬暖夏凉特殊的自然环境，为茶树菇提供适宜的生长条件，在没有冷热设备的条件下，实现茶树菇的周年栽培。
一种利用人防设施周年栽培茶树方法

[发明专利]一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法-CN202111035728.4在审
发明人：周代兵;赵玲娟;梁松;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开提供了一种反射率可调节的半导体激光器腔面膜的制备方法，包括：S1，将多个半导体激光器放置于真空环境中，并对多个半导体激光器的衬底进行加热处理后保持恒温；S2，采用磁控溅射设备在预置参数下对经过S1步骤处理后的每个半导体激光器的两端腔面上分别生长增透膜和高反膜，增透膜为氮化硅层，高反膜由二氧化硅层和氮化硅层交替生长形成；其中，预置参数包括单材料硅靶源的溅射功率为50W～200W，氮化硅层的生长条件：氮气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa，二氧化硅层的生长条件：氧气流量为5sccm～200sccm、压强为0.05Pa～10.00Pa；通过调节氮气流量的大小以使生成不同折射率的氮化硅层，得到反射率可调节的增透膜和高反膜。
一种反射率调节半导体激光器面膜制备方法

[发明专利]一种盐藻液浸没式超滤系统及盐藻液浓缩方法-CN201711343381.3在审
发明人：孙磊;戴海平;孙明;袁心;张程 -专利权人：天津膜天膜科技股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： B01D61/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种盐藻液浸没式超滤系统，包括跑道池、浸没式超滤膜组件、浓缩池、产水系统、曝气系统和反洗系统，利用该超滤系统的盐藻液浓缩方法，在接近最佳生长盐度条件下大量增殖的盐藻有效浓缩，保持生物量的同时，大大减少了低盐度藻液的体积，减少了后续为实现高盐度胁迫生长条件而加入的高度卤水量，通过对超滤工作压力的精确控制，可最大限度降低浓缩过程中盐藻的死亡率，获得更多的有效生物量。
一种盐藻液浸没超滤系统浓缩方法