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[发明专利]利用变频感应熔化炉重熔硅锰合金粉粒的方法-CN201910736317.4在审
发明人：翟小煜;姜玉华;周启全 -专利权人：宁夏亚启科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C22B9/16 文献下载
摘要：利用变频感应熔化炉重熔硅锰合金粉粒的方法。其工艺流程为：根据硅锰合金的特性，设计变频感应熔化炉系统；对投入变频感应炉的硅锰合金粉粒按批次进行入炉前化验；通过加料装置将硅锰合金粉粒加入炉内进行重熔，在重熔中确保炉内不搭蓬，不结块，保持炉内硅锰合金处于熔融状态；根据硅锰合金渣的特性选用石墨或碳化硅棒做机械搅拌；待硅锰合金全部熔化，升温至1400℃‑1450℃，净化5‑10min；快速出炉浇铸成自然块，炉内需余留10%‑15%的残夜，提高起熔功率。它主耍解决硅锰合金大块料经破碎、精整、筛分后的粉粒得到进一步重复利用，提升产品纯度及回收率。
硅锰合金粉粒重熔变频感应炉内熔化炉熔化变频感应炉硅锰合金渣熔化炉系统产品纯度机械搅拌加料装置熔融状态碳化硅棒重复利用工艺流程大块料石墨出炉结块精整入炉回收率浇铸破碎化验净化

[发明专利]一种用于拉晶炉的热场控制装置及拉晶炉-CN202210616029.7在审
发明人：宋振亮;宋少杰 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于拉晶炉的热场控制装置及拉晶炉，所述热场控制装置包括：所述拉晶炉的导流筒，所述导流筒固定地设置在所述拉晶炉中；隔热件，所述隔热件设置在硅熔体与从所述硅熔体拉制出的单晶硅棒之间，以与所述导流筒一起构成用于阻隔从所述硅熔体辐射至所述单晶硅棒的热量的热屏蔽体，其中，所述隔热件由适于机械传动的材料制成；隔热件驱动器，所述隔热件驱动器用于驱动所述隔热件移动来改变所述热屏蔽体的底部与所述硅熔体的液面之间的间距并相应地改变从所述硅熔体辐射至所述单晶硅棒的热量，以在所述单晶硅棒中获得所需要的轴向温度梯度
一种用于拉晶炉控制装置

[发明专利]单晶炉熔料时间缩短装置及方法-CN201610905601.6在审
发明人：潘永娥 -专利权人：宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉熔料时间缩短装置及方法，单晶炉熔料时间缩短装置包括石墨坩埚，所述石墨坩埚的外表面上绕有感应线圈，所述感应线圈具有电路接线端。单晶炉熔料时间缩短方法，包括单晶炉、装有硅料的石英坩埚、加热装置、单晶炉熔料时间缩短装置，在熔料开始时，打开加热装置，并且接通感应线圈，待硅料融化后，关闭感应线圈。通过在石墨坩埚的外表面上绕感应线圈，可以在开始熔化硅料的时候，将感应线圈通电，与现有的单晶炉内的加热装置一起对硅料进行加热，提高加热效率，缩短硅料融化时间，提高单晶棒的生产效率。
单晶炉熔料时间缩短装置方法

[发明专利]缩短单晶炉熔料时间装置及方法-CN201610901227.2在审
发明人：潘永娥 -专利权人：宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及缩短单晶炉熔料时间装置及方法，包括设置在单晶炉的炉腔中、位于坩埚上方的发热体，所述发热体能够通电发热。缩短单晶炉熔料时间方法，包括单晶炉、装有硅料的坩埚、设置在坩埚外围的加热装置、上述的缩短单晶炉熔料时间装置；熔化硅料的步骤如下：a)，通过动力装置将发热体下放到距离坩埚顶面合适的位置；b)，打开开关，使发热体通电发热；c)，当硅料融化后，关闭开关，通过动力装置将发热体向上提升到炉盖处。通过将本申请的发热体与现有的加热装置一起对单硅料进行加热，缩短了熔料时间，提高了单晶棒的生产效率，降低了单晶棒的生产成本。
缩短单晶炉熔料时间装置方法

[发明专利]一种利用太阳能电池切割晶体硅废料制备高纯硅的方法-CN202310040900.8在审
发明人：魏创林;魏伟;王凯;魏佳新;魏波;李健仁;赵红波;乔泓博;寇娟;陆江婷;岳进 -专利权人：石嘴山市宝马兴庆特种合金有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用太阳能电池切割晶体硅废料制备高纯硅的方法，将硅泥加入到矿热炉中制备硅熔液，并对硅熔液进行成分检测；再通过喷粉的方式，在矿热炉中通入以粉煤灰为载体的粉煤灰造渣剂，同时在矿热炉中持续通入惰性气体，将矿热炉中的高温硅熔液转包到精炼炉中，保持精炼炉中的温度为1800℃～2200℃，并对硅熔液进行成分检测；再继续通过喷粉的方式，在精炼炉中通入以粉煤灰为载体的粉煤灰‑除铁剂烧结体颗粒，同时在精炼炉中通入惰性气体本申请充分利用粉煤灰结构为多孔状的形态，将金属杂质形成的氧化物吸附后粘附聚集在一起，提高了除渣效率，并通过两次除杂的方式，显著降低了硅熔液中的杂质含量。
一种利用太阳能电池切割晶体废料制备高纯方法

[发明专利]单晶硅制备装置及其控制方法-CN202310218030.9有效
发明人：曹建伟;朱亮;叶钢飞;高宇;王小飞;李玉刚 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶硅制备装置，包括：晶体生长炉；坩埚；加热机构；升降机构；晶体生长炉的底部设置有第一炉底板，第一炉底板上方的至少部分区域铺设有防漏保护机构，当坩埚发生漏硅时，防漏保护机构承接并冷却漏硅熔体，使漏硅熔体在防漏保护机构表面结成防护层，以防止漏硅熔体熔穿第一炉底板。本申请在炉底板间设计有防漏保护机构，可以在坩埚发生漏硅时由防漏保护机构承接漏硅熔体并冷却漏硅熔体结成防护层，防止漏硅熔体将炉底板熔穿，确保单晶硅制备过程的安全性。
单晶硅制备装置及其控制方法

[发明专利]有机氯硅烷和/或氯硅烷合成工艺残渣的处理方法-CN95190249.0无效
发明人：Ｉ·Ｊ·艾克兰;Ｍ·文登尼斯;Ｒ·冈德森;Ｒ·扬森 -专利权人：埃以凯姆公司
申请日： 1995-03-02 - 公布日： 1999-01-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：将残渣任选地与氧化剂一起投入熔炼炉中，将该残渣熔融以形成一种至少含有硅和铜的熔融金属相以及一层熔渣相，将金属熔体和惰性熔渣从熔炼炉中放出。用无机酸浸出的方法从含有硅－铜的固化金属相中溶解铜，以产生一种基本上含硅的固体产品，然后从浸出液中回收铜。
有机硅烷合成工艺残渣处理方法

[发明专利]一种利用感应炉熔硅的铝锭起炉工艺-CN201611129946.3有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：成都斯力康科技股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用感应炉熔硅的铝锭起炉工艺，将硅块或硅粉放入到感应炉，启动感应炉，并升温至700～800℃，铝锭熔化形成铝水；继续升温至1700～1800℃，硅块或硅粉熔化成硅液；通过向混合液体中逐渐添加硅块或者硅粉，提高硅铝混合液体中硅的含量，当感应炉中的混合溶液满量时，倾倒85％～90％的混合液体，重新加入逐渐添加硅块或者硅粉；使得混合溶液中的硅含量达到标准时，完成起炉。本发明利用硅水的弱导电性也可以自身感应生热，达到熔炼硅块的目的，相对于坩埚的最大容量20KG而言，本发明利用感应炉进行硅熔炼的方式，可以将单体的熔炼量提升至5吨，相对于现有技术的坩埚熔炼而言，大大提高了产量和生产效率
感应炉硅块硅粉混合液体熔炼起炉熔化混合溶液中感应生热混合溶液铝锭熔化弱导电性生产效率最大容量坩埚熔炼标准时硅熔炼放入硅铝硅水硅液铝锭铝水满量熔硅坩埚倾倒

[发明专利]一种利用中频炉提纯锰铁的方法-CN201910024042.1在审
发明人：于明光;武裕民;沈晓东;韩严法;孙杭;于洋;王红岩 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C22C35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用中频炉提纯锰铁的方法，利用中频炉把熔化的锰铁合金进行渣洗，去除锰铁合金中有害元素，得到低磷、硫含量的锰铁合金；1)渣料的制备，将粒度5mm～10mm的氧化钙、萤石混合均匀进行预熔处理，中频感应炉内升温至1200℃～1300℃并保温10～30分钟，将熔化后渣料倒出自然冷却；2)将硅钙合金与高碳锰铁或锰硅合金一起加入到中频炉内，硅钙合金加入量为高碳锰铁质量百分含量的10％‑30％，为锰硅合金质量百分含量10％～30％；3)炉内加入步骤1)制成的预熔渣，预熔渣加入量为高碳锰铁或锰硅合金质量百分含量的100％～150％；4)中频炉升温至1300℃～1400℃停止升温，保温10～30分钟后金属液倒出得到纯净锰铁或锰硅合金
中频炉锰硅合金高碳锰铁锰铁合金锰铁熔化硅钙合金预熔渣提纯倒出渣料保温中频感应炉提纯效果金属液氧化钙低磷炉内去除萤石预熔渣洗制备

[发明专利]一种工业硅熔体微负压炉外精炼的方法-CN202010672622.4有效
发明人：魏奎先;邓小聪;马文会;伍继君 -专利权人：昆明理工大学;云南省能源研究院有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业硅熔体微负压炉外精炼的方法，属于硅熔体火法精炼提纯技术领域。本发明将微负压装置移至炉外精炼装置的抬包口正上方，开启微负压装置的真空装置使工业硅熔体进行微负压炉外精炼，在工业硅熔体炉外精炼过程中除去工业硅熔体中的易挥发性杂质，提高硅产品的质量。本发明在硅熔体上方营造出的微负压环境，可以避免硅熔体炉外精炼过程中烟气的逸出，减少环境影响。本发明方法具有设备要求简单、操作容易、环境友好、适合规模化工业生产。
一种工业硅熔体微负压炉外精炼方法

[发明专利]一种基于电子束枪的感应炉熔硅起炉装置及工艺-CN201611129949.7在审
发明人：羊实;周旭 -专利权人：永平县泰达废渣开发利用有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电子束枪的感应炉熔硅起炉装置及工艺，包括感应炉，在感应炉的空腔内设置有线圈，在线圈内侧设置有线圈胶泥层，在线圈胶泥层内侧填筑夯实形成有内衬层，在感应炉顶部至少设置有一个或一个以上的电子束枪本发明通过在感应炉上配置一个或者多个的电子束枪，利用电子束枪的集中加热方式对感应炉内的硅粉进行加热，当加热形成部分硅液的时候，启动感应炉，利用硅液的弱导电性进行感应加热，从而熔化更多的硅液，在电子束枪和感应炉的配合作用下，可以短时间内高效地熔化硅块，完成硅液熔炼的起炉步骤，实现利用感应炉来进行硅熔炼的目的。
一种基于电子束感应炉熔硅起炉装置工艺

[实用新型]一种基于电子束枪的感应炉熔硅起炉装置-CN201621353607.9有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：永平县泰达废渣开发利用有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于电子束枪的感应炉熔硅起炉装置，包括感应炉，在感应炉的空腔内设置有线圈，在线圈内侧设置有线圈胶泥层，在线圈胶泥层内侧填筑夯实形成有内衬层，在感应炉顶部至少设置有一个或一个以上的电子束枪本实用新型通过在感应炉上配置一个或者多个的电子束枪，利用电子束枪的集中加热方式对感应炉内的硅粉进行加热，当加热形成部分硅液的时候，启动感应炉，利用硅液的弱导电性进行感应加热，从而熔化更多的硅液，在电子束枪和感应炉的配合作用下，可以短时间内高效地熔化硅块，完成硅液熔炼的起炉步骤，实现利用感应炉来进行硅熔炼的目的。
一种基于电子束感应炉熔硅起炉装置

[发明专利]一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法-CN201310020851.8有效
发明人：马文会;魏奎先;周继红;王统;张龙;谢克强;周阳;伍继君;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学;云南宏盛锦盟企业集团有限公司
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种炉外精炼提纯工业硅熔体的方法，经过下列步骤：往抬包内通入空气，再将矿热炉内的硅熔体释放到抬包内，对抬包内的硅熔体进行微波加热，保持硅熔体的炉外精炼温度进行炉外吹气、造渣精炼0.5～10h；待炉外精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅熔体。通过上述炉外精炼过程，可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na、Mg在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质，同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分，为冶金法制备太阳能级硅提供高品质的原料
一种精炼提纯工业硅熔体方法

[发明专利]隧道式双循环真空冶炼炉及其方法-CN201310007230.6有效
发明人：李恒杰;邹紫辉 -专利权人：九洲资源控股集团有限公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C22B26/22 文献下载
摘要：一种隧道式双循环真空冶炼炉及其方法，其中炉包括隧道式真空反应室，其内设有反应区域，在反应区域内设有感应线圈，在反应区域周围设有保温区域；熔硅炉A和B，连接在隧道式真空反应室两侧；多个结晶体，设置在隧道式真空反应室上面，用于收集结晶体；锻白粉与惰性气体喷吹管，其内的锻白粉与惰性气体随硅液进入隧道式真空反应室一起进行反应；作业平台，可交替倾斜，其上固定有隧道式真空反应室、熔硅炉A和B；真空泵和水泵，与结晶器连接。
隧道双循环真空冶炼及其方法

[发明专利]一种单晶炉液体连续加料装置-CN202111300662.7在审
发明人：张忠涛;曹玉宝;尹嘉琦;李万朋;王建波 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅制备技术领域，具体的说是一种单晶炉液体连续加料装置，包括拉晶炉、熔料炉、拉晶坩埚和熔料坩埚；所述熔料坩埚外侧安装有加热器；所述熔料炉顶部安装有提渣装置；所述拉晶炉与熔料炉之间设有支撑管；所述支撑管内部安装有上料管；所述拉晶炉与熔料炉之间连通有气压平衡管路，气压平衡管路上安装有控制阀；将硅料送入熔料坩埚中，加热器将硅料熔化，关闭控制阀，给熔料炉内部加压，利用压差效应，将熔料坩埚中的熔料通过上料管导入拉晶坩埚中，完成一次上料，进而打开控制阀，调节压差，保护设备，再向熔料坩埚中投入硅料，拉晶和熔料同时进行，无需再在拉晶炉内熔料，大量节省时间，更方便提渣，提高单晶炉工作效率。
一种单晶炉液体连续加料装置

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