专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于数位计算的信息实时主动关联与推送方法-CN201210285504.3无效
  • 黄旭明 - 元数位(福建)软件有限公司
  • 2012-08-10 - 2012-12-19 - H04W4/02
  • 本发明提供基于数位计算的信息实时主动关联与推送方法,首先,确定人、事;其次,确定人、事之间的相关性;再次,识别所述信息中的人和事;然后,实时主动关联与目标B(t)相关的服务信息,所述目标B(t)是人或事;最后,实时主动将与目标B(t)相关的信息推送至元终端。本发明通过定义人、事,并记录三者之间的相关性,然后识别信息中的人、事,最后实时主动关联并推送与目标相关的信息,将相关的信息推送到位移已经发生变化的对象当前所在位置,且还可以根据定时任务所设定的时间或根据事达到的事件阈值进行触发将所述信息推送至元终端
  • 基于数位计算信息实时主动关联推送方法
  • [发明专利]淫羊藿苷或环淫羊藿苷磷脂复合及其制备方法-CN200910184281.X无效
  • 贾晓斌;贾东升;孙娥 - 贾晓斌
  • 2009-08-18 - 2010-02-03 - A61K31/352
  • 一种淫羊藿苷磷脂复合或环淫羊藿苷磷脂复合,其特征在于:它由淫羊藿苷或环淫羊藿苷与磷脂组成,淫羊藿苷或环淫羊藿苷与磷脂的质量比为1∶0.5-5。本发明的淫羊藿苷磷脂复合或环淫羊藿苷磷脂复合中的磷脂对治疗骨质疏松有积极作用,淫羊藿苷或环淫羊藿苷药物的磷脂复合中药物与磷脂对治疗骨质疏松有协同作用;将磷脂与淫羊藿苷或环淫羊藿苷制成复合后,极大的改善了它们的溶解性,解决其水溶性、脂溶性差,生物利用度低的缺点;淫羊藿苷磷脂复合或环淫羊藿苷磷脂复合制备工艺简单,反应条件温和,适合工业化大生产。
  • 淫羊藿磷脂复合物及其制备方法
  • [发明专利]梳状聚合醇及其复合和它们的制备方法及应用-CN200610035729.8有效
  • 刘芳;贾德民;罗远芳;邓湘华;陈勇军 - 华南理工大学
  • 2006-05-31 - 2006-10-25 - C08G18/48
  • 本发明涉及一种梳状聚合醇及其复合和它们的制备方法。所述梳状聚合醇具有梳状支链,所述梳状支链具有C=C双键。所述梳状聚合醇复合为梳状聚合醇与蒙脱土的插层复合,蒙脱土呈纳米片状均匀分散到梳状聚合醇中。所述梳状聚合醇及其复合的制备方法包括将二异氰酸酯与三醇反应制得含3个-NCO端基的预聚体A;将预聚体A与含C=C双键的一醇反应进行支化改性,制得含2个-NCO端基的带有C=C双键支链的预聚体B;将预聚体B分别与二醇和二醇/蒙脱土混合反应制得梳状聚合醇和梳状聚合醇复合。所述梳状聚合醇及其复合可应用于制造水性聚氨酯涂料、胶粘剂。
  • 聚合物二元及其复合物它们制备方法应用
  • [发明专利]基于量子神经联网系统、执行方法和终端-CN202111565391.8在审
  • 刘迁乔 - 广州市番禺区刘迁乔软件科技服务部
  • 2021-12-20 - 2022-04-19 - G06N10/40
  • 本发明公开了一种基于量子神经联网系统、方法和终端,基于量子神经联网系统包括:量子神经,包括实体量子神经与代码量子神经,所述实体量子神经元由电路及存储在电路中的程序构成,所述代码量子神经具有计算机代码,所述量子神经用于执行所述联网系统的功能,所述功能包括使得未接入所述联网的设备接入所述联网;用户任务模块,由所述量子神经设置,用于执行任务,所述任务包括将未接入所述联网的设备接入所述联网;本域服务器,用于与多个量子神经连接并与所述量子神经进行数据交互。通过将联网的各个节点的功能最小化,能够优化联网节点,促进联网的构建。
  • 基于量子神经元联网系统执行方法终端
  • [发明专利]具有氮化铝镓三合金层和第二III族氮化合金层的异质结的半导体器件-CN201880075529.6有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-11 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化合金层上的第一III族氮化合金层的异质结。确定用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的浓度范围,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于利用所选择的用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化合金层是AlGaN,并且第二III族氮化合金层是InGaN、InAlN、BAlN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]具有氮化铟铝三合金层和第二III族氮化合金层的异质结的半导体器件-CN201880075712.6有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-15 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化合金层上的第一III族氮化合金层的异质结。确定用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的浓度范围,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于利用所选择的用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化合金层是InAlN,并且第二III族氮化合金层是InGaN、AlGaN、BAlN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]具有氮化硼铝三合金层和第二III族氮化合金层的异质结的半导体器件-CN201880075723.4有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-22 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化合金层上的第一III族氮化合金层的异质结。确定用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的浓度范围,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于利用所选择的用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化合金层是BAlN,并且第二III族氮化合金层是InGaN、InAlN、AlGaN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]具有氮化硼镓三合金层和第二III族氮化合金层的异质结的半导体器件-CN201880075777.0有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-08-22 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化合金层上的第一III族氮化合金层的异质结。确定用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的浓度范围,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于利用所选择的用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化合金层是BGaN,并且第二III族氮化合金层是InGaN、InAlN、BAlN或AlGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]具有氮化铟镓三合金层和第二III族氮化合金层的异质结的半导体器件-CN201880075677.8有效
  • 李晓航;刘开锴 - 阿卜杜拉国王科技大学
  • 2018-10-10 - 2023-09-29 - H01L21/20
  • 提供了一种用于形成半导体器件的方法,所述半导体器件具有布置在第二III族氮化合金层上的第一III族氮化合金层的异质结。确定用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的浓度范围,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于从确定的浓度范围中选择用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度,使得在第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于利用所选择的用于第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层的III族氮化元素的特定浓度来形成半导体器件。第一III族氮化合金层和第二III族氮化合金层具有纤锌矿晶体结构。第一III族氮化合金层是InGaN,并且第二III族氮化合金层是AlGaN、InAlN、BAlN或BGaN。
  • 具有氮化三元合金第二iii氮化物异质结半导体器件
  • [发明专利]醇单叔丁基醚化合的制备方法-CN201280009831.4有效
  • 金明奭;严在训;朴敏燮;徐炯在;闵庚台 - 大林产业株式会社
  • 2012-02-21 - 2013-11-20 - C07C41/34
  • 本发明涉及使用含有异丁烯的C4烃混合及二醇化合作为反应的二醇单叔丁基醚化合的制备方法,具体地,涉及将作为副产物的二醇二叔丁基醚化合分解为异丁烯及二醇化合,并作为反应再循环,从而能够极大化单位原料的产品生产量的二醇单叔丁基醚化合的制备方法所述二醇单叔丁基醚化合的制备方法包括:将二醇化合和包含异丁烯的C4烃化合在酸性催化剂存在下进行反应,从而制得二醇单叔丁基醚化合和作为副产物的二醇二叔丁基醚化合的催化反应步骤;使用亲水性提取剂及亲油性提取剂将所述催化反应步骤中制得的二醇单叔丁基醚化合和二醇二叔丁基醚化合进行分离的副产物提取步骤;及将分离的二醇二叔丁基醚化合分解为二醇化合及异丁烯,并将其再循环到所述催化反应步骤的副产物分解及循环步骤。
  • 二元醇单叔丁基化合物制备方法

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