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- [发明专利]导电特征形成-CN201910814776.X有效
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黄玉莲
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2019-08-30
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2022-01-07
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H01L23/538
- 本公开涉及导电特征形成。本公开提供了涉及导电特征和形成具有不同尺寸的导电特征的方法的示例实施例。在一个实施例中，一种结构包括：衬底、衬底上的电介质层、以及分别穿过电介质层到达衬底上的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域的第一导电特征和第二导电特征。第一导电特征具有沿着第一导电特征的纵向轴线的第一长度和垂直于第一长度的第一宽度。第二导电特征具有沿着第二导电特征的纵向轴线的第二长度和垂直于第二长度的第二宽度。第一导电特征的纵向轴线与第二导电特征的纵向轴线对齐。第一宽度大于第二宽度，第一长度小于第二长度。
- 导电特征形成
- [发明专利]形成后特征的优化-CN02813099.5有效
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格雷格·杜德夫;基思·康
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美莎诺普有限公司
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2002-06-28
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2004-08-18
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G02B6/36
- 一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中，用该反映气体对壁进行处理，使该壁变成一种包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征理想的尺寸。另一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于1微米的精度，该方法包括在壁的至少一部分上淀积一种基底材料，使得更容易在壁上，在基底材料的顶部以限定的，均匀的方式镀覆材料，和在壁的至少一部分上镀覆材料，直至达到该特征的理想尺寸。
- 形成特征优化
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